层压设备及使用该层压设备制造显示装置的方法与流程

文档序号:33501374发布日期:2023-03-17 22:16阅读:26来源:国知局
层压设备及使用该层压设备制造显示装置的方法与流程
层压设备及使用该层压设备制造显示装置的方法
1.相关申请的交叉引用
2.本技术要求于2021年9月15日提交的第10-2021-0123398号韩国专利申请的优先权以及由其产生的所有权益,该韩国专利申请的内容通过引用以其整体并入本文。
技术领域
3.本发明的实施方式涉及提供零数据的层压设备及使用该层压设备制造显示装置的方法。


背景技术:

4.显示装置包括窗和显示面板。窗保护显示面板并且通过粘合剂附接到显示面板。层压设备用于层压窗和显示面板。


技术实现要素:

5.本发明的实施方式提供了提供零数据的层压设备。
6.本发明的实施方式提供了使用层压设备制造显示装置的方法。
7.本发明的实施方式提供了层压设备,层压设备包括:第一夹具,包括由底表面和侧表面限定的容纳凹槽,通过底表面限定有多个真空孔,侧表面从底表面弯曲并延伸;盖构件,不与多个真空孔中的至少一个真空孔重叠;第二夹具,设置成面对第一夹具;垫,设置在第二夹具上;以及控制器,基于从至少一个真空孔测量的真空值来设定零数据。
8.在实施方式中,第二夹具可以在第一方向上上升直到垫接触至少一个真空孔,且控制器可以将在垫接触至少一个真空孔时与第一夹具的位置和第二夹具的位置有关的信息设定为零数据。
9.在实施方式中,多个真空孔可以包括与盖构件重叠的第一真空孔和不与盖构件重叠的第二真空孔,且控制器可以基于在第二真空孔中测量的真空值来设定零数据。
10.在实施方式中,垫可以包括突出的上表面,且第二真空孔可以接触垫的突出部分。
11.在实施方式中,盖构件可以包括胶带,且胶带可以附接到多个真空孔中的除了至少一个真空孔之外的剩余真空孔。
12.在实施方式中,盖构件可以是穿过其限定有开口的设定窗,设定窗可以附接到第一夹具的底表面,以及至少一个真空孔可以与开口重叠并且可以不被设定窗覆盖。
13.在实施方式中,控制器可以控制第一夹具的移动和第二夹具的移动,控制对多个真空孔的操作,以及控制从多个真空孔对真空值的测量。
14.在实施方式中,控制器可以包括:处理器,从至少一个真空孔测量真空值并基于真空值来生成多个数据;以及确定器,基于所述数据来复位零数据。
15.在实施方式中,控制器还可以包括存储真空值和真空饱和数据的存储器,且真空值可以根据第一夹具与垫之间的相对位置进行多次测量,且真空饱和数据可以是当多次测量的真空值具有始终相同的值时所获得的真空值。
16.在实施方式中,存储器还可以存储真空参考数据,且真空参考数据可以通过用预定值校正真空饱和数据而获得。
17.在实施方式中,存储器还可以存储z轴值,z轴值可以是当真空值从对应于真空参考数据的值改变为另一值时垫的上表面的高度值。
18.在实施方式中,存储器还可以存储零数据,且零数据可以是z轴值或通过校正z轴值而获得的校正后的z轴值。
19.本发明的实施方式提供了制造显示装置的方法。该方法包括:设定层压设备的零数据;以及使用层压设备将第一目标构件层压到第二目标构件。设定层压设备的零数据包括:将盖构件附接到通过其限定有多个真空孔的第一夹具,以暴露多个真空孔中的至少一个真空孔;朝向多个真空孔移动面对第一夹具的第二夹具和设置在第二夹具上的垫;以及基于从至少一个真空孔测量的真空值来设定零数据。
20.在实施方式中,盖构件可以包括胶带,且附接盖构件可以包括将胶带附接到多个真空孔中的除了至少一个真空孔之外的剩余真空孔。
21.在实施方式中,盖构件可以是穿过其限定有开口的设定窗,且附接盖构件可以包括:对准设定窗使得设定窗的开口与至少一个真空孔重叠;以及将设定窗附接到第一夹具的底表面。
22.在实施方式中,设定零数据可以包括:基于从至少一个真空孔测量的真空值来生成真空参考数据;以及基于真空参考数据来生成z轴值。
23.在实施方式中,设定零数据还可以包括将z轴值或通过校正z轴值而获得的校正后的z轴值设定为零数据,且z轴值可以是当真空值从对应于真空参考数据的值改变为另一值时垫的上表面的高度值。
24.在实施方式中,生成真空参考数据可以包括:当第一夹具与垫之间的距离等于或小于预定距离时,多次测量真空值;当多次测量的真空值具有始终相同的值时,将测量到的真空值设定为真空饱和数据;以及用预定值校正真空饱和数据以生成真空参考数据。
25.在实施方式中,生成z轴值可以包括:执行第一移动操作,以向第一方向移动第二夹具,直到真空值变成对应于真空参考数据的值;在第一移动操作之后执行第二移动操作,以向第一方向移动第二夹具,直到真空值从对应于真空参考数据的值改变为另一值;以及当真空值从对应于真空参考数据的值改变为另一值时,将垫的上表面的高度值生成为z轴值。
26.在实施方式中,第二夹具在第一移动操作中的移动速度可以不同于第二夹具在第二移动操作中的移动速度。
27.根据上文,即使层压目标改变或者垫的形状由于垫的重复使用而改变,零数据(或零值)也基于真空值而复位。通过层压设备的控制器自动设定零数据,并且由于系统地执行层压设备中的组件的操作,因此改善了零数据的管理精度。也就是说,基于真空值自动设定层压设备。相应地,减小了设定值(例如,零数据)的误差,并且与手动设定层压设备时所需的时间相比,减少了设定层压设备所需的时间。此外,可以通过反映由于垫的重复使用而引起的垫的高度变化来校正z轴值。
28.此外,由于基于真空值来设定零数据,因此减小了零数据的误差。相应地,减少或去除了与施压程度相关的缺陷,例如面板裂纹、灰斑、气泡等。
附图说明
29.通过在结合附图考虑时参考以下详细描述,本发明的以上和其它优点将变得更明显,在附图中:
30.图1是根据本发明的显示装置的实施方式的立体图;
31.图2是根据本发明的显示装置的实施方式的分解立体图;
32.图3a是根据本发明的显示装置的实施方式的剖视图;
33.图3b是根据本发明的显示面板的实施方式的剖视图;
34.图4a是根据本发明的层压设备的一部分的实施方式的立体图;
35.图4b和图4c是根据本发明的层压设备的实施方式的剖视图;
36.图4d是根据本发明的控制器的实施方式的框图;
37.图5是根据本发明的第一夹具的实施方式的平面图;
38.图6是根据本发明的第一夹具的实施方式的平面图;
39.图7是根据本发明的制造显示装置的方法的实施方式的流程图;
40.图8是根据本发明的设定零数据的方法的实施方式的流程图;
41.图9是根据本发明的生成真空参考数据的方法的实施方式的流程图;
42.图10是根据本发明的生成真空参考数据的层压设备的实施方式的视图;
43.图11是根据本发明的生成z轴值的方法的实施方式的流程图;
44.图12是根据本发明的生成z轴值的层压设备的实施方式的视图;以及
45.图13a至图13e是根据本发明的显示装置的制造方法的一些工艺的实施方式的视图。
具体实施方式
46.在本公开中,将理解,当元件(或区域、层或部分)被称为“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“联接到”另一元件或层时,它可以直接在该另一元件或层上、直接连接到或直接联接到该另一元件或层,或者可以存在介于中间的元件或层。
47.相同的附图标记始终指代相同的元件。在附图中,为了有效地描述技术内容,夸大了组件的厚度、比例和大小。如本文所用,术语“和/或”包括相关所列项中的一个或多个的任何及所有组合。
48.将理解,尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件,但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此,在不背离本公开的教导的情况下,下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。除非上下文另外清楚地指示,否则如本文所使用的,单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式。
49.为了便于描述,在本文中可以使用诸如“在
……
下面”、“在
……
下方”、“下”、“在
……
上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征与另一(些)元件或特征的关系。
50.还将理解,术语“包括(include)”和/或“包括(including)”,当在本说明书中使用时,指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在,但不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其组的存在或添加。
51.本文中使用的术语“部分”或“单元”旨在表示执行特定功能的软件组件或硬件组
件。硬件组件可以包括例如现场可编程门阵列(“fpga”)或专用集成电路(“asic”)。软件组件可以指可寻址存储介质中的可执行代码和/或由可执行代码使用的数据。因此,软件组件可以是例如面向对象的软件组件、类组件和任务组件,并且可以包括进程、子例程、属性、程序、子程序、程序代码段、驱动器、固件、微代码、电路、数据、数据库、数据结构、表、阵列或变量。
52.本文所用的“约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即,测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如,术语“约”可以意指在所述值的一个或多个标准偏差内,或在所述值的
±
30%、
±
20%、
±
10%或
±
5%内。
53.除非另有定义,否则本文所用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解,术语,诸如在常用词典中定义的那些术语,应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义,并且除非在本文中明确地如此定义,否则将不会被解释为理想的或过于形式化的含义。
54.在下文中,将参考附图详细说明本发明。
55.图1是根据本发明的显示装置dd的实施方式的立体图。
56.参考图1,显示装置dd可以是响应于电信号而启用的装置。显示装置dd可以是移动电话、平板计算机、汽车导航装置、游戏装置或可穿戴装置,然而,它不应受特别限制。
57.显示装置dd可以包括由第一方向dr1和与第一方向dr1交叉的第二方向dr2限定的显示表面ds。显示装置dd可以通过显示表面ds向用户提供图像。
58.显示表面ds可以包括显示区域da和限定在显示区域da周围的非显示区域nda。显示区域da可以显示图像,且非显示区域nda可以不显示图像。非显示区域nda可以围绕显示区域da,然而,它不应限于此或由此限制。显示区域da和非显示区域nda的形状可以改变。
59.显示表面ds可以包括主显示区域100am以及第一子显示区域100as1、第二子显示区域100as2、第三子显示区域100as3和第四子显示区域100as4。
60.主显示区域100am可以基本上平行于由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面。垂直于由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面的第三方向dr3可以限定为显示装置dd的厚度方向。此外,在以下描述中,表述“在平面图中”可以意指在第三方向dr3上被观看的状态。在实施方式中,主显示区域100am可以相对于由第一方向dr1和第二方向dr2限定的平面具有凹入形状或凸出形狀。
61.第一子显示区域100as1、第二子显示区域100as2、第三子显示区域100as3和第四子显示区域100as4可以从主显示区域100am弯曲。主显示区域100am以及第一子显示区域100as1、第二子显示区域100as2、第三子显示区域100as3和第四子显示区域100as4可以限定成彼此相邻以形成连续的显示区域。第一子显示区域100as1、第二子显示区域100as2、第三子显示区域100as3和第四子显示区域100as4中的每个可以从主显示区域100am弯曲并且可以具有预定的曲率。第一子显示区域100as1、第二子显示区域100as2、第三子显示区域100as3和第四子显示区域100as4的曲率可以彼此相同或者可以彼此不同。
62.第一子显示区域100as1和第三子显示区域100as3可以在第一方向dr1上延伸,并且可以在主显示区域100am插置于其间的情况下在第二方向dr2上彼此间隔开。第二子显示区域100as2和第四子显示区域100as4可以在第二方向dr2上延伸,并且可以在主显示区域
100am插置于其间的情况下在第一方向dr1上彼此间隔开。
63.图1中所示的显示装置dd包括一个主显示区域100am以及四个子显示区域(例如第一子显示区域100as1、第二子显示区域100as2、第三子显示区域100as3和第四子显示区域100as4),然而,本发明不应限于此或由此限制。在实施方式中,显示装置dd可以包括一个主显示区域100am以及第一子显示区域100as1、第二子显示区域100as2、第三子显示区域100as3和第四子显示区域100as4中的一些子显示区域。
64.图2是根据本发明的显示装置dd的实施方式的分解立体图。
65.参考图2,显示装置dd可以包括窗win、粘合层150、显示模块dm、驱动芯片130和主电路板140。
66.窗win的前表面可以限定显示装置dd的显示表面ds(参考图1)。窗win可以包括光学透明绝缘材料。在实施方式中,窗win可以包括玻璃或塑料。窗win可以具有单层结构或多层结构。在实施方式中,例如,窗win可以包括通过粘合剂彼此附接的多个塑料膜,或者可以包括玻璃衬底和通过粘合剂附接到玻璃衬底的塑料膜。
67.窗win可以包括主透射表面110am以及从主透射表面110am弯曲并从主透射表面110am延伸的第一侧透射表面110as1、第二侧透射表面110as2、第三侧透射表面110as3和第四侧透射表面110as4。第一侧透射表面110as1、第二侧透射表面110as2、第三侧透射表面110as3和第四侧透射表面110as4中的每个可以具有预定的曲率。第一侧透射表面110as1、第二侧透射表面110as2、第三侧透射表面110as3和第四侧透射表面110as4的曲率可以彼此相同或者可以彼此不同,然而,它们不应限于此或由此限制。在实施方式中,第一侧透射表面110as1、第二侧透射表面110as2、第三侧透射表面110as3和第四侧透射表面110as4可以是平坦的表面。
68.第一侧透射表面110as1和第三侧透射表面110as3可以在第一方向dr1上延伸,并且可以在主透射表面110am插置于其间的情况下在第二方向dr2上彼此间隔开。第二侧透射表面110as2和第四侧透射表面110as4可以在第二方向dr2上延伸,并且可以在主透射表面110am插置于其间的情况下在第一方向dr1上彼此间隔开。
69.窗win可以与显示模块dm的非弯曲区域nba重叠。也就是说,非弯曲区域nba可以附接到主透射表面110am以及第一侧透射表面110as1、第二侧透射表面110as2、第三侧透射表面110as3和第四侧透射表面110as4。
70.未附接到窗win的弯曲区域ba可以朝向非弯曲区域nba的后表面弯曲。驱动芯片130可以设置在弯曲区域ba中,且主电路板140可以附接到弯曲区域ba。驱动芯片130可以是芯片形式的时序控制电路,然而,这仅是一个示例。在实施方式中,驱动芯片130可以设置(例如,安装)在与显示模块dm分离的膜上。在这种情况下,驱动芯片130可以通过膜电连接到显示模块dm。
71.粘合层150可以设置在窗win下方,并且可以将窗win与显示模块dm结合。窗win可以使用层压设备lmd(参考图4b)与显示模块dm结合。在实施方式中,粘合层150可以是诸如压敏粘合剂(“psa”)膜、光学透明粘合剂(“oca”)膜或光学透明树脂(“ocr”)的透明粘合构件。
72.显示模块dm可以设置在粘合层150下方。显示模块dm可以包括非弯曲区域nba和弯曲区域ba。非弯曲区域nba和弯曲区域ba可以在第二方向dr2上彼此相邻。弯曲区域ba可以
是在基本上平行于第二方向dr2的方向上从非弯曲区域nba延伸和突出的部分,并且弯曲区域ba和非弯曲区域nba可以具有连续的形状或整体的形状。非弯曲区域nba在第一方向dr1上的宽度wt1可以大于弯曲区域ba在第一方向dr1上的宽度wt2。
73.显示模块dm的非弯曲区域nba可以包括显示区域dp-da和非显示区域dp-nda。非显示区域dp-nda可以围绕显示区域dp-da。显示模块dm的显示区域dp-da和非显示区域dp-nda可以分别与窗win的显示区域da和非显示区域nda重叠。图像可以通过显示区域dp-da提供给窗win。
74.尽管在附图中未示出,但是显示装置dd还可以包括设置在显示模块dm之下的保护构件。设置在显示模块dm之下的保护构件可以保护显示模块dm免受外部冲击。保护构件可以包括多个层。在实施方式中,例如,保护构件可以包括遮光层、散热层、缓冲层和多个粘合层。
75.遮光层可以改善设置在显示模块dm的后侧处的组件被看到的现象。尽管在附图中未示出,但是遮光层可以包括粘结剂和分散在粘结剂中的多个颜料微粒。颜料微粒可以包括炭黑。
76.散热层可以有效地散发由显示模块dm产生的热量。散热层可以包括具有优异的散热特性的金属板。在实施方式中,散热层可以包括不锈钢、石墨、铜(cu)和铝(al)中的至少一种,然而,它不应受特别限制。散热层可以改善散热特性,并且也可以具有电磁波屏蔽特性或电磁波吸收特性。
77.缓冲层可以是合成树脂泡沫。缓冲层可以包括基体构件和多个孔。孔可以分布和限定在基体构件中。在实施方式中,缓冲层可以设置在散热层之下。缓冲层可以具有弹性并且可以具有多孔结构。
78.图3a是根据本发明的显示装置dd的实施方式的剖视图。
79.参考图3a,显示装置dd可以包括窗win和显示模块dm。显示模块dm可以包括显示面板dp、输入感测层isl和抗反射层cfl。
80.显示面板dp可以具有基本上生成图像的配置。显示面板dp可以是发光型显示面板。在实施方式中,例如,显示面板dp可以是有机发光显示层、无机发光显示层、有机-无机发光显示层、量子点显示层、微型发光二极管(“微型led”)显示层或纳米led显示层。
81.输入感测层isl可以设置在显示面板dp上。输入感测层isl可以感测从外部施加到其上的外部输入。外部输入可以是用户输入。在实施方式中,用户输入可以包括诸如用户的身体的一部分、光、热、笔或压力的各种外部输入。
82.输入感测层isl可以通过连续的工艺形成或设置在显示面板dp上。在这种情况下,输入感测层isl可以直接设置在显示面板dp上。在本发明中,表述“输入感测层isl直接设置在显示面板dp上”意指在输入感测层isl与显示面板dp之间没有介于中间的元件。也就是说,可以不在输入感测层isl与显示面板dp之间设置单独的粘合构件。在实施方式中,输入感测层isl可以通过粘合构件联接到显示面板dp。粘合构件可以包括普通的粘合剂。
83.抗反射层cfl可以设置在输入感测层isl上。抗反射层cfl可以减小针对从外部入射到显示装置dd的外部光的反射率。抗反射层cfl可以通过连续的工艺形成或设置在输入感测层isl上。抗反射层cfl可以包括滤色器。滤色器可以以预定的排列布置。滤色器的排列可以通过考虑从包括在显示面板dp中的像素发射的光的颜色来确定。此外,抗反射层cfl还
可以包括与滤色器相邻的黑色矩阵。在实施方式中,抗反射层cfl可以包括偏振膜,且偏振膜可以包括延迟器和偏振器。在可选的实施方式中,可以省略抗反射层cfl。
84.在实施方式中,显示装置dd还可以包括粘合层al。窗win可以通过粘合层al附接到抗反射层cfl。在实施方式中,粘合层al可以包括oca、ocr或psa。
85.图3b是根据本发明的显示面板dp的剖视图。
86.参考图3b,显示面板dp可以包括基础层bl、电路层dp_cl、元件层dp_ed和封装层tfe。电路层dp_cl、元件层dp_ed和封装层tfe可以设置在基础层bl上。
87.基础层bl可以是提供其上设置电路层dp_cl的基础表面的构件。基础层bl可以是可弯曲、可折叠或可卷曲的柔性衬底。基础层bl可以是玻璃衬底、金属衬底或聚合物衬底,然而,它不应限于此或由此限制。在实施方式中,基础层bl可以是无机层、有机层或复合材料层。
88.基础层bl可以具有多层结构。例如,基础层bl可以包括第一合成树脂层、具有单层结构或多层结构的中间层以及设置在中间层上的第二合成树脂层。中间层也可以被称为基础阻挡层。中间层可以包括硅氧化物(sio
x
)层和设置在硅氧化物层上的非晶硅(a-si)层,然而,它不应受特别限制。在实施方式中,中间层可以包括硅氧化物层、硅氮化物层、硅氮氧化物层和非晶硅层中的至少一种。
89.第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每个可以包括聚酰亚胺基树脂。此外,第一合成树脂层和第二合成树脂层中的每个可以包括丙烯酸基树脂、甲基丙烯酸基树脂、聚异戊二烯基树脂、乙烯基树脂、环氧基树脂、氨基甲酸酯基树脂、纤维素基树脂、硅氧烷基树脂、聚酰胺基树脂和二萘嵌苯基树脂中的至少一种。在本公开中,如本文所用的术语“x基树脂”指代包括x官能团的树脂。至少一个无机层可以设置在基础层bl的上表面上。无机层可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。无机层可以形成为或设置为多层。无机层可以形成阻挡层brl和/或缓冲层bfl。在实施方式中,缓冲层bfl和阻挡层brl可以选择性地设置在基础层bl上。
90.阻挡层brl可以防止异物质从外部进入。阻挡层brl可以包括硅氧化物层和硅氮化物层。硅氧化物层和硅氮化物层中的每个可以设置成多个,且硅氧化物层可以与硅氮化物层交替地堆叠。
91.缓冲层bfl可以设置在阻挡层brl上。缓冲层bfl可以增加基础层bl与半导体图案之间或基础层bl与导电图案之间的联接力。在实施方式中,缓冲层bfl可以包括硅氧化物层和硅氮化物层。硅氧化物层和硅氮化物层可以彼此交替地堆叠。
92.半导体图案可以设置在缓冲层bfl上。在下文中,直接设置在缓冲层bfl上的半导体图案可以被定义为第一半导体图案。第一半导体图案可以包括硅半导体。第一半导体图案可以包括多晶硅,然而,它不应限于此或由此限制。在实施方式中,半导体图案可以包括非晶硅。
93.图3b示出了第一半导体图案的设置在缓冲层bfl上的部分,且第一半导体图案还可以设置在像素的其它区域中。第一半导体图案可以跨像素以预定的图案布置。第一半导体图案可以根据其是否被掺杂或其掺杂有n型掺杂剂还是p型掺杂剂而具有不同的电性质。第一半导体图案可以包括具有高导电率的第一区域和具有低导电率的第二区域。第一区域可以掺杂有n型掺杂剂或p型掺杂剂。p型晶体管可以包括掺杂有p型掺杂剂的掺杂区域,且n
型晶体管可以包括掺杂有n型掺杂剂的掺杂区域。第二区域可以是非掺杂区域,或者可以以比高导电率区域的浓度低的浓度进行掺杂。
94.第一区域可以具有比第二区域的导电率大的导电率,并且可以基本上用作电极或信号线。第二区域可以基本上对应于晶体管的有源区(或沟道)。换句话说,半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区,半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极或漏极,以及半导体图案的其它部分可以是连接电极或连接信号线。
95.如图3b中所示,第一晶体管t1的第一电极s1、沟道部分a1和第二电极d1可以从第一半导体图案形成或提供。第一晶体管t1的第一电极s1和第二电极d1可以从沟道部分a1在彼此相反的方向上延伸。
96.图3b示出了连接信号线csl的从半导体图案形成或提供的部分。尽管在附图中未示出,但是连接信号线csl可以连接到形成像素电路的另一晶体管的第二电极。
97.第一绝缘层10可以设置在缓冲层bfl上。第一绝缘层10可以公共地与像素重叠并且可以覆盖第一半导体图案。第一绝缘层10可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。第一绝缘层10可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。在所示出的实施方式中,第一绝缘层10可以具有硅氧化物层的单层结构。不仅第一绝缘层10,而且稍后描述的电路层dp_cl的绝缘层也可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。无机层可以包括以上提及的材料中的至少一种,然而,它不应限于此或由此限制。
98.第一晶体管t1的第三电极g1可以设置在第一绝缘层10上。第三电极g1可以是第一导电图案的一部分。第一晶体管t1的第三电极g1可以与沟道部分a1重叠。第一晶体管t1的第三电极g1可以在对第一半导体图案进行掺杂的工艺中用作掩模。
99.第二绝缘层20可以设置在第一绝缘层10上,并且可以覆盖第一晶体管t1的第三电极g1。第二绝缘层20可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。第二绝缘层20可以包括硅氧化物、硅氮化物和硅氮氧化物中的至少一种。在所示出的实施方式中,第二绝缘层20可以具有硅氧化物层和硅氮化物层的多层结构。
100.第三绝缘层30可以设置在第二绝缘层20上。第三绝缘层30可以具有单层结构或多层结构。在实施方式中,第三绝缘层30可以具有硅氧化物层和硅氮化物层的多层结构。存储电容器的上电极ue可以设置在第二绝缘层20与第三绝缘层30之间。此外,存储电容器的下电极(例如,第一晶体管t1的第三电极g1)可以设置在第一绝缘层10与第二绝缘层20之间。
101.在实施方式中,第二绝缘层20可以用绝缘图案代替。上电极ue可以设置在绝缘图案上。上电极ue可以在对第二绝缘层20进行图案化以形成绝缘图案的工艺中用作掩模。在这种情况下,绝缘图案可以具有与上电极ue的形状基本上相同的形状。
102.在实施方式中,第二半导体图案可以设置在第三绝缘层30上。第二半导体图案可以包括氧化物半导体。氧化物半导体可以包括根据金属氧化物是否被还原而彼此区分开的多个区。金属氧化物被还原的区(下文中也称为还原区)具有比金属氧化物未被还原的区(下文中也称为非还原区)的导电率大的导电率。还原区可以基本上用作晶体管的源极/漏极或信号线。非还原区可以基本上对应于晶体管的有源区(或半导体区或沟道)。换句话说,第二半导体图案的一部分可以是晶体管的有源区,第二半导体图案的另一部分可以是晶体管的源极区/漏极区,以及第二半导体图案的其它部分可以是信号传输区。
103.如图3b中所示,第三晶体管t3的第一电极s3、沟道部分a3和第二电极d3可以从第二半导体图案形成或提供。第一电极s3和第二电极d3可以包括从金属氧化物半导体还原的金属材料。第一电极s3和第二电极d3可以包括在第二半导体图案的上表面上具有预定的厚度并且包括还原的金属材料的金属层。
104.第四绝缘层40可以设置在第三绝缘层30上。第四绝缘层40可以公共地与像素重叠并且可以覆盖第二半导体图案。第四绝缘层40可以包括铝氧化物、钛氧化物、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、锆氧化物和铪氧化物中的至少一种。
105.第三晶体管t3的第三电极g3可以设置在第四绝缘层40上。第三电极g3可以是第三导电图案的一部分。第三晶体管t3的第三电极g3可以与第三晶体管t3的沟道部分a3重叠。第三晶体管t3的第三电极g3可以在对第二半导体图案进行掺杂的工艺中用作掩模。
106.在实施方式中,第四绝缘层40可以用绝缘图案代替。第三晶体管t3的第三电极g3可以设置在绝缘图案上。在这种情况下,绝缘图案可以在平面图中具有与第三电极g3的形状基本上相同的形状。在所示出的实施方式中,为了便于说明,示出了一个第三电极g3,然而,第三晶体管t3可以包括两个第三电极。
107.第五绝缘层50可以设置在第四绝缘层40上,并且可以覆盖第三晶体管t3的第三电极g3。第五绝缘层50可以是无机层和/或有机层,并且可以具有单层结构或多层结构。在实施方式中,第五绝缘层50可以包括硅氧化物层和硅氮化物层。第五绝缘层50可以包括多个硅氧化物层以及与硅氧化物层交替堆叠的多个硅氮化物层。
108.第一连接电极cne10可以设置在第五绝缘层50上。第一连接电极cne10可以经由穿过第一绝缘层10、第二绝缘层20、第三绝缘层30、第四绝缘层40和第五绝缘层50限定的接触孔ch1连接到连接信号线csl。
109.第六绝缘层60可以设置在第五绝缘层50上。第二连接电极cne20可以设置在第六绝缘层60上。第二连接电极cne20可以经由穿过第六绝缘层60限定的接触孔ch-60连接到第一连接电极cne10。第七绝缘层70可以设置在第六绝缘层60上,并且可以覆盖第二连接电极cne20。
110.第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每个可以是有机层。在实施方式中,第六绝缘层60和第七绝缘层70中的每个可以包括通用聚合物,诸如苯并环丁烯(“bcb”)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(“hmdso”)、聚甲基丙烯酸甲酯(“pmma”)、聚苯乙烯(“ps”)、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸基聚合物、酰亚胺基聚合物、芳基醚基聚合物、酰胺基聚合物、氟基聚合物、对二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物、或其混合物。
111.元件层dp_ed可以包括发光元件ed和像素限定层pdl。发光元件ed可以包括阳极ae、空穴控制层hcl、发光层eml、电子控制层ecl和阴极ce。
112.阳极ae可以设置在第七绝缘层70上。阳极ae可以经由穿过第七绝缘层70限定的接触孔ch-70连接到第二连接电极cne20。阳极ae可以是半透射电极、透射电极或反射电极。在实施方式中,阳极ae可以包括包含ag、mg、al、pt、pd、au、ni、nd、ir、cr或其组合的反射层以及形成或设置在该反射层上的透明或半透明电极层。透明或半透明电极层可以包括选自包括铟锡氧化物(“ito”)、铟锌氧化物(“izo”)、铟镓锌氧化物(“igzo”)、锌氧化物(zno)、铟氧化物(in2o3)和铝掺杂的锌氧化物(“azo”)的组中的至少一种。例如,阳极ae可以包括ito/ag/ito的堆叠结构。
113.像素限定层pdl可以设置在第七绝缘层70上。像素限定层pdl可以具有光吸收性质。在实施方式中,像素限定层pdl可以具有黑颜色。像素限定层pdl可以包括黑色着色剂。黑色着色剂可以包括黑色染料或黑色颜料。在实施方式中,黑色着色剂可以包括炭黑、苯胺黑、诸如铬的金属材料或金属材料的氧化物。像素限定层pdl可以通过将蓝色有机材料与黑色有机材料混合来形成或提供。像素限定层pdl还可以包括拒液有机材料。
114.发光元件ed的阳极ae的至少一部分可以通过像素限定层pdl的开口op暴露。发光区域pxa可以由像素限定层pdl的开口op限定。例如,在平面图中,像素可以在显示面板dp(参考图3a)中布置成预定的图案。布置有像素的区可以被定义为像素区,一个像素区可以包括发光区域pxa和与发光区域pxa相邻的非发光区域npxa。非发光区域npxa可以围绕发光区域pxa。
115.空穴控制层hcl可以跨发光区域pxa和非发光区域npxa公共地设置。诸如空穴控制层hcl的公共层可以跨像素公共地形成或设置。空穴控制层hcl可以包括空穴传输层和空穴注入层。
116.发光层eml可以设置在空穴控制层hcl上。发光层eml可以仅设置在与开口op对应的区域中。发光层eml可以被划分成多个部分,且发光层eml的这些部分可以分别设置在像素中。
117.在所示出的实施方式中,示出了图案化的发光层eml,然而,发光层eml可以跨像素公共地设置。在这种情况下,发光层eml可以生成白色光或蓝色光。此外,发光层eml可以具有多层结构。
118.电子控制层ecl可以设置在发光层eml上。电子控制层ecl可以包括电子传输层和电子注入层。发光元件ed的阴极ce可以设置在电子控制层ecl上。电子控制层ecl和阴极ce可以跨像素公共地设置。
119.封装层tfe可以设置在阴极ce上。封装层tfe可以覆盖像素。在所示出的实施方式中,封装层tfe可以直接覆盖阴极ce。在实施方式中,显示面板dp(参考图3a)还可以包括直接覆盖阴极ce的覆盖层。
120.封装层tfe可以设置在元件层dp_ed上。封装层tfe可以至少包括无机层或有机层。在实施方式中,封装层tfe可以包括两个无机层和设置在两个无机层之间的有机层。在实施方式中,诸如薄膜封装层的封装层tfe可以包括多个无机层以及与无机层交替堆叠的多个有机层。
121.封装层tfe的无机层可以保护发光元件ed免受湿气和氧气的影响,且封装层tfe的有机层可以保护发光元件ed免受诸如尘埃微粒的杂质的影响。封装层tfe的无机层可以包括硅氮化物层、硅氮氧化物层、硅氧化物层、钛氧化物层或铝氧化物层,然而,它不应受特别限制。封装层tfe的有机层可以包括丙烯酸基有机层,然而,它不应受特别限制。
122.图4a是根据本发明的层压设备lmd的一部分的实施方式的立体图。图4b和图4c是根据本发明的层压设备lmd的实施方式的剖视图。图4a是第一夹具zg1的立体图,图4b是示出层压设备lmd的截面的视图,该截面平行于由第一方向dr1和第三方向dr3限定的平面,以及图4c是示出层压设备lmd的截面的视图,该截面平行于由第二方向dr2和第三方向dr3限定的平面。
123.参考图4a至图4c,层压设备lmd可以包括第一夹具zg1(或上夹具)、垫pd(或施压
垫)、第二夹具zg2、夹持部240、第一施压部250、形状控制器260、第二施压部270和控制器ct。
124.第一夹具zg1可以包括底表面zgb以及从底表面zgb弯曲和延伸的第一侧表面zg1-s1、第二侧表面zg1-s2、第三侧表面zg1-s3和第四侧表面zg1-s4。容纳凹槽zgrh可以通过底表面zgb以及第一侧表面zg1-s1、第二侧表面zg1-s2、第三侧表面zg1-s3和第四侧表面zg1-s4限定在第一夹具zg1中。
125.第一夹具zg1可以朝向第二夹具zg2移动或者可以远离第二夹具zg2移动。在实施方式中,第一夹具zg1可以沿着基本上平行于第三方向dr3的方向移动。
126.第一夹具zg1的第一侧表面zg1-s1、第二侧表面zg1-s2、第三侧表面zg1-s3和第四侧表面zg1-s4可以具有不同的高度。在实施方式中,第一侧表面zg1-s1和第三侧表面zg1-s3可以具有相同的高度,例如第一高度ht1,且第二侧表面zg1-s2和第四侧表面zg1-s4可以具有相同的高度,例如第二高度ht2。第一高度ht1可以小于第二高度ht2。第一高度ht1可以指示夹具的包括第一侧表面zg1-s1的侧壁的高度,且第二高度ht2可以指示夹具的包括第二侧表面zg1-s2的侧壁的高度。
127.第一高度ht1可以对应于底表面zgb的与第一侧表面zg1-s1相邻的部分的深度,且第二高度ht2可以对应于底表面zgb的与第二侧表面zg1-s2相邻的另一部分的深度。
128.多个真空孔vh可以限定在第一夹具zg1的底表面zgb中。真空孔vh可以包括第一真空孔vh1和第二真空孔vh2。窗win(参考图2)可以通过真空孔vh固定到容纳凹槽zgrh。
129.盖构件cm可以不与真空孔vh中的至少一个真空孔(例如,真空孔vh2)重叠。第一真空孔vh1可以限定为真空孔vh中的与盖构件cm重叠的真空孔vh1,且第二真空孔vh2可以限定为真空孔vh中的不与盖构件cm重叠的真空孔vh2。图4b示出了当在第二方向dr2上观看时的三个真空孔vh1和vh2以及未被覆盖的一个第二真空孔vh2,然而,真空孔vh1和vh2的数量以及第二真空孔vh2的数量不应受特别限制。
130.垫pd可以设置在第一夹具zg1下方。垫pd可以包括弹性材料。在实施方式中,垫pd可以包括容易通过压力变形的材料,并且不应受特别限制。在实施方式中,垫pd可以包括硅树脂。
131.垫pd可以包括施压表面ps以及从施压表面ps弯曲和延伸的第一垫侧表面pd-s1、第二垫侧表面pd-s2、第三垫侧表面pd-s3和第四垫侧表面pd-s4。施压表面ps可以是垫pd的凸出上表面,并且可以和不与盖构件cm重叠的第二真空孔vh2接触。
132.侧表面凹槽pdsh可以限定在垫pd的分别与第二垫侧表面pd-s2和第四垫侧表面pd-s4相邻的部分中。侧表面凹槽pdsh可以设置成保持显示模块dm(参考图2)附接到其的载体膜300(参考图13a)。在可选的实施方式中,可以省略侧表面凹槽pdsh。在实施方式中,侧表面凹槽pdsh可以附加地限定在与第一垫侧表面pd-s1相邻的部分和与第三垫侧表面pd-s3相邻的部分中的至少一个中。
133.第二夹具zg2可以设置在垫pd之下。第二夹具zg2可以朝向第一夹具zg1移动垫pd,或者可以远离第一夹具zg1移动垫pd。在实施方式中,第二夹具zg2可以沿着平行于第三方向dr3的方向移动,直到垫pd接触第二真空孔vh2。第一区段st1可以限定为第一夹具zg1的底表面zgb与垫pd之间的距离。
134.夹持部240可以设置成多个,且夹持部240可以在第一方向dr1上布置并且可以彼
此间隔开。夹持部240可以夹持显示模块dm(参考图2)附接到其的载体膜300(参考图13a)。夹持部240可以用其它组件代替。在实施方式中,夹持部240可以用其中限定有预定凹槽的插入部代替。夹持部240可以朝向彼此移动或远离彼此移动。在实施方式中,夹持部240可以在基本上平行于第一方向dr1的方向上移动。
135.第一施压部250可以具有在第二方向dr2上延伸的棒形状。第一施压部250可以用于将与垫pd接触的载体膜300(参考图13a)保持成与垫pd密切接触。在实施方式中,第一施压部250可以具有与侧表面凹槽pdsh对应的形状。
136.形状控制器260可以设置在第二夹具zg2上,并且可以与垫pd相邻设置。在实施方式中,形状控制器260可以设置成多个,并且形状控制器260可以在垫pd插置于其间的情况下彼此间隔开。在实施方式中,形状控制器260可以在第二方向dr2上彼此间隔开。形状控制器260可以与第一垫侧表面pd-s1和第三垫侧表面pd-s3相邻设置。形状控制器260中的每个可以在第一方向dr1上延伸。
137.形状控制器260可以设置成面对第一夹具zg1的第一侧表面zg1-s1、第二侧表面zg1-s2、第三侧表面zg1-s3和第四侧表面zg1-s4中的具有相对低的高度的侧表面。在实施方式中,形状控制器260可以设置在面对第一侧表面zg1-s1的区域和面对第三侧表面zg1-s3的区域中。
138.形状控制器260可以在垫pd按压第一夹具zg1时控制垫pd的形状。形状控制器260可以具有比垫pd更刚硬的性质。在实施方式中,形状控制器260可以包括塑料材料。
139.当垫pd按压第一夹具zg1时,第二侧表面zg1-s2、第四侧表面zg1-s4和形状控制器260可以在垫pd充分地按压第一夹具zg1的容纳凹槽zgrh之前防止垫pd向外突出。因此,当使用垫pd层压两个目标物时,可以减小在两个目标物之间产生气泡的可能性,并且可以改善层压工艺的成品率。
140.第二施压部270可以设置为改变载体膜300(参考图13a)的形状。第二施压部270可以沿着基本上平行于第二方向dr2的方向移动。在可选的实施方式中,可以省略第二施压部270。
141.控制器ct可以包括确定零数据z-dt(参考图4d)的软件以及执行该软件的处理器或包括该处理器的计算机。控制器ct可以控制第一夹具zg1和第二夹具zg2的移动,可以控制对真空孔vh的操作,并且可以控制从真空孔vh对真空值vd(参考图4d)的测量。
142.控制器ct可以基于从第二真空孔vh2测量的真空值vd(参考图4d)来设定零数据z-dt(参考图4d)。零数据z-dt可以是与当垫pd接触第一夹具zg1以至少覆盖第二真空孔vh2时第一夹具zg1的位置和第二夹具zg2的位置有关的信息。在实施方式中,零数据z-dt可以是与第一夹具zg1的位置和第二夹具zg2的位置有关的信息,或者是与当第一目标构件tm1(参考图13c)和第二目标构件tm2(参考图13c)彼此接触并生成压力时的时刻处第二夹具zg2的位置有关的信息。稍后将描述设定零数据z-dt的过程。图4b和图4c中所示的层压设备lmd仅是实施方式中的一个,并且本发明不应限于此或由此限制。在实施方式中,以上描述的配置可以应用于利用真空值的变化来生成零数据的所有层压设备。
143.图4d是根据本发明的控制器ct的实施方式的框图。
144.参考图4b和图4d,控制器ct可以包括处理器pm、确定器jm和存储器mm。
145.处理器pm可以至少从真空孔vh2测量真空值vd,并且可以基于真空值vd来生成多
个数据vsd、vtd和zv。确定器jm可以基于数据vd、vsd、vtd和zv来设定零数据z-dt。存储器mm可以存储由处理器pm生成的数据vd、vsd、vtd和zv以及由确定器jm复位的零数据z-dt。
146.真空值vd可以根据第一夹具zg1与垫pd之间的相对位置来进行多次测量。在实施方式中,当第一夹具zg1和第二夹具zg2包括在第一区段st1中时,可以根据第一夹具zg1与第二夹具zg2之间的距离的变化来对真空值vd进行多次测量。
147.第二夹具zg2可以移动以允许垫pd靠近其中限定有第二真空孔vh2的底表面zgb,且处理器pm可以在垫pd靠近底表面zgb时多次测量真空值vd。当连续测量到相同的真空值vd时,可以将该相同的真空值vd定义为真空饱和数据vsd。
148.真空参考数据vtd可以被定义为通过用预定值校正真空饱和数据vsd而获得的数据。该预定值可以是允许在多次测量真空饱和数据vsd之后从不同的真空饱和数据vsd获得的z轴值zv具有在预定范围内的值的实验值。在实施方式中,预定值可以是约-1千帕(kpa)。
149.z轴值zv可以是在真空值vd具有对应于真空参考数据vtd的值的状态下当第二夹具zg2缓慢升高并且真空值vd改变为另一值时垫pd的施压表面(下文中,也称为上表面)ps的高度值。在实施方式中,z轴值zv可以是当对应于真空参考数据vtd的真空值vd改变为另一值时第二夹具zg2的z轴方向的坐标值。
150.零数据z-dt可以是z轴值zv或通过校正z轴值zv而获得的值。设定零数据z-dt的过程可以在第一夹具zg1的底表面zgb上没有窗win的情况下执行。因此,不同于使用层压设备lmd执行联接工艺的情况,可以生成与窗win的厚度对应的高度差。校正值可以对应于窗win的厚度值。也就是说,零数据z-dt可以对应于通过从z轴值zv减去窗win的厚度值而获得的值。
151.图5是根据本发明的第一夹具zg1的实施方式的平面图。
152.在图5中,示出限定第一夹具zg1的容纳凹槽zgrh(参考图4b)的底表面zgb以及第一侧表面zg1-s1、第二侧表面zg1-s2、第三侧表面zg1-s3和第四侧表面zg1-s4。
153.第一侧表面zg1-s1和第三侧表面zg1-s3可以在第一方向dr1上延伸,并且可以在第二方向dr2上彼此间隔开。第二侧表面zg1-s2和第四侧表面zg1-s4可以在第二方向dr2上延伸,并且可以在第一方向dr1上彼此间隔开。
154.在第一夹具zg1的厚度方向(例如,第三方向dr3)上观看的平面图中,底表面zgb可以具有四边形形状,然而,底表面zgb的形状不应限于四边形形状。底表面zgb的形状可以根据要层压的目标而改变。在实施方式中,底表面zgb可以具有圆形形状、多边形形状、椭圆形形状或不规则形状。
155.真空孔vh1和vh2可以由底表面zgb进行限定。第一盖构件cm-1可以至少覆盖真空孔vh1和vh2中的真空孔vh1。真空孔vh1和vh2可以包括与第一盖构件cm-1重叠的第一真空孔vh1和不与第一盖构件cm-1重叠的第二真空孔vh2。
156.在实施方式中,第一盖构件cm-1可以包括胶带,但不限于此。第一盖构件cm-1可以附接到除了第二真空孔vh2之外的第一真空孔vh1以精确地测量随着垫pd(参考图4b)上升而改变的真空值vd(参考图4d)。第一盖构件cm-1可以设置成多个,并且第一盖构件cm-1可以附接到第一真空孔vh1。
157.在第一盖构件cm-1包括胶带的情况下,可以容易地对第一盖构件cm-1进行附接和拆卸。因此,可以根据需要容易地改变未被第一盖构件cm-1覆盖的第一真空孔vh1的位置。
158.垫pd(参考图4b)的上表面ps(参考图4b)可以具有突出的形状,且第二真空孔vh2可以与垫pd的突出部分接触。在实施方式中,第二真空孔vh2可以沿着第二方向dr2限定并且可以彼此间隔开。在实施方式中,第一盖构件cm-1可以附接到第一夹具zg1以覆盖第一真空孔vh1,并且因此,可以从两个或更多个真空孔vh2测量真空值vd。
159.图5示出了二十二个第一真空孔vh1和二个第二真空孔vh2作为所示出的实施方式,然而,第一真空孔vh1的数量和第二真空孔vh2的数量不应受特别限制。在实施方式中,第一真空孔vh1和第二真空孔vh2的数量可以根据垫pd(参考图4b)的尺寸和形状而改变。然而,当垫pd包括突出的上表面ps(参考图4b)时,由于第二真空孔vh2的数量可能更多地增加,垫pd必须接触并且覆盖的真空孔vh2的数量可增加。结果,基于真空值vd(参考图4d)获得的零数据z-dt(参考图4d)的精度可能降低。因此,可以在使用第一盖构件cm-1阻挡除了与垫pd的上表面ps的最突出部分对应的真空孔或与垫pd的与上表面ps的最突出部分相邻的部分对应的真空孔之外的真空孔之后设定零数据z-dt。
160.图6是根据本发明的第一夹具zg1的实施方式的平面图。在图6中,相同的附图标记表示图5中的相同的元件,并且因此,将省略对相同的元件的详细描述。
161.参考图6,第二盖构件cm-2可以是穿过其限定有开口cm-op的设定窗。第二盖构件cm-2可以附接到第一夹具zg1的底表面zgb。第一真空孔vh1可以被第二盖构件cm-2覆盖,且第二真空孔vh2可以与开口cm-op重叠并且可以不被第二盖构件cm-2覆盖。
162.第二盖构件cm-2可以是具有固定形状的组件。因此,第二盖构件cm-2可以均匀地覆盖对于设定零数据z-dt不必要的多个第一真空孔vh1。此外,由于每当需要设定零数据z-dt(参考图4d)时都可以将具有固定形状的第二盖构件cm-2提供到底表面zgb,因此当提供第二盖构件cm-2时设定零数据z-dt的速度可以快于当提供第一盖构件cm-1(参考图5)时设定零数据z-dt的速度。
163.图7是根据本发明的制造显示装置的方法的实施方式的流程图。
164.参考图4b、图4d和图7,可以设定层压设备lmd的零数据z-dt(操作s100)。零数据z-dt也可以被称为零点或零值。层压设备lmd的控制器ct可以基于根据第一目标构件tm1(参考图13a)和第二目标构件tm2(参考图13a)从一些真空孔vh2测量的真空值vd来设定零数据z-dt。
165.在设定零数据z-dt之后,可以从层压设备lmd去除盖构件cm。然后,可以将第一目标构件tm1(参考图13a)设置在第一夹具zg1上,并且可以将第二目标构件tm2(参考图13a)设置在第二夹具zg2上。可以将第一目标构件tm1与第二目标构件tm2进行层压(s200)。第一目标构件tm1和第二目标构件tm2中的每个可以是显示装置dd(参考图1)的一部分。在实施方式中,第一目标构件tm1可以是窗win(参考图2),第二目标构件tm2可以包括显示模块dm(参考图2)和粘合层150(参考图2),且粘合层150(参考图2)可以是设置在第一目标构件tm1与第二目标构件tm2之间以将第一目标构件tm1和第二目标构件tm2彼此附接的粘合材料。
166.图8是示出根据本发明的设定零数据(操作s100)的实施方式的流程图。
167.参考图4b、图4d和图8,可以将盖构件cm附接到第一夹具zg1的底表面zgb(操作s110)。盖构件cm可以是包括胶带的第一盖构件cm-1(参考图5)或包括设定窗的第二盖构件cm-2(参考图6)。
168.参考图5,盖构件cm可以是胶带。可以将第一盖构件cm-1附接到通过第一夹具zg1
的底表面zgb限定的真空孔vh1和vh2中的除了至少一些真空孔vh2之外的真空孔vh1。
169.参考图6,盖构件cm可以是包括穿过其限定有开口cm-op的设定窗的第二盖构件cm-2。可以在对准第二盖构件cm-2使得设定窗的开口cm-op与真空孔vh2重叠之后,将第二盖构件cm-2附接到第一夹具zg1的底表面zgb。
170.可以向真空孔vh1和vh2移动垫pd(操作s120)。垫pd可以设置在第二夹具zg2上。可以沿着平行于第三方向dr3的方向移动第二夹具zg2,使得垫pd设置成与真空孔vh1和vh2相邻或接触真空孔vh1和vh2。
171.层压设备lmd的控制器ct可以基于从第二真空孔vh2测量的真空值vd来生成零数据z-dt。设定零数据z-dt可以包括基于从第二真空孔vh2测量的真空值vd来生成真空参考数据vtd(操作s130),基于真空参考数据vtd来生成z轴值zv(操作s140),以及将z轴值zv或校正后的z轴值zv设定为零数据z-dt(操作s150)。稍后将描述设定零数据z-dt的细节。
172.当垫pd和第一夹具zg1的底表面zgb彼此接近时,真空值vd可以是恒定的,且当垫pd和底表面zgb彼此接触时,真空值vd可以改变。因此,生成真空参考数据vtd(操作s130)可以是在垫pd接近底表面zgb的状态下指定垫pd的位置的操作。当在没有生成真空参考数据vtd(操作s130)的情况下第二夹具zg2连续地移动时,真空值vd继续增加。结果,可能无法确定垫pd到底表面zgb有多近,并且可能难以设定零数据z-dt。
173.图9是示出根据本发明的生成真空参考数据vtd(操作s130)的实施方式的流程图。图10是生成真空参考数据vtd的层压设备lmd的视图。
174.参考图4d、图9和图10,当第一夹具zg1与垫pd之间的距离st1(参考图4b)等于或小于预定距离时,可以测量真空值vd(操作s131)。第一夹具zg1可以沿着与第三方向dr3相反的方向移动。当第一夹具zg1的移动完成时,第二夹具zg2可以沿着第三方向dr3移动。第二夹具zg2可以移动直到第一夹具zg1与垫pd之间的距离st1等于或小于预定距离,并且然后,可以测量真空值vd。预定距离可以是可以测量到对应于真空饱和数据vsd的真空值vd的区段的近似距离。预定距离可以从实验值获得。
175.在测量真空值vd之后,第二夹具zg2可以沿着与第三方向dr3相反的方向移动,并且第一夹具zg1可以沿着第三方向dr3移动。也就是说,层压设备lmd可以返回到其操作之前的初始状态。然后,第一夹具zg1可以沿着与第三方向dr3相反的方向移动,并且当第一夹具zg1的移动完成时,第二夹具zg2可以沿着第三方向dr3移动以多次测量真空值vd。每当测量真空值vd时都可以重复第一夹具zg1和第二夹具zg2的移动。
176.控制器ct可以确定多次测量的真空值vd是否具有始终相同的值(操作s132)。当连续测量到相同的值时,可以将所测量的相同的真空值设定为真空饱和数据vsd(操作s133)。当连续测量的真空值不相同时,可以再次测量真空值vd。当真空值vd具有始终相同的值时,其可以指示垫pd接近第一夹具zg1的底表面zgb并且垫pd可以不与第一夹具zg1的底表面zgb接触。
177.处理器pm可以用预定值校正真空饱和数据vsd以生成真空参考数据vtd(操作s134)。预定值可以是允许从通过多次测量真空饱和数据vsd而获得的不同真空饱和数据vsd导出的z轴值zv具有在预定范围内的值的实验值。在实施方式中,预定值可以是-1kpa。
178.图11是示出根据本发明的生成z轴值zv(操作s140)的实施方式的流程图。图12是根据本发明的生成z轴值zv的层压设备lmd的实施方式的视图。
179.参考图4d、图11和图12,可以沿着第三方向dr3移动第二夹具zg2,直到真空值vd变成对应于真空参考数据vtd的值(操作s141)。移动第二夹具zg2(操作s141)可以被称为第一移动操作s141。第一夹具zg1可以沿着与第三方向dr3相反的方向移动预定距离,并且然后第二夹具zg2可以沿着第三方向dr3移动,直到真空值vd对应于真空参考数据vtd。
180.在第一移动操作s141之后,可以沿着第三方向dr3移动第二夹具zg2,直到具有对应于真空参考数据vtd的值的真空值vd改变为另一值(操作s142)。移动第二夹具zg2(操作s142)可以被称为第二移动操作s142。
181.第一移动操作s141可以是将垫pd移动成接近底表面zgb的操作,且第二移动操作s142可以是移动垫pd直到垫pd接触底表面zgb的第二真空孔vh2的操作。第二夹具zg2在第一移动操作s141中的移动速度可以不同于第二夹具zg2在第二移动操作s142中的移动速度。在实施方式中,第二夹具zg2在第一移动操作s141中的移动速度可以快于第二夹具zg2在第二移动操作s142中的移动速度。
182.控制器ct可以将当真空值vd从对应于真空参考数据vtd的值改变为另一值时垫pd的上表面ps的高度值(或施压表面ps的高度值)生成为z轴值zv(操作s143)。可以基于z轴值zv来设定零数据z-dt。
183.图13a至图13e是根据本发明的显示装置的制造方法的一些工艺的实施方式的视图。
184.图13a示出了层压设备的初始状态。在本发明中,初始状态可以意指夹持部240夹持第二目标构件tm2附接到其的载体膜300并且第一目标构件tm1与第二目标构件tm2间隔开的状态。
185.参考图13a,可以将第一目标构件tm1放置在第一夹具zg1的容纳凹槽zgrh中。第一目标构件tm1可以是窗win(参考图2)。容纳凹槽zgrh的一部分可以具有与第一目标构件tm1的形状对应的形状。
186.设置在垫pd上的显示模块dm和粘合层150可以被定义为第二目标构件tm2。载体膜300可以附接到显示模块dm的后表面,且粘合层150可以附接到显示模块dm的上表面。图13a示出了粘合层150被施加到显示模块dm的上表面的实施方式,然而,本发明不应限于此或由此限制。在实施方式中,粘合层150可以设置在第一目标构件tm1的下表面上。载体膜300和粘合层150可以附接到显示模块dm的非弯曲区域nba(参考图2)。
187.显示模块dm可以固定到夹持部240。在实施方式中,夹持部240可以夹持载体膜300。也就是说,显示模块dm可以使用载体膜300间接地固定到夹持部240,而不直接固定到夹持部240。因此,可以防止在显示模块dm中发生由夹持部240的夹持操作引起的损坏。当夹持部240彼此靠近时,显示模块dm可以弯曲成弧形形状。在实施方式中,当在截面中观察时,显示模块dm可以弯曲成抛物线形状。
188.可以在第一夹具zg1和第二夹具zg2彼此靠近的同时执行层压工艺。也就是说,第一夹具zg1和第二夹具zg2可以随着第一夹具zg1下降、随着第二夹具zg2上升、或者随着第一夹具zg1下降并且第二夹具zg2上升而彼此靠近。在下文中,为了便于说明,将描述第一夹具zg1不移动并且第二夹具zg2上升的情况作为所示出的实施方式。
189.参考图13b,随着第二夹具zg2上升,显示模块dm的下表面可以与垫pd接触。垫pd可以具有弹性,并且可以在与显示模块dm接触时由于施加至其的压力而改变形状。也就是说,
当第二夹具zg2上升时,显示模块dm的下表面可以与垫pd面接触。
190.参考图13c,随着第二夹具zg2上升,设置在载体膜300上的第二目标构件tm2可以首先与第一目标构件tm1的中央部分接触。在这种情况下,第一目标构件tm1的平面可以与在中央部分处具有抛物线形状的第二目标构件tm2的粘合层150线接触。也就是说,可以在第一目标构件tm1和粘合层150中形成或提供粘合线cl。
191.粘合线cl可以是与在层压工艺开始之前设定的零数据z-dt对应的位置。在层压工艺开始之前设定的零数据z-dt可以使用与垫pd的上表面ps(参考图13a)的最突出部分接触的真空孔vh2来设定。因此,当第二夹具zg2移动成与零数据z-dt对应时,可以形成或提供粘合线cl,其中,第二目标构件tm2的最突出部分在该粘合线cl处接触第一目标构件tm1。形成粘合线cl的时间点可以对应于第一目标构件tm1和第二目标构件tm2被按压的时间点。也就是说,根据本发明,由于与第一目标构件tm1和第二目标构件tm2被按压的时间点对应的零数据z-dt基于真空值vd而复位,因此可以去除与对第一目标构件tm1和第二目标构件tm2的按压程度相关的缺陷。
192.参考图13d,在第二目标构件tm2接触第一目标构件tm1之后,夹持部240可以在夹持部240彼此靠近的方向移动。因此,载体膜300、显示模块dm和粘合层150可以弯曲。夹持部240彼此靠近的方向可以基本上平行于第一方向dr1,且显示模块dm可以相对于第三方向dr3弯曲。在实施方式中,显示模块dm的非弯曲区域nba(参考图2)可以相对于第三方向dr3弯曲。
193.第一施压部250可以将与垫pd接触的载体膜300保持成与垫pd密切接触。此外,第一施压部250可以改变载体膜300的形状。
194.在显示模块dm弯曲之后,可以在朝向第一夹具zg1的方向上移动垫pd和第二夹具zg2。朝向第一夹具zg1的方向可以基本上平行于第三方向dr3。随着第二夹具zg2上升,第一目标构件tm1与第二目标构件tm2之间的接触面积可以从粘合线cl向两侧增加。也就是说,第一目标构件tm1可以与第二目标构件tm2面接触。第一目标构件tm1和第二目标构件tm2可以从它们的中央部分朝向它们的两侧逐渐地彼此附接。
195.载体膜300可以与垫pd接触,并且垫pd可以向第三方向dr3按压载体膜300、显示模块dm和粘合层150。因此,载体膜300、显示模块dm和粘合层150中的每个的形状可以改变成对应于垫pd的形状。然后,可以使用第一施压部250将载体膜300固定到垫pd。垫pd和第二夹具zg2可以向朝向第一夹具zg1的方向按压显示模块dm,使得显示模块dm被层压到第一目标构件tm1。
196.参考图13e,随着第二夹具zg2上升,第一目标构件tm1、第二目标构件tm2和垫pd的上表面ps可以完全地彼此重叠。此外,垫pd的上表面ps可以具有弯曲的形状以对应于第一目标构件tm1的形状或显示模块dm的形状。当第一目标构件tm1和第二目标构件tm2完全地彼此附接时,层压工艺完成。
197.不同于本发明的实施方式,当层压目标改变或者因施压程度而发生垫的缺陷时,技术人员可以手动复位层压设备。在这种情况下,由于手动测量而增加了发生错误的概率,在测量中花费太多的时间,并且当垫的高度由于垫的重复附接和拆卸而降低时,可能无法监控产品的质量。
198.根据本发明,即使层压目标改变或者垫的形状由于垫的重复使用而改变,也可以
基于真空值来复位零数据(或零值)。零数据可以由层压设备的控制器自动设定,并且因此这可以结合系统来系统地执行,可以提高零数据的管理精度。也就是说,可以基于真空值自动设定层压设备。因此,可以减小设定值(例如,零数据)的误差,并且与当手动设定层压设备时所需的时间相比,可以减少设定层压设备所需的时间。此外,可以通过反映由垫的重复使用而引起的垫高度的改变来校正z轴值。
199.此外,根据本公开,由于基于真空值来设定零数据,因此可以减小零数据的误差。相应地,可以减少或去除与施压程度相关的缺陷,例如面板裂纹、灰斑、气泡等。
200.尽管已经描述了本发明的实施方式,但是应当理解,本发明不应限于这些实施方式,而是在要求保护的本发明的精神和范围内,可以由本领域的普通技术人员做出各种改变和变型。因此,所公开的主题不应限于本文中所描述的任何单个实施方式,并且本发明的范围应根据所附权利要求书来确定。
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