一种太阳能电池及其制作方法、电池组件、光伏系统与流程

1.本技术属于太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池及其制作方法、电池组件、光伏系统。


背景技术：

2.太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。
3.相关技术中通常采用高温炉或者原子层沉积、等离子化学气相沉积等方法制备氧化硅、氧化铝和氮化硅等多层钝化层，从而对太阳能电池的表面进行钝化。然而如此，工艺较为复杂，需要采用多种设备来制备表面钝化层。
4.基于此，如何设计太阳能电池以简化钝化结构的工艺和设备，成为了亟待解决的问题。


技术实现要素：

5.本技术提供一种太阳能电池及其制作方法、电池组件、光伏系统，旨在解决如何设计太阳能电池以简化钝化结构的工艺和设备的问题。
6.第一方面，本技术提供的太阳能电池，包括：
7.硅衬底；
8.依次设于所述硅衬底的第一区域的p型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，所述第一电极穿过所述第一表面钝化层和所述硼硅玻璃层，并与所述p型半导体层接触；
9.依次设于所述硅衬底的第二区域的n型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，所述第二电极穿过所述第二表面钝化层和所述磷硅玻璃层，并与所述n型半导体层接触。
10.可选地，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm-20nm；
11.和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm-20nm。
12.可选地，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm-9nm；
13.和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm-9nm。
14.可选地，所述p型半导体层与所述硅衬底之间设有第一界面钝化层。
15.可选地，所述p型半导体层为p型多晶硅层。
16.可选地，所述n型半导体层与所述硅衬底之间设有第二界面钝化层。
17.可选地，所述n型半导体层为n型多晶硅层。
18.可选地，所述磷硅玻璃层中，磷的质量分数百分比为0.05％-20％；
19.和/或，所述硼硅玻璃层中，硼的质量分数百分比为0.05％-20％。
20.第二方面，本技术提供的太阳能电池的制作方法，包括：
21.在硅衬底的第一区域制备p型半导体层，并同时在所述p型半导体层上形成硼硅玻
璃层；
22.在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层，并同时在所述n型半导体层上形成磷硅玻璃层；
23.在所述硼硅玻璃层上制作第一表面钝化层；
24.在所述磷硅玻璃层上制作第二表面钝化层；
25.在所述第一表面钝化层上制作第一电极，所述第一电极穿过所述第一表面钝化层和所述硼硅玻璃层，并与所述p型半导体层接触；
26.在所述第二表面钝化层上制作第二电极，所述第二电极穿过所述第二表面钝化层和所述磷硅玻璃层，并与所述n型半导体层接触。
27.可选地，所述在硅衬底的第一区域制备p型半导体层的步骤中，通入氧气的氧化时间为0.2h-4h；
28.和/或，所述在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层的步骤中，通入氧气的氧化时间为0.2h-4h。
29.可选地，所述在硅衬底的第一区域制备p型半导体层的步骤中，氧化温度为700℃-1000℃；
30.和/或，所述在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层的步骤中，氧化温度为700℃-1000℃。
31.可选地，在所述在硅衬底的第一区域制备p型半导体层的步骤之前，所述制作方法包括：
32.在所述硅衬底的第一区域制备第一界面钝化层；
33.在硅衬底的第一区域制备p型半导体层，包括：
34.在所述第一界面钝化层上制备所述p型半导体层。
35.可选地，在所述在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层的步骤之前，所述制作方法包括：
36.在所述硅衬底的第二区域制备第二界面钝化层；
37.在所述硅衬底的第二区域制备n型半导体层，包括：
38.在所述第二界面钝化层上制备所述n型半导体层。
39.第三方面，本技术提供的太阳能电池，采用上述任一项的太阳能电池的制作方法制成。
40.第四方面，本技术提供的电池组件包括上述任一项所述的太阳能电池。
41.第五方面，本技术提供的光伏系统，包括上述的电池组件。
42.本技术实施例的太阳能电池及其制作方法、电池组件、光伏系统，由于在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作p型半导体层和n型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
附图说明
43.图1是本技术一实施例的太阳能电池的结构示意图；
44.图2是本技术一实施例的太阳能电池的结构示意图；
45.图3是本技术一实施例的太阳能电池的结构示意图；
46.图4是本技术一实施例的太阳能电池的结构示意图；
47.图5是本技术一实施例的太阳能电池的结构示意图；
48.图6是本技术一实施例的太阳能电池的结构示意图；
49.图7是本技术一实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图；
50.图8是本技术一实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图；
51.图9是本技术一实施例的太阳能电池的制作方法的流程示意图；
52.主要元件符号说明：
53.太阳能电池100、硅衬底101；第一区域110、第一界面钝化层111、p型半导体层112、硼硅玻璃层113、第一表面钝化层114、第一电极115；第二区域120、第二界面钝化层121、n型半导体层122、磷硅玻璃层123、第二表面钝化层124、第二电极125。
具体实施方式
54.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
55.本技术中，在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作p型半导体层和n型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
56.实施例一
57.请参阅图1，本技术实施例的太阳能电池100，包括：
58.硅衬底101；
59.依次设于硅衬底101的第一区域110的p型半导体层112、硼硅玻璃层113、第一表面钝化层114和第一电极115，第一电极115穿过第一表面钝化层114和硼硅玻璃层113，并与p型半导体层112接触；
60.依次设于硅衬底101的第二区域120的n型半导体层122、磷硅玻璃层123、第二表面钝化层124和第二电极125，第二电极125穿过第二表面钝化层124和磷硅玻璃层123，并与n型半导体层122接触。
61.本技术实施例的太阳能电池100，由于在硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123分别在制作p型半导体层112和n型半导体层122时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
62.具体地，硅衬底101可为p型硅衬底，也可为n型硅衬底。
63.具体地，请参阅图1，第一区域110和第二区域120可位于硅衬底101的两面，换言之，太阳能电池100可为双面接触电池；请参阅图2和图3，第一区域110和第二区域120也可交错地位于硅衬底101的同一面，换言之，太阳能电池100可为背接触电池。
64.具体地，p型半导体层112可通过扩散形成。如此，可在形成p型半导体的同时，形成硼硅玻璃层113，从而简化钝化结构制备的工艺和设备。
65.具体地，第一表面钝化层114为氮化硅层。如此，可以在减反射的同时，h离子会结
合悬挂键，减少复合中心，起到钝化的效果。
66.在其他的实施例中，第一表面钝化层114也可为氧化铝层、氮化硅层、氮氧化硅层、碳化硅层、非晶硅层及氧化硅层中的一种或多种组合。
67.具体地，第一表面钝化层114可为一层或多层。在第一表面钝化层114为多层的情况下，相邻两层第一表面钝化层114的折射率不同。如此，可以通过折射率不同的第一表面钝化层114，形成梯度消光，从而提高减反射的效果。
68.具体地，第一电极115可为银电极、铜电极、铝电极、锡包铜电极或银包铜电极。
69.具体地，n型半导体层122可通过扩散形成。如此，可在形成n型半导体的同时，形成磷硅玻璃层123，从而简化钝化结构制备的工艺和设备。
70.具体地，第二表面钝化层124为氮化硅层。如此，可以在减反射的同时，h离子会结合悬挂键，减少复合中心，起到钝化的效果。
71.在其他的实施例中，第二表面钝化层124也可为氧化铝层、氮化硅层、氮氧化硅层、碳化硅层、非晶硅层及氧化硅层中的一种或多种组合。
72.具体地，第二表面钝化层124可为一层或多层。在第二表面钝化层124为多层的情况下，相邻两层第二表面钝化层124的折射率不同。如此，可以通过折射率不同的第二表面钝化层124，形成梯度消光，从而提高减反射的效果。
73.具体地，第二电极125可为银电极、铜电极、铝电极、锡包铜电极或银包铜电极。
74.请注意，在第一区域110和第二区域120交错地位于硅衬底101的同一面的情况下，第一表面钝化层114和第二表面钝化层124可分别设置，相互间隔，如图2所示，第一表面钝化层114和第二表面钝化层124也可为一体的背面表面钝化层，如图3所示。
75.具体地，在图3的示例中，硅衬底101的正面还可形成正面表面钝化层。如此，可以提高硅衬底101的正面的钝化效果，有利于提高光电转换效率。关于正面表面钝化层的解释和说明可参照前文关于第一表面钝化层114和第二表面钝化层124的解释和说明，为避免冗余，在此不再赘述。
76.实施例二
77.在一些可选实施例中，硼硅玻璃层113的厚度为1nm-20nm。例如为1nm、2nm、5nm、10nm、15nm、18nm、20nm。
78.如此，使得硼硅玻璃层113的厚度处于合适范围，可以避免硼硅玻璃层113的厚度过大导致的h离子难以穿过，从而避免氢钝化效果过差，也可以避免硼硅玻璃层113的厚度过小导致的化学钝化效果过差，使得钝化的整体效果较好，有利于提高光电转换效率。
79.在一些可选实施例中，磷硅玻璃层123的厚度为1nm-20nm。例如为1nm、2nm、5nm、10nm、15nm、18nm、20nm。
80.如此，使得磷硅玻璃层123的厚度处于合适范围，可以避免磷硅玻璃层123的厚度过大导致的h离子难以穿过，从而避免氢钝化效果过差，也可以避免磷硅玻璃层123的厚度过小导致的化学钝化效果过差，使得钝化的整体效果较好，有利于提高光电转换效率。
81.在一些可选实施例中，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123的厚度均为1nm-20nm。
82.如此，使得硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123的厚度均处于合适范围，可以避免厚度过大导致的h离子难以穿过，从而避免氢钝化效果过差，也可以避免厚度过小导致的化学钝化效果过差，使得钝化的整体效果较好，有利于提高光电转换效率。
83.请注意，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123的厚度，可以相同，也可以不同。在此不对硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123的厚度关系进行限定。
84.实施例三
85.在一些可选实施例中，硼硅玻璃层113的厚度为1nm-9nm。例如为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm。
86.如此，使得硼硅玻璃层113的厚度处于更加合适的范围，使得钝化的整体效果更好，有利于更好地提高光电转换效率。
87.在一些可选实施例中，磷硅玻璃层123的厚度为1nm-9nm。例如为1nm、2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm。
88.如此，使得磷硅玻璃层123的厚度处于更加合适的范围，使得钝化的整体效果更好，有利于更好地提高光电转换效率。
89.在一些可选实施例中，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123的厚度均为1nm-9nm。
90.如此，使得硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123的厚度均处于更加合适的范围，使得钝化的整体效果更好，有利于更好地提高光电转换效率。
91.请注意，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123的厚度，可以相同，也可以不同。在此不对硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123的厚度关系进行限定。
92.实施例四
93.请参阅图4，在一些可选实施例中，p型半导体层112与硅衬底101之间设有第一界面钝化层111。如此，可以通过第一界面钝化层111实现钝化，有利于提高光电转换效率。
94.具体地，第一界面钝化层111包括本征非晶硅层、本征多晶硅层、本征纳米晶硅层、本征混晶硅层、氧化硅层、氧化铝层、氮氧化硅层、碳化硅层、碳氮氧化硅层中的至少一种。如此，提供了多种形式的第一界面钝化层111，可适应更多的应用场景。
95.优选地，第一界面钝化层111包括氧化层和碳化硅层，此时氧化层和碳化硅层由硅衬底101向外依次排列。进一步的，氧化层优选为氧化硅层、氧化铝层中的一层或多层。碳化硅层优选为氢化碳化硅层。如此，氢化碳化硅层中的氢，在进入硅衬底101中，使得中和硅衬底101的悬挂键，将硅衬底101的缺陷钝化好。
96.实施例五
97.在一些可选实施例中，p型半导体层112为p型多晶硅层。
98.如此，导电效果较好，与第一电极115的电性接触较好，有利于提高光电转换效率。而且，p型多晶硅层结合第一界面钝化层111形成有效钝化接触，有效地将掺杂层和硅衬底101分离，消除了俄歇复合，具有极低的复合。另外，p型多晶硅层具有优异的导电性，具有低接触电阻，从而使得太阳能电池100具有更高的光电转换效率。
99.可以理解，p型半导体层112可为直接形成在硅衬底101上的p型扩散层，如图1所示；p型半导体层112也可以是形成在第一界面钝化层111上的p型多晶硅层，如图4所示。
100.实施例六
101.请参阅图5，在一些可选实施例中，n型半导体层122与硅衬底101之间设有第二界面钝化层121。如此，可以通过第二界面钝化层121实现钝化，有利于提高光电转换效率。
102.具体地，第二界面钝化层121包括本征非晶硅层、本征多晶硅层、本征纳米晶硅层、本征混晶硅层、氧化硅层、氧化铝层、氮氧化硅层、碳化硅层、碳氮氧化硅层中的至少一种。
如此，提供了多种形式的第二界面钝化层121，可适应更多的应用场景。
103.优选地，第二界面钝化层121包括氧化层和碳化硅层，此时氧化层和碳化硅层由硅衬底101向外依次排列。进一步的，氧化层优选为氧化硅层、氧化铝层中的一层或多层。碳化硅层优选为氢化碳化硅层。如此，氢化碳化硅层中的氢，在进入硅衬底101中，使得中和硅衬底101的悬挂键，将硅衬底101的缺陷钝化好。
104.请参阅图6，太阳能电池100包括第一界面钝化层111和第二界面钝化层121。如此，可以通过第一界面钝化层111和第二界面钝化层121实现钝化，有利于进一步提高光电转换效率。
105.实施例七
106.在一些可选实施例中，n型半导体层122为n型多晶硅层。
107.如此，导电效果较好，与第二电极125的电性接触较好，有利于提高光电转换效率。而且，n型多晶硅层结合第二界面钝化层121形成有效钝化接触，有效地将掺杂层和硅衬底101分离，消除了俄歇复合，具有极低的复合。另外，n型多晶硅层具有优异的导电性，具有低接触电阻，从而使得太阳能电池100具有更高的光电转换效率。
108.可以理解，n型半导体层122可为直接形成在硅衬底101上的p型扩散层，如图1所示；n型半导体层122也可以是形成在第二界面钝化层121上的n型多晶硅层，如图4所示。
109.实施例八
110.在一些可选实施例中，磷硅玻璃层123中，磷的质量分数百分比为0.05％-20％。例如为0.05％、0.08％、0.1％、0.5％、0.8％、1％、5％、8％、10％、12％、15％、20％。
111.如此，使得磷硅玻璃层123中磷的含量处于合适范围，可以避免磷含量过低导致影响到同时形成的n型半导体层122的功能，也可以避免磷含量过高导致的磷硅玻璃层123容易受潮。
112.在一些可选实施例中，硼硅玻璃层113中，硼的质量分数百分比为0.05％-20％。例如为0.05％、0.08％、0.1％、0.5％、0.8％、1％、5％、8％、10％、12％、15％、20％。
113.如此，使得硼硅玻璃层113中硼的含量处于合适范围，可以避免硼含量过低导致影响到同时形成的p型半导体层112的功能，也可以避免硼含量过高导致的硼硅玻璃层113容易受潮。同时，可以消除p型半导体层112的富硼层，降低表面复合，有利于后续湿法工艺进行刻蚀。
114.实施例九
115.请参阅图7，本技术实施例的太阳能电池100的制作方法，包括：
116.步骤s12：在硅衬底101的第一区域110制备p型半导体层112，并同时在p型半导体层112上形成硼硅玻璃层113；
117.步骤s14：在硅衬底101的第二区域120制备n型半导体层122，并同时在n型半导体层122上形成磷硅玻璃层123；
118.步骤s15：在硼硅玻璃层113上制作第一表面钝化层114；
119.步骤s16：在磷硅玻璃层123上制作第二表面钝化层124；
120.步骤s17：在第一表面钝化层114上制作第一电极115，第一电极115穿过第一表面钝化层114和硼硅玻璃层113，并与p型半导体层112接触；
121.步骤s18：在第二表面钝化层124上制作第二电极125，第二电极125穿过第二表面
钝化层124和磷硅玻璃层123，并与n型半导体层122接触。
122.本技术实施例的太阳能电池100的制作方法，由于在硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123分别在制作p型半导体层112和n型半导体层122时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
123.具体地，硅衬底101可为p型硅衬底，也可为n型硅衬底。
124.具体地，请参阅图1，第一区域110和第二区域120可位于硅衬底101的两面，换言之，太阳能电池100可为双面接触电池；请参阅图2和图3，第一区域110和第二区域120也可交错地位于硅衬底101的同一面，换言之，太阳能电池100可为背接触电池。
125.具体地，在步骤s12之前，可对硅衬底101进行制绒。如此，可在硅衬底101形成金字塔状的绒面，从而可以减少对太阳光的反射，有利于提高光电转换效率。
126.具体地，在步骤s12中，可通过扩散工艺，在硅衬底101的第一区域110制备p型半导体层112，并同时在p型半导体层112上形成硼硅玻璃层113。进一步地，硼源为三溴化硼。
127.具体地，在步骤s14中，可通过扩散工艺，在硅衬底101的第二区域120制备n型半导体层122，并同时在n型半导体层122上形成磷硅玻璃层123。进一步地，磷源为三氯氧磷。
128.具体地，磷扩散的通磷量为300mg/min-400mg/min，扩散温度为800℃-850℃，扩散时间为2min-4min。进一步地，磷扩散的通磷量例如为300mg/min、320mg/min、350mg/min、380mg/min、400mg/min。扩散温度例如为800℃、810℃、825℃、840℃、850℃。扩散时间例如为2min、2.5min、3min、3.5min、4min。
129.如此，使得磷扩散的各项参数处于合适范围，即使不采用掩膜遮挡第一区域110的p型半导体层112和硼硅玻璃层113，也可以避免磷深入硼硅玻璃层113，使得磷只在硼硅玻璃层113的表层微微掺杂，便于去除。可以理解，可采用激光、湿法刻蚀等工艺，去除附着在硼硅玻璃层113的表层的磷。
130.具体地，可在步骤s12前，在硅衬底101覆盖第一掩膜，露出第一区域110，遮挡第二区域120。如此，保证p型半导体层112和硼硅玻璃层113形成在第一区域110，不会形成在第二区域120影响到第二区域120的膜层。
131.具体地，也可在步骤s12中，在第一区域110和第二区域120均形成p型半导体层112和硼硅玻璃层113，再去除第一区域110以外的p型半导体层112和硼硅玻璃层113。如此，保证p型半导体层112和硼硅玻璃层113形成在第一区域110，不会形成在第二区域120影响到第二区域120的膜层。进一步地，可利用激光刻蚀、湿法刻蚀等工艺，去除第一区域110以外的p型半导体层112和硼硅玻璃层113。
132.具体地，可在步骤s14前，在硅衬底101覆盖第二掩膜，露出第二区域120，遮挡第一区域110。如此，保证n型半导体层122和磷硅玻璃层123形成在第二区域120，不会形成在第一区域110影响到第一区域110的膜层。
133.具体地，也可在步骤s14中，在第一区域110和第二区域120均形成n型半导体层122和磷硅玻璃层123，再去除第二区域120以外的n型半导体层122和磷硅玻璃层123。如此，保证n型半导体层122和磷硅玻璃层123形成在第二区域120，不会形成在第一区域110影响到第一区域110的膜层。进一步地，可利用激光刻蚀、湿法刻蚀等工艺，去除第二区域120以外的n型半导体层122和磷硅玻璃层123。
134.具体地，可通过pecvd工艺制作第一表面钝化层114和/或第二表面钝化层124。可以理解，pecvd工艺是等离子体增强化学的气相沉积法(plasma enhanced chemical vapor deposition)。pecvd工艺要求的基本温度低，可以避免高温损伤硅片。而且，pecvd工艺的成膜质量好，有利于提高第一表面钝化层114和/或第二表面钝化层124的品质，从而使得钝化效果更好。
135.实施例十
136.在一些可选实施例中，在步骤s12中，通入氧气的氧化时间为0.2h-4h。例如为0.2h、0.5h、1h、1.5h、1.8h、2h、2.5h、3h、3.5h、4h。
137.如此，使得氧化时间处于合适范围，从而使得硼硅玻璃层113中硼的含量处于合适范围，可以避免硼含量过低导致影响到同时形成的p型半导体层112的功能，也可以避免硼含量过高导致的硼硅玻璃层113容易受潮。同时，可以消除p型半导体层112的富硼层，降低表面复合，有利于后续湿法工艺进行刻蚀。
138.在一些可选实施例中，在步骤s14中，通入氧气的氧化时间为0.2h-4h。例如为0.2h、0.5h、1h、1.5h、1.8h、2h、2.5h、3h、3.5h、4h。
139.如此，使得氧化时间处于合适范围，从而使得磷硅玻璃层123中磷的含量处于合适范围，可以避免磷含量过低导致影响到同时形成的n型半导体层122的功能，也可以避免磷含量过高导致的磷硅玻璃层123容易受潮。
140.实施例十一
141.在一些可选实施例中，在步骤s12中，氧化温度为700℃-1000℃。例如为700℃、710℃、750℃、800℃、850℃、900℃、980℃、1000℃。
142.如此，使得氧化温度处于合适范围，从而使得硼硅玻璃层113中硼的含量处于合适范围，可以避免硼含量过低导致影响到同时形成的p型半导体层112的功能，也可以避免硼含量过高导致的硼硅玻璃层113容易受潮。同时，可以消除p型半导体层112的富硼层，降低表面复合，有利于后续湿法工艺进行刻蚀。
143.在一些可选实施例中，在步骤s14中，氧化温度为700℃-1000℃。例如为700℃、710℃、750℃、800℃、850℃、900℃、980℃、1000℃。
144.如此，使得氧化温度处于合适范围，从而使得磷硅玻璃层123中磷的含量处于合适范围，可以避免磷含量过低导致影响到同时形成的n型半导体层122的功能，也可以避免磷含量过高导致的磷硅玻璃层123容易受潮。
145.实施例十二
146.请参阅图8，在一些可选实施例中，在步骤s12之前，制作方法包括：
147.步骤s11：在硅衬底101的第一区域110制备第一界面钝化层111；
148.步骤s12包括：
149.步骤s121：在第一界面钝化层111上制备p型半导体层112。
150.如此，可以通过第一界面钝化层111实现钝化，有利于提高光电转换效率。
151.具体地，第一界面钝化层111包括本征非晶硅层、本征多晶硅层、本征纳米晶硅层、本征混晶硅层、氧化硅层、氧化铝层、氮氧化硅层、碳化硅层、碳氮氧化硅层中的至少一种。如此，提供了多种形式的第一界面钝化层111，可适应更多的应用场景。
152.优选地，第一界面钝化层111包括氧化层和碳化硅层，此时氧化层和碳化硅层由硅
衬底101向外依次排列。进一步的，氧化层优选为氧化硅层、氧化铝层中的一层或多层。碳化硅层优选为氢化碳化硅层。如此，氢化碳化硅层中的氢，在进入硅衬底101中，使得中和硅衬底101的悬挂键，将硅衬底101的缺陷钝化好。
153.具体地，可通过pecvd工艺制作第一界面钝化层111。如此，pecvd工艺要求的基本温度低，可以避免高温损伤硅片。而且，pecvd工艺的成膜质量好，有利于提高第一界面钝化层111的品质，从而使得钝化效果更好。
154.实施例十三
155.请参阅图9，在一些可选实施例中，在步骤s14之前，制作方法包括：
156.步骤s13：在硅衬底101的第二区域120制备第二界面钝化层121；
157.步骤s14包括：
158.步骤s141：在第二界面钝化层121上制备n型半导体层122。
159.如此，可以通过第二界面钝化层121实现钝化，有利于提高光电转换效率。
160.具体地，第二界面钝化层121包括本征非晶硅层、本征多晶硅层、本征纳米晶硅层、本征混晶硅层、氧化硅层、氧化铝层、氮氧化硅层、碳化硅层、碳氮氧化硅层中的至少一种。如此，提供了多种形式的第二界面钝化层121，可适应更多的应用场景。
161.优选地，第二界面钝化层121包括氧化层和碳化硅层，此时氧化层和碳化硅层由硅衬底101向外依次排列。进一步的，氧化层优选为氧化硅层、氧化铝层中的一层或多层。碳化硅层优选为氢化碳化硅层。如此，氢化碳化硅层中的氢，在进入硅衬底101中，使得中和硅衬底101的悬挂键，将硅衬底101的缺陷钝化好。
162.具体地，可通过pecvd工艺制作第二界面钝化层121。如此，pecvd工艺要求的基本温度低，可以避免高温损伤硅片。而且，pecvd工艺的成膜质量好，有利于提高第二界面钝化层121的品质，从而使得钝化效果更好。
163.实施例十四
164.本技术实施例的太阳能电池100，采用实施例九至实施例十三任一项的太阳能电池100的制作方法制成。
165.本技术实施例的太阳能电池100，由于在硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123分别在制作p型半导体层112和n型半导体层122时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
166.实施例十五
167.本技术实施例的电池组件，包括实施例十四或实施例一至八任一项的太阳能电池100。
168.本技术实施例的电池组件，由于在硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123分别在制作p型半导体层和n型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
169.具体地，在本实施例中，电池组件中的多个太阳能电池100可依次串接在一起从而实现形成电池串，从而实现电流的串联汇流输出，例如，可通过设置焊带(汇流条、互联条)、导电背板等方式来实现电池片的串接。
170.可以理解的是，在这样的实施例中，电池组件还可包括金属框架、背板、光伏玻璃和胶膜。胶膜可填充在太阳能电池100正面和背面及光伏玻璃、相邻电池片等之间，作为填充物，其可为良好的透光性能和耐老化性能的透明胶体，例如胶膜可采用eva胶膜或者poe胶膜，具体可根据实际情况进行选择，在此不作限制。
171.光伏玻璃可覆盖在太阳能电池100的正面的胶膜上，光伏玻璃可为超白玻璃，其具有高透光率、高透明性，并且具有优越的物理、机械以及光学性能，例如，超白玻璃的透光率可达92％以上，其可在尽可能不影响太阳能电池100的效率的情况下对太阳能电池100进行保护。同时，胶膜可将光伏玻璃和太阳能电池100黏合在一起，胶膜的存在可以对太阳能电池100进行密封绝缘以及防水防潮。
172.背板可贴附在太阳能电池100背面的胶膜上，背板可以对太阳能电池100起保护和支撑作用，具有可靠的绝缘性、阻水性和耐老化性，背板可以有多重选择，通常可为钢化玻璃、有机玻璃、铝合金tpt复合胶膜等，其具体可根据具体情况进行设置，在此不作限制。背板、太阳能电池100、胶膜以及光伏玻璃组成的整体可设置在金属框架上，金属框架作为整个电池组件的主要外部支撑结构，且可为电池组件进行稳定的支撑和安装，例如，可通过金属框架将电池组件安装在所需要安装的位置。
173.实施例十六
174.本技术实施例的光伏系统，包括实施例十五的电池组件。
175.本技术实施例的光伏系统，由于在硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层113和磷硅玻璃层123分别在制作p型半导体层112和n型半导体层122时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。
176.具体地，在本实施例中，光伏系统可应用在光伏电站中，例如地面电站、屋顶电站、水面电站等，也可应用在利用太阳能进行发电的设备或者装置上，例如用户太阳能电源、太阳能路灯、太阳能汽车、太阳能建筑等等。当然，可以理解的是，光伏系统的应用场景不限于此，也即是说，光伏系统可应用在需要采用太阳能进行发电的所有领域中。以光伏发电系统网为例，光伏系统可包括光伏阵列、汇流箱和逆变器，光伏阵列可为多个电池组件的阵列组合，例如，多个电池组件可组成多个光伏阵列，光伏阵列连接汇流箱，汇流箱可对光伏阵列所产生的电流进行汇流，汇流后的电流流经逆变器转换成市电电网要求的交流电之后接入市电网络以实现太阳能供电。
177.以上仅为本技术的较佳实施例而已，并不用以限制本技术，凡在本技术的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。而且，本技术各实施例或示例中描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中，以合适的方式结合。