用于在半导体基底中制造沟槽的方法和半导体器件与流程

1.本公开总体上涉及半导体领域，并且更具体而言，本公开涉及用于在半导体基底中制造沟槽的方法和半导体器件。


背景技术：

2.在半导体集成电路及半导体光子/光电器件等半导体器件中，通常需要在半导体基底上刻蚀沟槽，通过刻蚀得到的沟槽可用作沟槽型器件(例如金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field effect transistor，mosfet)或绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor，ibgt)等栅控型器件)的元胞结构，也可用作半导体光子/光电器件内的光波导的关键部件。
3.但是，通过刻蚀得到的沟槽在沟槽的侧表面或底表面处往往会出现表面粗糙度较大的情况，异常严重时甚至在沟槽的侧表面或底表面处可见间隔条纹，这将使得半导体器件的性能严重劣化，例如这会导致沟槽型栅控器件出现栅氧漏电严重、可靠性低等问题，这也会导致半导体光子/光电器件出现光散射损耗增加、光波导传输损耗增加等问题。
4.因此，期望获得表面粗糙度较低的沟槽。


技术实现要素：

5.根据本公开的一方面，提供了一种用于在半导体基底中制造沟槽的方法，包括：提供半导体基底；在所述半导体基底上形成硬掩膜层，在所述硬掩膜层上形成光刻胶图案后进行曝光显影以刻蚀所述硬掩膜层和所述半导体基底从而在所述半导体基底中形成沟槽，所述沟槽的侧表面与底表面之间的夹角大于90度，并且去除所述光刻胶图案；以及用激光束照射所述沟槽，使得所述半导体基底中的离所述沟槽的所述侧表面或所述底表面不超过第一距离的部分的半导体材料熔融；以及冷却所述半导体基底，使得所述沟槽的所述侧表面和/或所述底表面被重新成形为具有比被所述激光束照射前低的表面粗糙度。
6.在一些实施例中，所述激光束被配置为沿平行于所述沟槽的深度方向的入射方向照射所述沟槽，并且所述激光束的照射区域被配置为在所述沟槽的宽度方向上覆盖所述沟槽。
7.在一些实施例中，用激光束照射所述沟槽包括使单个激光束或多个激光束沿平行于所述沟槽的长度方向的扫描方向以预设扫描速度扫描所述沟槽，所述扫描在从所述照射开始起经过预设延迟时间时开始。
8.在一些实施例中，当使多个激光束沿所述扫描方向以所述预设扫描速度扫描所述沟槽时，所述多个激光束中的每相邻两个激光束的照射区域在所述扫描方向上彼此部分地重叠。
9.在一些实施例中，所述预设扫描速度在100mm/s至500mm/s的范围内，并且所述预设延迟时间在700ns至900ns的范围内。
10.在一些实施例中，用激光束照射所述沟槽的步骤是在惰性气体气氛下进行的，或
者是在真空环境下进行的。
11.在一些实施例中，所述第一距离在150nm至250nm的范围内。
12.在一些实施例中，在去除所述光刻胶图案之后并且在用激光束照射所述沟槽之前，所述方法还包括对所述硬掩膜层执行回拉处理，以暴露出所述沟槽两侧的顶角，并且其中，用激光束照射所述沟槽还包括用所述激光束照射所述沟槽两侧的顶角以圆角化所述顶角。
13.在一些实施例中，所述半导体基底的所述半导体材料包括硅。
14.根据本公开的另一方面，提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括半导体基底以及根据本公开的前述方面的任一实施例所述的方法制造在所述半导体基底中的沟槽。
15.通过以下参照附图对本公开的示例性实施例的详细描述，本公开的其它特征及其优点将会变得更为清楚。
附图说明
16.从结合附图示出的本公开的实施例的以下描述中，本公开的前述和其它特征和优点将变得清楚。附图结合到本文中并形成说明书的一部分，进一步用于解释本公开的原理并使本领域技术人员能够制造和使用本公开。其中：
17.图1示出了根据本公开的一些实施例的用于在半导体基底中制造沟槽的方法的流程图；
18.图2a至图2h分别示出了与图1所示的方法的步骤对应的半导体器件的示意性剖视图；
19.图3示出了根据本公开的一些实施例的在用双激光束照射沟槽时半导体器件的示意性平面图；
20.图4a示出了在执行激光退火工艺之前沟槽的侧表面的形貌，并且图4b示出了在执行激光退火工艺之后沟槽的侧表面的形貌。
21.注意，在以下说明的实施方式中，有时在不同的附图之间共同使用同一附图标记来表示相同部分或具有相同功能的部分，而省略其重复说明。在一些情况中，使用相似的标号和字母表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步讨论。
22.为了便于理解，在附图等中所示的各结构的位置、尺寸及范围等有时不表示实际的位置、尺寸及范围等。因此，本公开并不限于附图等所公开的位置、尺寸及范围等。
具体实施方式
23.下面将参照附图来详细描述本公开的各种示例性实施例。应注意到：除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不限制本公开的范围。
24.以下对至少一个示例性实施例的描述实际上仅仅是说明性的，决不作为对本公开及其应用或使用的任何限制。也就是说，本文中的结构及方法是以示例性的方式示出，来说明本公开中的结构和方法的不同实施例。然而，本领域技术人员将会理解，它们仅仅说明可以用来实施的本公开的示例性方式，而不是穷尽的方式。此外，附图不必按比例绘制，一些
特征可能被放大以示出具体组件的细节。
25.另外，对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和设备可能不作详细讨论，但在适当情况下，所述技术、方法和设备应当被视为说明书的一部分。
26.在这里示出和讨论的所有示例中，任何具体值应被解释为仅仅是示例性的，而不是作为限制。因此，示例性实施例的其它示例可以具有不同的值。
27.为了优化通过刻蚀得到的沟槽的表面粗糙度，传统工艺往往通过热氧化工艺来进行沟槽表面的光滑化和缺陷修复。以硅半导体器件为例，热氧化工艺包括在完成沟槽刻蚀之后使硅半导体器件在1000摄氏度(℃)以上的环境下被氧化从而在沟槽表面形成一层氧化硅层，然后再进行该氧化硅层的剥离。这样的过程可以重复两次或更多次，最终得到改善的沟槽表面形貌和状态。虽然热氧化工艺能够对沟槽进行一定程度的修复，但是其难以有效应对沟槽表面粗糙度较大的情形，而且其实施需要精准的工艺参数控制并依赖于较为昂贵的设备，另外热氧化工艺还会引入相应的热预算从而会对半导体基底的整体翘曲度带来影响。
28.为此，本公开提供了一种改进的用于在半导体基底中制造沟槽的方法，其利用激光退火工艺使得半导体基底的位于沟槽表面附近的薄层在熔融后冷却以重新塑形沟槽表面，从而获得表面粗糙度小的沟槽。这样的方法不涉及高温工艺和氧化层剥离工艺，操作简单，成本低廉，而且无论在应对沟槽表面粗糙度较大的情形时还是在应对沟槽表面粗糙度较小的情形时都具有很好的表面粗糙度优化效果。
29.下面将结合附图详细描述根据本公开的一些实施例的用于在半导体基底中制造沟槽的方法以及相应的半导体器件。可以理解，实际的方法可能还存在其它步骤，实际的半导体器件也可能还存在其它部件，而为了避免模糊本公开的要点，附图没有示出且本文也不去讨论其它步骤/其它部件。
30.图1示出了根据本公开的一些实施例的用于在半导体基底中制造沟槽的方法100的流程图。图2a至图2h分别示出了与图1所示的方法的步骤对应的半导体器件的示意性剖视图。
31.如图1和图2a所示，方法100可以包括：在步骤s102处，提供半导体基底201。如图2a所示，为方便说明，用xy平面指示平行于半导体基底201的表面的平面，并用z方向指示垂直于半导体基底201的表面的方向。半导体基底201可以包括任何合适的半导体材料，其例如可以包括一元半导体材料(诸如，硅或锗等)或化合物半导体材料(诸如碳化硅、硅锗、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)或其组合。半导体基底201的部分或全部还可以掺杂有一定浓度的杂质元素，例如，可以掺杂有n型或者p型的杂质。在根据本公开的实施例中，对于半导体基底没有特别的限制，只要其适于用根据本公开的激光退火工艺重新塑形其沟槽表面即可，换言之，只要可以通过配置合适的激光束照射沟槽表面以使得该半导体基底的位于沟槽表面附近的薄层(深度例如可以在百纳米(nm)量级左右)能够发生熔融并在冷却后可以重新塑形沟槽表面即可。出于说明的目的，在以下的描述中以其半导体材料包括硅的硅基的半导体基底201作为非限制性示例。
32.如图1和图2b所示，方法100可以包括：在步骤s104处，在半导体基底201上形成(例如，可以通过沉积(诸如但不限于化学气相沉积等)或热氧化生长工艺等来形成)硬掩膜层202。硬掩膜层202例如可以包括但不限于半导体材料的氧化物或氮化物或其组合，诸如二
氧化硅和/或氮化硅等。在一些实施例中，硬掩膜层202可以是单层或多层结构，例如可以包括二氧化硅层和氮化硅层的堆叠。硬掩膜层202可以具有任何合适的厚度，例如其厚度可以指1nm至2微米(μm)之间，或者可以在50nm至1μm之间，或者可以在100nm至500nm之间。硬掩膜层202的材料的熔点可以比半导体基底201的半导体材料的熔点高，例如可以比半导体基底201的半导体材料的熔点高100℃以上、或者高200℃以上、或者高300℃以上、或者高400℃以上等。这样可以有助于保证在后续激光退火工艺中在半导体基底201的位于沟槽表面附近的薄层(其未被硬掩膜层202覆盖)受到激光束照射发生熔融的同时，同样受到激光束照射的硬掩膜层202的部分以及在其下方的半导体基底201的位于基底上表面附近的薄层不会发生熔融。由于半导体基底201的上表面的未被刻蚀的部分仍保持着良好的原生界面，因而不需要对其进行激光退火工艺，以免破坏其良好的原生界面。
33.如图1和图2c所示，方法100可以包括：在步骤s106处，在硬掩膜层202上形成光刻胶图案203。光刻胶图案203可以限定要在半导体基底201中制造的沟槽的位置。可以使用旋涂(spin-on coating)、喷涂(spray coating)、滴涂(dip coating)、刷涂(brush coating)或者蒸发等任何合适手段来在掩膜层202上形成光刻胶图案203。
34.如图1和图2d所示，方法100可以包括：在步骤s108处，曝光显影以刻蚀硬掩膜层202和半导体基底201从而在半导体基底201中形成沟槽204，沟槽204的侧表面与底表面之间的夹角(α)2041大于90度。虽然图中只用α标注了沟槽204的一侧的夹角2041，但是可以理解，沟槽204的另一侧的夹角2041也要大于90度。通过使沟槽204的侧表面与底表面之间的夹角2041大于90度，可以有助于在后续激光退火工艺中激光束能够照亮沟槽204的侧表面与底表面二者，使得沟槽204内部没有阴影区域。在一些实施例中，沟槽204的侧表面与底表面之间的夹角2041可以大于90度并且小于或等于102度。在一些实施例中，沟槽204的宽度(x方向上的尺寸)可以大于或等于0.2μm，例如可以在0.2μm与20厘米(cm)之间。方法100所适用的沟槽204的深度(z方向上的尺寸)例如可以取决于后续激光退火工艺所采用的激光器的功率/能量密度和/或光辐景深等。所采用的激光器的功率/能量密度和/或光辐景深越大，则方法100所适用的沟槽204的深度越大。如果沟槽204被形成得过深，则可能导致沟槽204的底部附近的表面无法有效熔融以重新塑形。在一些实施例中，沟槽204的深度可以小于或等于30μm。方法100所适用的沟槽204的长度(y方向上的尺寸)可以取决于半导体基底201的尺寸(其例如可以是6寸基底、8寸基底、12寸基底或其它尺寸的基底)。虽然在图中仅图示了一个沟槽204，但可以理解的是，可以根据需要相应地设计光刻胶图案203从而在半导体基底201中形成多个沟槽204。
35.如图1和图2e所示，方法100可以包括：在步骤s110处，去除光刻胶图案203。可以采用诸如干法和/或湿法等任何合适的方式去除光刻胶203，在此不作特别限制
36.如图1和图2f所示，方法100可以包括：在步骤s112处，对硬掩膜层203执行回拉(pull-back)处理，以暴露出沟槽204两侧的顶角2042(沟槽204的侧表面与半导体基底201的上表面之间的夹角)。在一些实施例中，硬掩膜层203在沟槽204的每一侧被回拉的距离可以在0.3nm至1nm之间，或者在0.5nm至0.8nm之间。应注意，步骤s112是可选的而不是必须的。
37.如图1和图2g所示，方法100可以包括(激光退火工艺)：在步骤s114处，用激光束205照射沟槽204，使得半导体基底201中的离沟槽204的侧表面或底表面不超过第一距离的
部分2010(如图2g中虚线所围绕的薄层)的半导体材料熔融；以及在步骤s116处，冷却半导体基底201，使得沟槽204的侧表面和/或底表面被重新成形为具有比被激光束205照射前低的表面粗糙度。冷却半导体基底201例如可以包括停止激光束205的照射，从而使得半导体基底201的原本被激光束205照射的部分在不再被激光束照射时发生冷却。
38.如果第一距离设置得太小，则可能导致沟槽204的表面的熔融部分不足以交互流动以形成良好的光滑界面；如果第一距离设置得太大，则对激光器的功率/能量密度要求过高，并且对整个半导体基底201施加的热量过多，容易影响其整体翘曲度等。在一些实施例中，第一距离例如可以在100nm至300nm之间，或者在150nm至250nm之间，或者例如可以为200nm左右。
39.在一些实施例中，用激光束205照射沟槽204的步骤可以在惰性气体(诸如但不限于氮气、氦气等)气氛下进行，或者可以在真空环境下进行。这是为了避免水氧和保持清洁，防止在激光退火工艺期间使半导体基底201的熔融部分被氧化和/或掺入杂质颗粒。
40.可以采用任何合适的激光器来提供激光束，只要其激光波长能够被半导体基底201的半导体材料吸收并且其功率/能量密度及其与半导体基底201的距离被配置为能够引起半导体基底201中的离沟槽204的侧表面或底表面不超过第一距离的部分2010的半导体材料熔融即可。例如，对于硅基的半导体基底201而言，可以采用能量密度为1.5焦耳每平方厘米(j/cm2)至5.0j/cm2的绿光激光器。
41.在一些实施例中，激光束205被配置为沿平行于沟槽204的深度方向(z方向)的入射方向照射沟槽204。在一些实施例中，激光束205的照射区域被配置为在沟槽204的宽度方向(x方向)上覆盖沟槽204。如前面已经提到的，硬掩膜层202可以保护在其下方的半导体基底201的位于上表面附近的薄层即使处于激光束205的照射区域之下也不会发生熔融，这样可以使得对激光束205的光斑大小的要求不那么严格，只要确保在沟槽204的宽度方向(x方向)上覆盖沟槽204即可。例如，激光束205的光斑大小可以在2毫米(mm)至4mm之间，例如可以为3mm。
42.如果激光束205的照射区域(其可以是由多个激光束的照射区域连接而成)足够大到覆盖整个沟槽204，则可以同时处理整个沟槽204。但是，这样的做法受到诸多限制，例如所适用的沟槽204不能太宽和/或太长、需要过多数量的激光器的组合等。因此，可以采用扫描激光束的方式。在一些实施例中，用激光束205照射沟槽204可以包括使单个激光束或多个激光束沿平行于沟槽204的长度方向(y方向)的扫描方向以预设扫描速度扫描沟槽204，扫描在从照射开始起经过预设延迟时间时开始。通过扫描激光束，可以有效适用较宽和/或较大的沟槽，还可以适用具有多个沟槽的情况，并且可以减少使用的激光器的数量。可以理解的是，在通过扫描激光束205的方式照射沟槽204的情况下，步骤s114和步骤s116可以是部分重叠发生的。也就是说，随着激光束205扫描通过沟槽204中的一系列位置中的每个位置，半导体基底201的部分2010首先开始依次在所述一系列位置中的每个位置发生熔融，稍后开始依次在所述一系列位置中的每个位置发生冷却(可能比熔融的发生落后若干个位置)，比如当激光束205离开沟槽204中的所述一系列位置中的第一个位置进而扫描至沟槽204中的所述一系列位置中的第二个位置时，半导体基底201的部分2010在所述第二个位置开始发生熔融，而半导体基底201的部分2010在先前已发生过熔融的所述第一个位置发生冷却。
43.在一些实施例中，预设延迟时间可以在700纳秒(ns)至900ns的范围内，例如可以为800ns。如果预设延迟时间设置得太短，则可能使得激光束205的初始照射位置处的半导体材料薄层还未充分熔融；如果预设延迟时间设置得太长，则可能在一方面使得操作时间过长，并且在另一方面使得激光束205的初始照射位置处的过深部分中的半导体材料都不期望地开始熔融。
44.在一些实施例中，预设扫描速度可以在100毫米每秒(mm/s)至500mm/s的范围内，或者在200mm/s至400mm/s的范围内，例如可以为300mm/s。如果预设扫描速度设置得太快，则可能使得激光束205的照射位置处的半导体材料薄层还未充分熔融；如果预设扫描速度设置得太慢，则可能在一方面使得操作时间过长，并且在另一方面使得激光束205的照射位置处的过深部分中的半导体材料都不期望地开始熔融。
45.在一些实施例中，当使多个激光束沿扫描方向(y方向)以预设扫描速度扫描沟槽204时，所述多个激光束中的每个激光束的波长可以相同，也可以不同，只要是半导体基底201的半导体材料能吸收的波长即可。在一些实施例中，当使多个激光束沿扫描方向(y方向)以预设扫描速度扫描沟槽204时，所述多个激光束中的每个激光束的功率/能量密度可以相同，也可以不同，只要每个激光束单独可以引起半导体基底201中的离沟槽204的侧表面或底表面不超过第一距离的部分2010的相应位置发生熔融即可。
46.利用多个激光束同步进行扫描可以等价地增加沟槽204的侧表面或底表面上的每一处位置所经受的处理时间。这样，提供每个激光束的对应一个激光器的功率/能量密度要求可以降低，和/或操作时间可以缩短。此外，利用多个激光束同步进行扫描还可以使得沟槽204的侧表面或底表面在被多个激光束重新塑形后具有更好的一致性、均匀性。在一些实施例中，当使多个激光束沿扫描方向(y方向)以预设扫描速度扫描沟槽204时，所述多个激光束中的每相邻两个激光束的照射区域在扫描方向(y方向)上彼此部分地重叠。如图3所示，在用双激光束2051、2052扫描沟槽204时，激光束2051的照射区域与激光束2052的照射区域在y方向上彼此重叠。通过这样的重叠，可以使沟槽204的侧表面或底表面上的每一处位置的处理时间是连续的而没有间断，以免中途出现明显的降温影响熔融半导体材料的流动。可以理解，虽然在图3中将激光束的光斑图示为具有圆形形状，但这仅仅是示例性的而非限制性的，实际的光斑可以具有任何合适的形状。
47.例如，对于硅基的半导体基底201而言，虽然硅的熔点高达1410℃，但是此激光退火工艺并非要使半导体基底201整体熔融，而是要使半导体基底201中的离沟槽204的侧表面或底表面不超过第一距离的部分2010的硅材料熔融，因此能够使沟槽204表面的硅材料达到大约1200℃至1300℃左右即可。另外通过扫描激光束205，此激光退火工艺可以实际上是轮流使沟槽204的侧表面或底表面上的每一处位置受到激光束205照射并达到大约1200℃至1300℃左右，而不需要使沟槽204的侧表面或底表面整体达到大约1200℃至1300℃左右，这使得对提供激光束205的激光器的功率/能量密度的要求进一步降低。同时，这样的激光退火工艺在室温下进行即可，不会使得半导体基底201整体处于高温，大大减弱了硅半导体基底201的整体翘曲度的影响。
48.在一些实施例中，半导体基底201的原本被激光束205照射的部分在不再被激光束照射时可以自然冷却，或者可以通过主动冷却(例如，对流)或被动冷却(例如，使半导体基底201与散热器热接触)的方式发生冷却。通常，自然冷却就足够了，这也可以降低工艺成
本。在一些示例中，可以将半导体基底201置于其中流通有循环冷却水的金属盘上，这样当沟槽204的侧表面或底表面上的某一位置接受完激光束205的扫描之后(激光束205扫描至下一位置)，该位置处的熔融半导体材料可以迅速冷却凝固，以形成较好的光滑表面。
49.当在步骤s110和s114之间包括前述可选的步骤s112时，在步骤s114处用激光束205照射沟槽204还包括用激光束205照射沟槽204两侧的顶角2042以圆角化顶角2042，如图2h所示。通过圆角化沟槽204的顶角2042，有助于防止顶角2042过于尖锐导致该处应力集中从而容易引入结构缺陷以及电场集中从而容易产生漏电，并且还有利于进行后续工艺，例如在沟槽204中形成栅极时多晶硅的填充效果，从而改善所得到的半导体器件的电学性能及可靠性，等等。
50.不论在步骤s110和s114之间是否包括前述可选的步骤s112，步骤s114都可以使沟槽204的侧表面与底表面之间的夹角2041圆滑(如图2h所示)，这也能够减少缺陷引入、防止漏电并且有利于进行后续工艺，例如在沟槽204中形成栅极时多晶硅的填充效果，从而改善所得到的半导体器件的电学性能及可靠性，等等。
51.在一些实施例中，当半导体基底201中通过刻蚀形成有多个沟槽204时，可以使激光束205逐个地扫描每个沟槽204。例如当所述多个沟槽204彼此平行时，可以使激光束205在半导体基底201上按照蛇形路线来回扫描，以遍历所述多个沟槽204中的每个沟槽204。在另一些实施例中，也可以使多个激光束205并行地扫描多个沟槽204。
52.可以理解，图2a至图2h仅仅是示意性图示，而没有清楚示出沟槽204的表面粗糙度在激光退火工艺前后的变化。关于这一点可以参考图4a和图4b，其分别示出了用3j/cm2的绿色激光束对硅半导体基底中的沟槽执行激光退火工艺之前和之后的沟槽侧表面形貌。可以发现在步骤s114(激光退火工艺)之后沟槽204的侧表面的表面粗糙度相比于步骤s114(激光退火工艺)之前显著降低，形貌光滑。
53.本公开在另一方面还提供了一种半导体器件，该半导体器件包括半导体基底以及根据本公开的任一实施例所述的方法制造在该半导体基底中的沟槽。
54.在说明书及权利要求中的词语“左”、“右”、“前”、“后”、“顶”、“底”、“上”、“下”、“高”、“低”等，如果存在的话，用于描述性的目的而并不一定用于描述不变的相对位置。应当理解，这样使用的词语在适当的情况下是可互换的，使得在此所描述的本公开的实施例，例如，能够在与在此所示出的或另外描述的那些取向不同的其它取向上操作。例如，在附图中的装置倒转时，原先描述为在其它特征“之上”的特征，此时可以描述为在其它特征“之下”。装置还可以以其它方式定向(旋转90度或在其它方位)，此时将相应地解释相对空间关系。
55.在说明书及权利要求中，称一个元件位于另一元件“之上”、“附接”至另一元件、“连接”至另一元件、“耦合”至另一元件、“耦接”至另一元件、或“接触”另一元件等时，该元件可以直接位于另一元件之上、直接附接至另一元件、直接连接至另一元件、直接耦合至另一元件、直接耦接至另一元件或直接接触另一元件，或者可以存在一个或多个中间元件。相对照的是，称一个元件“直接”位于另一元件“之上”、“直接附接”至另一元件、“直接连接”至另一元件、“直接耦合”至另一元件、“直接耦接”至另一元件或“直接接触”另一元件时，将不存在中间元件。在说明书及权利要求中，一个特征布置成与另一特征“相邻”，可以指一个特征具有与相邻特征重叠的部分或者位于相邻特征上方或下方的部分。
56.如在此所使用的，词语“示例性的”意指“用作示例、实例或说明”，而不是作为将被精确复制的“模型”。在此示例性描述的任意实现方式并不一定要被解释为比其它实现方式优选的或有利的。而且，本公开不受在技术领域、背景技术、发明内容或具体实施方式中所给出的任何所表述的或所暗示的理论所限定。
57.如在此所使用的，词语“基本上”意指包含由设计或制造的缺陷、器件或元件的容差、环境影响和/或其它因素所致的任意微小的变化。词语“基本上”还允许由寄生效应、噪声以及可能存在于实际的实现方式中的其它实际考虑因素所致的与完美的或理想的情形之间的差异。
58.另外，仅仅为了参考的目的，还可以在本文中使用“第一”、“第二”等类似术语，并且因而并非意图限定。例如，除非上下文明确指出，否则涉及结构或元件的词语“第一”、“第二”和其它此类数字词语并没有暗示顺序或次序。
59.还应理解，“包括/包含”一词在本文中使用时，说明存在所指出的特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件，但是并不排除存在或增加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、单元和/或组件以及/或者它们的组合。
60.在本公开中，术语“提供”从广义上用于涵盖获得对象的所有方式，因此“提供某对象”包括但不限于“购买”、“制备/制造”、“布置/设置”、“安装/装配”、和/或“订购”对象等。
61.如本文所使用的，术语“和/或”包括相关联的列出项目中的一个或多个的任何和所有组合。本文中使用的术语只是出于描述特定实施例的目的，并不旨在限制本公开。如本文中使用的，单数形式“一”、“一个”和“该”也旨在包括复数形式，除非上下文另外清楚指示。
62.本领域技术人员应当意识到，在上述操作之间的边界仅仅是说明性的。多个操作可以结合成单个操作，单个操作可以分布于附加的操作中，并且操作可以在时间上至少部分重叠地执行。而且，另选的实施例可以包括特定操作的多个实例，并且在其它各种实施例中可以改变操作顺序。但是，其它的修改、变化和替换同样是可能的。可以以任何方式和/或与其它实施例的方面或元件相结合地组合以上公开的所有实施例的方面和元件，以提供多个附加实施例。因此，本说明书和附图应当被看作是说明性的，而非限制性的。
63.虽然已经通过示例对本公开的一些特定实施例进行了详细说明，但是本领域的技术人员应该理解，以上示例仅是为了进行说明，而不是为了限制本公开的范围。在此公开的各实施例可以任意组合，而不脱离本公开的精神和范围。本领域的技术人员还应理解，可以对实施例进行多种修改而不脱离本公开的范围和精神。本公开的范围由所附权利要求来限定。