技术特征：
1.一种太阳能电池结构，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底背面上设置有沟槽；第一掺杂层，设置在所述沟槽内；第一阻隔层，设置在所述半导体衬底背面上，且至少覆盖所述第一掺杂层；第二掺杂层，设置在所述半导体衬底背面上，且所述第二掺杂层和所述第一阻隔层在所述半导体衬底上的正投影呈交错间隔排布；第一电极，设置在所述第一掺杂层的区域上；第二电极，设置在所述第二掺杂层的区域上。2.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第二掺杂层的数量为多个，且多个所述第二掺杂层间隔设置在所述半导体衬底上；所述第一阻隔层、所述第一掺杂层及所述沟槽各自的数量均为多个，所述第一掺杂层与所述沟槽一一对应，每一所述第一掺杂层设置在一所述沟槽中，所述第一阻隔层与所述第一掺杂层一一对应，每一所述第一阻隔层位于两个相邻所述第二掺杂层之间，且至少覆盖一所述第一掺杂层。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一阻隔层在所述半导体衬底上的正投影的宽度大于所述沟槽的宽度。4.根据权利要求3所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一阻隔层远离所述半导体衬底的表面与所述第二掺杂层远离所述半导体衬底的表面齐平。5.根据权利要求3所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一阻隔层背离所述半导体衬底的一侧设有掩膜层，且所述掩膜层覆盖所述第一阻隔层远离所述半导体衬底的整个表面。6.根据权利要求1或2所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一阻隔层上还设置有第三掺杂层，且所述第三掺杂层与所述第二掺杂层绝缘设置。7.根据权利要求1所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述太阳能电池结构包括第一介电层和第二介电层，所述第一介电层设置在所述沟槽的内壁与所述第一掺杂层之间；所述第二介电层一部分设置在所述第二掺杂层和所述半导体衬底之间、一部分设置在所述第一掺杂层和所述第一阻隔层之间。8.根据权利要求7所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一介电层和所述第二介电层为互为不同的载流子选择性传输层，所述第一介电层和所述第二介电层的材料选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氮化硅、本征非晶硅的一种或多种。9.根据权利要求7所述的太阳能电池结构，其特征在于，所述第一阻隔层的厚度大于10nm，所述掩膜层的厚度大于5nm，所述第一介电层的厚度为1-10nm，所述第二介电层的厚度为1-10nm。10.一种太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底背面上设置沟槽；在所述沟槽内设置第一掺杂层；在半导体衬底背面制备第一阻隔层，且所述第一阻隔层至少覆盖所述第一掺杂层；在半导体背面制备第二掺杂层，且使所述第二掺杂层和所述第一阻隔层在所述半导体衬底上的正投影呈交错间隔排布；在所述第一掺杂层的区域上形成第一电极，在所述第二掺杂层的区域上形成第二电
极。11.根据权利要求10所述的太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：所述第一阻隔层覆盖整个半导体衬底背面，且在制备所述第一阻隔层步骤之后，在第一阻隔层表面制备掩膜层，所述掩膜层覆盖所述第一阻隔层远离所述半导体衬底的整个表面；图形化去除第一掺杂层区域外的部分掩膜层；对第一阻隔层进行掺杂，未被掩膜层覆盖的区域形成所述第二掺杂层；或，所述方法包括：所述第一阻隔层覆盖沟槽区域，且在制备所述第一阻隔层步骤之后，在第一阻隔层上同时制备第二掺杂层和第三掺杂层，且所述第三掺杂层与所述第二掺杂层绝缘设置；所述第三掺杂层和所述第二掺杂层由同种材料、相同工艺制成。12.根据权利要求10所述的太阳能电池结构的制备方法，其特征在于，在所述沟槽内设置第一掺杂层之前还包括：在所述沟槽内形成第一介电层，且所述第一介电层附着在所述沟槽的内壁上；在半导体衬底上制备第一阻隔层之前还包括：在半导体衬底上制备第二介电层，且使所述第二介电层一部分介于所述第二掺杂层和所述衬底之间、一部分介于所述第一掺杂层和所述第一阻隔层之间。
技术总结
本发明公开一种太阳能电池结构及制备方法，该太阳能电池结构在半导体衬底上设置沟槽，且将第一掺杂层设置在沟槽内，第一掺杂层仅上表面需要设置阻隔结构，相较于在侧面制备阻隔结构来说，在上表面能够得到厚度更大的阻隔结构，有利于提高第一阻隔层的阻隔效果；并且第一阻隔层覆盖在第一掺杂层上能够对第一掺杂层形成自然的掩膜，使得在制备第二层掺杂层过程中无需为避让第一掺杂层进行特定的图案化处理，简化了工艺步骤；第一介电层和第二介电层为不同的载流子选择性传输层，改善硅衬底表面钝化效果，提升了转换效率。提升了转换效率。提升了转换效率。
技术研发人员：章海明 黄辉忠 王景凯
受保护的技术使用者：浙江正泰电器股份有限公司
技术研发日：2022.09.28
技术公布日：2023/1/11