包含不同长度的TSV的半导体装置组合件及其制造方法与流程

本公开大体涉及半导体装置组合件，且更具体来说，涉及包括不同长度的tsv的半导体装置组合件及其制造方法。

背景技术：

1、微电子装置通常具有裸片(即，芯片)，其包含具有高密度的非常小的组件的集成电路系统。通常，裸片包含电耦合到集成电路系统的非常小的接合垫的阵列。接合垫是外部电触点，电源电压、信号等通过所述外部电触点传输到集成电路系统或从集成电路系统传输。在形成裸片后，所述裸片被“封装”以将接合垫耦合到更大的电端子阵列，所述电端子阵列可更容易地耦合到各种电力供应线、信号线及接地线。用于封装裸片的常规工艺包含将裸片上的接合垫电耦合到引线阵列、球垫或其它类型的电端子，且囊封裸片以保护其免受环境因素(例如，湿气、微粒、静电及物理冲击)的影响。

技术实现思路

1、在一个方面中，本公开提供一种半导体装置组合件，其包括：第一半导体装置，其具有前表面及后表面，多个前侧垫在距所述后表面第一距离处安置在所述前表面上方，且多个额外装置垫在距所述后表面大于所述第一距离的第二距离处安置在所述前表面上方；至少一个第二半导体装置，其与所述多个额外装置垫中的每一者的顶侧物理及电接触；以及囊封材料，其至少部分地包围所述至少一个第二半导体装置并覆盖所述多个前侧垫中的每一者的顶侧；第一多个tsv，其各自从所述后表面延伸穿过所述第一半导体装置到所述多个前侧垫中的对应者的底侧；以及第二多个tsv，其各自从所述后表面延伸穿过所述第一半导体装置到所述多个额外装置垫中的对应者的底侧。

2、在另一方面中，本公开进一步提供一种半导体装置组合件，其包括：第一半导体装置，其具有前表面及后表面，多个前侧垫安置在所述前表面上方，且多个额外装置垫安置在所述前表面上方；至少一个第二半导体装置，其与所述额外装置垫中的每一者的顶侧物理及电接触；以及囊封材料，其至少部分地包围所述至少一个第二半导体装置并覆盖所述多个前侧垫中的每一者的顶侧；第一多个tsv，其各自从所述后表面延伸穿过所述第一半导体装置到所述多个前侧垫中的对应者的底侧；及第二多个tsv，其各自从所述后表面延伸穿过所述第一半导体装置到所述多个额外装置垫中的对应者的底侧，其中所述第二多个tsv中的每一者与所述第一半导体装置电隔离。

3、在又一方面中，本公开进一步提供一种半导体装置组合件，其包括：第一半导体装置，其具有前表面及后表面，多个前侧垫安置在所述前表面上方，且多个额外装置垫安置在所述前表面上方；至少一个第二半导体装置，其与所述额外装置垫中的每一者的顶侧物理及电接触；以及囊封材料，其至少部分地包围所述至少一个第二半导体装置并覆盖所述多个前侧垫中的每一者的顶侧；第一多个tsv，其各自从所述后表面穿过所述第一半导体装置延伸到所述多个前侧垫中的对应者的底侧；以及第二多个tsv，其各自从所述后表面穿过所述第一半导体装置延伸到所述多个额外装置垫中的对应者的底侧，其中所述多个前侧垫中的至少一者的所述顶侧包含来自探针操作的机械变形。

技术特征：

1.一种半导体装置组合件，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个前侧垫中的至少一者的所述顶侧包含来自探针操作的机械变形。

3.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述多个前侧垫电耦合到所述第一半导体装置的电路系统。

4.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第二多个tsv中的每一者与所述第一半导体装置电隔离。

5.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体装置的所述前表面至少部分地被承载所述多个额外装置垫的介电材料层覆盖。

6.根据权利要求5所述的半导体装置组合件，其中所述介电材料层包含多个开口，每一所述开口与所述多个前侧垫中的对应者的所述顶侧对准。

7.根据权利要求6所述的半导体装置组合件，其中所述囊封材料延伸到所述多个开口中并接触所述多个前侧垫中的每一者的所述顶侧。

8.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述囊封材料具有与所述至少一个第二半导体装置的上表面共面的上表面。

9.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述囊封材料在所述至少一个第二半导体装置的上表面上方延伸。

10.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其中所述第一多个tsv中的每一者具有对应于所述第一距离的第一长度，其中所述第二多个tsv中的每一者具有对应于所述第二距离的第二长度，且其中所述第二长度大于所述第一长度。

11.根据权利要求1所述的半导体装置组合件，其进一步包括在所述第一半导体装置的所述后表面处的互连阵列，每个所述互连阵列可操作地耦合到所述第一多个tsv或所述第二多个tsv中的对应者。

12.一种半导体装置组合件，其包括：

13.根据权利要求12所述的半导体装置组合件，其中所述多个前侧垫中的至少一者的所述顶侧包含来自探针操作的机械变形。

14.根据权利要求12所述的半导体装置组合件，其中所述多个前侧垫电耦合到所述第一半导体装置的电路系统。

15.根据权利要求12所述的半导体装置组合件，其中所述第一半导体装置的所述前表面至少部分地被承载所述多个额外装置垫的介电材料层覆盖。

16.根据权利要求15所述的半导体装置组合件，其中所述介电材料层包含多个开口，每一所述开口与所述多个前侧垫中的对应者的所述顶侧对准。

17.根据权利要求16所述的半导体装置组合件，其中所述囊封材料延伸到所述多个开口中并接触所述多个前侧垫中的每一者的所述顶侧。

18.根据权利要求12所述的半导体装置组合件，其中所述囊封材料具有与所述至少一个第二半导体装置的上表面共面的上表面。

19.根据权利要求12所述的半导体装置组合件，其中所述囊封材料在所述至少一个第二半导体装置的上表面上方延伸。

20.一种半导体装置组合件，其包括：

技术总结
本公开涉及包含不同长度的TSV的半导体装置组合件及其制造方法。半导体装置组合件，其包含：第一半导体装置，其具有前表面及后表面，多个前侧垫在距所述后表面第一距离处安置在所述前表面上方，且多个额外装置垫在距所述后表面大于所述第一距离的第二距离处安置在所述前表面上方；第二半导体装置，其与所述额外装置垫中的每一者的顶侧接触；囊封材料，其至少部分地包围所述第二半导体装置并覆盖所述前侧垫的顶侧；第一多个TSV，其各自从所述后表面延伸穿过所述第一半导体装置到所述前侧垫中的一者的底侧；以及第二多个TSV，其各自从所述后表面延伸穿过所述第一半导体装置到所述额外装置垫中的对应者的底侧。

技术研发人员：K·R·帕雷克
受保护的技术使用者：美光科技公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12