电子器件的冷却的制作方法

本公开总体涉及电子系统和器件以及它们的保护和冷却装置。在一些实施例中，本公开应用到用于冷却由封装件保护的电子器件的装置。

背景技术：

1、已知许多冷却由封装件保护的电子系统和器件的技术。例如，封装件可适于消散由电子器件或系统的部件和电路产生的热。

技术实现思路

1、实施例提供一种电子器件，包括电子芯片和用于保护该芯片的封装件，该封装件包括：

2、基板，包括电绝缘层和导热层的交替，其中至少一个电绝缘层包括至少一个导热部分；以及

3、由导热材料制成的盖，包括至少一个侧向部分，该至少一个侧向部分布置在从所述基板的第一表面形成的至少一个腔中。

4、根据一个实施例，该器件进一步包括由导热材料制成的层，该层与芯片的第二表面以及盖接触。

5、根据一个实施例，该芯片的第三表面结合至基板的第一表面。

6、根据一个实施例，至少一个腔从基板的第一表面延伸，并且一直延伸到所述至少一个导热部分。

7、根据一个实施例，所述盖的侧向部分与导热层中与导热部分接触的一个导热层接触。

8、根据一个实施例，所述盖的所述侧向部分与导热部分接触。

9、根据一个实施例，盖的侧向部分通过导热过孔耦接至导热部分。

10、根据一个实施例，盖是金属盖。

11、根据一个实施例，导热层也是导电的。

12、根据一个实施例，盖进一步包括横向部分。

13、根据一个实施例，至少一个侧向部分结合至横向部分。

14、根据一个实施例，盖由单个块制成。

15、一个实施例提供一种制造电子器件的方法，该方法包括以下步骤：

16、(a)提供基板，包括电绝缘层和导热层的交替，其中至少一个电绝缘层包括至少一个导热部分，基板进一步包括从基板的第一表面形成的至少一个腔；

17、(b)将电子芯片安装在在基板的第一表面上；

18、(c)形成与电子芯片的至少一个第二表面接触的由导热材料制成的层；以及

19、(d)将盖的至少一个侧向部分布置在由基板形成的腔中。

20、根据一个实施例，在步骤(b)期间，芯片的第三表面结合至基板的第一表面。

21、根据一个实施例，该方法还包括将盖的横向部分结合至盖的至少一个侧向部分的步骤(d)。

技术特征：

1.一种电子器件，包括：

2.根据权利要求1所述的器件，进一步包括导热材料层，所述导热材料层与所述半导体芯片的第一表面以及所述盖接触。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述半导体芯片的第二表面被结合到所述基板的所述第一表面。

4.根据权利要求1所述的器件，其中所述腔从所述基板的所述第一表面延伸至所述电绝缘层的所述导热部分。

5.根据权利要求4所述的器件，其中所述盖与所述导热层中的、与所述导热部分接触的导热层接触。

6.根据权利要求4所述的器件，其中所述盖与所述导热部分接触。

7.根据权利要求4所述的器件，包括耦合在所述盖和所述导热部分之间的导热过孔。

8.根据权利要求1所述的器件，其中所述盖为金属盖。

9.根据权利要求1所述的器件，其中所述导热层是导电的。

10.根据权利要求1所述的器件，其中所述盖包括侧向部分和横向部分，所述横向部分与所述半导体芯片交叠，并且所述侧向部分延伸到所述腔中。

11.根据权利要求10所述的器件，其中所述侧向部分被接合至所述横向部分。

12.根据权利要求10所述的器件，其中所述盖由单个块制成。

13.一种制造电子器件的方法，包括：

14.根据权利要求13所述的方法，其中安装所述电子芯片包括：将所述电子芯片的第三表面结合至所述基板的所述第一表面。

15.根据权利要求13所述的方法，进一步包括将所述盖的横向部分结合至所述盖的所述至少一个侧向部分。

16.一种器件，包括：

17.根据权利要求16所述的器件，进一步包括：导热材料层，与所述半导体芯片的第一表面以及所述盖接触。

18.根据权利要求16所述的器件，其中所述盖与所述第一导热层接触，并且所述第一导热层芯片与所述第二电绝缘层的所述导热部分接触。

19.根据权利要求16所述的器件，其中所述导热部分延伸穿过所述第二电绝缘层的厚度。

20.根据权利要求16所述的器件，进一步包括：在所述第一电绝缘层与所述第一导热层之间的第二导热层；以及在所述第二导热层与所述第一导热层之间的第三电绝缘层，

技术总结
本公开涉及电子器件的冷却。具体地，本说明书涉及包括电子芯片和用于保护该芯片的封装件的电子器件，该封装件包括：基板，包括电绝缘层和导热层的交替，其中至少一个电绝缘层包括至少一个导热部分；以及由导热材料制成的盖，包括布置在从基板的第一表面形成的至少一个腔中的至少一个侧向部分。

技术研发人员：Y·博塔勒布,R·科菲
受保护的技术使用者：意法半导体（格勒诺布尔2）公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12