技术特征：
1.一种高迁移率的sic mosfet器件的制作方法，其特征在于包括如下步骤：步骤s1：清洗sic外延片（1），清除外延片表面沾污；步骤s2：在外延片表面制备掩膜，之后进行p阱离子注入；步骤s3：使用与步骤s2相同的方法在p阱区域（2）进行p
+
和n
+
的注入，注入完成后退火激活注入离子；步骤s4：在圆片表面淀积一层poly si，淀积结束后在氧化，并退火，生成sio2（5）；步骤s5：刻蚀掉p
+
区域（4）和n
+
区域（3）多余的sio2，露出源极区域；步骤s6：将电极区域进行涂胶-曝光-显影，之后采用溅射的方法沉积金属体系，之后去除光刻胶完成正面金属化的制作；步骤s7：淀积一层保护层，隔离栅源区域，并刻蚀电极区域完成正面制作；步骤s8：在背面溅射金属并形成背面欧姆接触，完成背面金属电极（8）制作。2.如权利要求1所述的高迁移率的sic mosfet器件的制作方法，其特征在于所述步骤s1具体包括：使用标准的rca工艺清洗sic外延片（1），清除sic外延片（1）表面沾污。3.如权利要求1所述的高迁移率的sic mosfet器件的制作方法，其特征在于所述步骤s2具体包括：在sic外延片（1）表面采用涂胶-曝光-显影的方法制备掩膜，之后进行p阱离子注入，在sic外延片（1）的左右两侧各形成一个p阱区域（2），p阱注入深度为1-10μm，掺杂浓度在10
16-10
18
cm-3
之间。4.如权利要求1所述的高迁移率的sic mosfet器件的制作方法，其特征在于所述步骤s3具体包括：使用步骤2相同的方法进行p
+
和n
+
的注入，在每个p阱区域（2）形成两个n
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区域（3）和一个p
+
区域（4），注入深度为100nm-1μm，掺杂浓度在10
18-10
19
cm-3
，注入完成后置入1600-2000℃高温炉中退火激活注入离子。5.如权利要求1所述的高迁移率的sic mosfet器件的制作方法，其特征在于所述步骤s4具体包括：使用lpcvd在600℃条件下用硅烷在圆片表面淀积一层200-400
å
的poly si，淀积结束后在800℃条件下氧化，并在1400-1600℃条件下退火，生成sio2层（5）。6.如权利要求1所述的高迁移率的sic mosfet器件的制作方法，其特征在于所述步骤s6具体包括：将sio2层（5）上相应的电极区域进行涂胶-曝光-显影，之后采用溅射的方法沉积ti/al、ti/ta/al或ti/pt/au金属体系，金属总厚度为1μm-6μm，之后去除光刻胶完成正面金属化的制作。7.如权利要求1所述的高迁移率的sic mosfet器件的制作方法，其特征在于所述步骤s7具体包括：淀积一层6000-8000
å
的si3n4保护层（7），隔离栅源区域，并刻蚀电极区域完成正面制作。8.如权利要求1所述的高迁移率的sic mosfet器件的制作方法，其特征在于所述步骤s8具体包括：
在背面溅射200μm
ꢀ‑
400μm 的ti并激光合金形成背面欧姆接触，完成背面金属层（8）制作。9.一种高迁移率的sic mosfet器件，其特征在于：包括sic外延片（1），所述sic外延片（1）上部的左右两侧各形成有一个p阱区（2），每个所述p阱区（2）上形成有两个n
+
区（3）和一个p
+
区（4），其中所述p
+
区（4）位于两个所述n
+
区（3）之间，左侧的二氧化硅层（5）位于左侧的p阱区（2）的上表面，且部分与该p阱区（2）左侧的n
+
区（3）接触，右侧的二氧化硅层（5）位于右侧的p阱区（2）的上表面，且部分与该p阱区（2）右侧的n
+
区（3）接触，中间的二氧化硅层（5）位于两个p阱区（2）之间的sic外延片（1）的上表面，且中间的二氧化硅层（5）的左端与左侧的p阱区（2）中右侧的n+区（3）部分接触，中间的二氧化硅层（5）的右端与右侧的p阱区（2）中左侧的n+区（3）部分接触，左侧的二氧化硅层（5）与中间的二氧化硅层（5）之间的p+区（4）的上表面形成有一个正面金属层（6），右侧的二氧化硅层（5）与中间的二氧化硅层（5）之间的p+区（4）的上表面形成有一个正面金属层（6），中间的二氧化硅层（5）的上表面形成有一个正面金属层（6），所述sic外延片的背面形成有背面金属层（8）。10.如权利要求9所述的高迁移率的sic mosfet器件，其特征在于，所述器件还包括保护层（7），所述保护层（7）位于所述器件的上表面，且所述保护层（7）上形成有刻蚀槽，通过刻蚀槽使正面金属层的部分漏出。
技术总结
本发明公开了一种高迁移率的SiC MOSFET器件及其制作方法，所述方法包括如下步骤：清洗SiC外延片，清除圆片表面沾污；在圆片表面制备掩膜，之后进行P阱离子注入。进行P
技术研发人员：廖龙忠 杨志虎 吕鑫 刘相伍 陟金华 张力江 吴嘉兴 周国 付兴中 商庆杰 刘佳佳 吕孟山
受保护的技术使用者：中国电子科技集团公司第十三研究所
技术研发日：2022.11.16
技术公布日：2023/2/27