技术特征：
1.钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于该制备方法按照以下步骤实现：一、掺杂型钼酸盐的制备a、将0.5～2mmol硝酸钴co(no3)2·
6h2o，1～2mmol钼酸铵，0.8～2mmolni(no3)2·
6h2o和0.8～1.5mmolfeso4·
9h2o混合均匀研磨，溶解在去离子水中，放入导电基底，然后添加2moi/l的10～25ml的硫酸锰溶液，在温度为25～45℃的恒温水浴下反应4～10h，得到带有掺杂型钼酸盐的基底；b、对带有掺杂型钼酸盐的基底进行洗涤和干燥，置于马弗炉中以200～400℃的温度进行煅烧处理，得到附着掺杂型钼酸盐电极材料的基底；二、fenial-ldh的前驱体溶液将0.4～1.2mmolfe(no3)3·
9h2o和0.4～1.0mmolniso4·
6h2o分散在30～50ml去离子水中，得到混合溶液，向混合溶液中加入1.5～5g尿素和10～25ml浓度为0.5moi/l的偏铝酸钠溶液，在温度为35～45℃的恒温水浴下磁力搅拌处理，然后在30～50℃恒温处理15～40h，得到前驱体溶液；三、掺杂型钼酸盐@nial-ldh纳米核壳异质薄膜制备将步骤一得到的附着掺杂型钼酸盐电极材料的基底加入到前驱体溶液中，超声震荡分散均匀，在50～70℃的恒温水浴下反应，经过洗涤和干燥，在基底上得到掺杂型钼酸盐@nial-ldh纳米核壳异质薄膜。2.根据权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中步骤a将0.5～2mmol硝酸钴co(no3)2·
6h2o，1～2mmol钼酸铵，0.8～2mmolni(no3)2·
6h2o和0.8～1.5mmolfeso4·
9h2o混合均匀研磨，溶解在20ml去离子水中。3.根据权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中步骤a在温度为30～40℃的恒温水浴下反应6～8h。4.根据权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤一中步骤b以300～400℃的温度空气氛进行煅烧处理2～3h。5.根据权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中将0.4～0.8mmolfe(no3)3·
9h2o和0.8～1.0mmolniso4·
6h2o分散在30～50ml去离子水中，得到混合溶液，向混合溶液中加入2～3g尿素和10～20ml浓度为0.5moi/l的偏铝酸钠溶液。6.根据权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中在温度为40℃的恒温水浴下磁力搅拌处理2～3h。7.根据权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤二中在35～45℃恒温处理25～35h。8.根据权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤三中在50～70℃的恒温水浴下反应1.5～2.5h。9.根据权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的制备方法，其特征在于步骤三中掺杂型钼酸盐@nial-ldh纳米核壳异质薄膜的厚度为150～300μm。10.如权利要求1所述的钼酸盐基@nial-ldh复合薄膜的应用，其特征在于将掺杂型钼酸盐@nial-ldh纳米核壳异质薄膜作为正极材料应用于超级电容器中。
技术总结
钼酸盐基@NiAl-LDH复合薄膜的制备方法及其在储能器件中的应用，本发明的目的是为了解决储能器件中金属氧化物材料比电容较低的问题。制备方法：一、将硝酸钴，钼酸铵，Ni(NO3)2·
技术研发人员：岳欣瑞 王晶 罗海超 李瑞华 胡杨 熊龙杰 王刚
受保护的技术使用者：哈尔滨商业大学
技术研发日：2022.11.24
技术公布日：2023/3/21