1.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括：相互键合的第一半导体结构和第二半导体结构；其中，
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一半导体结构的相邻所述像素单元之间设有第一隔离结构；所述第二半导体结构的相邻所述晶体管之间设有第二隔离结构；其中，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构不同。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，每个所述像素单元还包括传输晶体管和浮置扩散区，所述传输晶体管和所述光电二极管连接，用于将所述电信号传输至所述浮置扩散区。
4.根据权利要求3所述的图像传感器，其特征在于，所述光电二极管包括：
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述晶体管包括：
6.根据权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，
7.根据权利要求6所述的图像传感器，其特征在于，所述图像传感器还包括：
8.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
9.根据权利要求8所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，
10.根据权利要求9所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，每个所述像素单元还包括：传输晶体管和浮置扩散区，所述传输晶体管和所述光电二极管连接，用于将所述电信号传输至所述浮置扩散区。
11.根据权利要求10所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，任意相邻两个所述第一隔离结构之间设有第一有源区；所述形成第一半导体结构，还包括：
12.根据权利要求11所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，任意相邻两个所述第二隔离结构之间设有第二有源区；所述形成第二半导体结构，还包括：
13.根据权利要求8所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，
14.根据权利要求13所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述将所述第一半导体结构和所述第二半导体结构进行键合，包括：
15.根据权利要求14所述的图像传感器的制造方法，其特征在于，所述对所述第一半导体结构和所述第二半导体结构进行预处理，包括：