显示装置及其制备方法与流程

本申请属于显示，尤其涉及一种显示装置及其制备方法。

背景技术：

1、随着显示技术的不断发展，应用薄膜晶体管的显示装置得到了广泛应用，如手机显示屏、电脑显示屏等。薄膜晶体管通常采用半导体材料制备，如非晶硅半导体材料、多晶硅半导体材料、氧化物半导体材料等。其中，氧化物半导体材料因具有较高的迁移率以及较为简化的制备工序，在大尺寸、高分辨率的显示装置中具有优势。

2、现有技术中，氧化物薄膜晶体管的结构有刻蚀阻挡层型和背沟道刻蚀型。其中，刻蚀阻挡层型薄膜晶体管虽能够保护氧化物半导体，但增加了制备工序以及成本；背沟道刻蚀型薄膜晶体管虽省去了刻蚀阻挡层的工序，但在源漏电极层的刻蚀工序中，有源层会受到刻蚀液的腐蚀，使得应用该薄膜晶体管的显示装置稳定性较差。

技术实现思路

1、本申请实施例提供一种显示装置及其制备方法，能够避免有源层被刻蚀，提高显示装置的稳定性。

2、第一方面，本申请实施例提供一种显示装置，包括：

3、阵列基板，所述阵列基板包括衬底和设置于所述衬底上的薄膜晶体管；以及

4、像素器件，所述像素器件与所述薄膜晶体管电连接；

5、其中，所述薄膜晶体管包括：

6、有源层，包括背沟道区，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层设置在所述衬底上，所述第二有源层设置在所述第一有源层远离所述衬底一侧的表面，所述第一有源层在所述衬底上的正投影区域与所述第二有源层在所述衬底上的正投影区域至少部分重叠，其中，所述第二有源层的材料包括金属氧化物；

7、源电极层，设置在所述第二有源层上；

8、漏电极层，设置在所述第二有源层上，所述源电极层和所述漏电极层分别设置在所述背沟道区的两侧；以及

9、栅电极层，设置在所述衬底与所述第一有源层之间。

10、可选的，在一些实施例中，所述第一有源层和所述第二有源层分别通过一次磁控溅射工艺制备而成，其中，通过磁控溅射工艺制备所述第一有源层和所述第二有源层所使用的靶材不同。

11、可选的，在一些实施例中，所述第一有源层的材料包括金属氧化物，所述第一有源层中的金属氧化物不包含稀土元素，所述第二有源层中的金属氧化物包含稀土元素。

12、可选的，在一些实施例中，所述第一有源层中的金属氧化物包括氧化铟镓锌、镧系氧化铟锌或者氧化铟镓锌锡，所述第二有源层中的金属氧化物包括镧系氧化锡或者镧系氧化锌锡，所述第二有源层中包含稀土元素的金属氧化物为氧化镱。

13、可选的，在一些实施例中，所述第一有源层的厚度为10-100纳米，所述第二有源层的厚度为5-10纳米。

14、可选的，在一些实施例中，所述第一有源层和所述第二有源层采用同一靶材通过一次磁控溅射工艺制备而成。

15、可选的，在一些实施例中，所述第二有源层中的金属氧化物包含稀土元素，所述第一有源层和所述第二有源层的材料相同。

16、可选的，在一些实施例中，所述第二有源层中的金属氧化物包括镧系氧化锡或者镧系氧化锌锡，所述第二有源层中包含稀土元素的金属氧化物为氧化镱。

17、可选的，在一些实施例中，所述第一有源层的厚度为5-90纳米，所述第二有源层的厚度为5-10纳米。

18、第二方面，本申请实施例还提供一种显示装置的制备方法，包括：

19、提供一衬底；

20、在所述衬底上形成栅电极层；

21、在所述栅电极层上形成有源层，其中，所述有源层包括背沟道区，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第二有源层设置在所述第一有源层远离所述衬底一侧的表面，所述第一有源层在所述衬底上的正投影区域与所述第二有源层在所述衬底上的正投影区域至少部分重叠，所述第二有源层的材料包括金属氧化物；

22、在所述第二有源层上形成源电极层和漏电极层，其中，所述源电极层和所述漏电极层分别设置在所述背沟道区的两侧，所述有源层、所述源电极层、所述漏电极层以及所述栅电极层构成薄膜晶体管；

23、在所述薄膜晶体管上形成像素器件，其中，所述像素器件与所述薄膜晶体管电连接。

24、可选的，在一些实施例中，所述在所述栅电极层上形成有源层，包括：

25、通过一次磁控溅射工艺在所述栅电极层上形成第一有源层，其中，所述第一有源层的材料包括金属氧化物，所述第一有源层的金属氧化物不包含稀土元素，所述第一有源层中的金属氧化物包括氧化铟镓锌、镧系氧化铟锌或者氧化铟镓锌锡；

26、通过一次磁控溅射工艺在所述第一有源层上形成第二有源层，其中，所述第二有源层中的金属氧化物包含稀土元素，所述第二有源层中的金属氧化物包括镧系氧化锡或者镧系氧化锌锡，所述第二有源层中包含稀土元素的金属氧化物为氧化镱，通过磁控溅射工艺制备所述第一有源层和所述第二有源层所使用的靶材不同。

27、可选的，在一些实施例中，所述在所述栅电极层上形成有源层，包括：

28、采用同一靶材通过一次磁控溅射工艺在所述栅电极层上形成所述第一有源层和所述第二有源层，其中，所述第二有源层中的金属氧化物包含稀土元素，所述第一有源层和所述第二有源层的材料相同，所述第二有源层中的金属氧化物包含镧系氧化锡或者镧系氧化锌锡，所述第二有源层中包含稀土元素的金属氧化物为氧化镱。

29、本申请实施例提供的显示装置包括阵列基板，阵列基板包括衬底和设置于衬底上的薄膜晶体管；像素器件，像素器件与薄膜晶体管电连接；薄膜晶体管包括：有源层，包括背沟道区，有源层包括第一有源层和第二有源层，第一有源层设置在衬底上，第二有源层设置在第一有源层远离衬底一侧的表面，第一有源层在衬底上的正投影区域与第二有源层在衬底上的正投影区域至少部分重叠，其中，第二有源层的材料包括金属氧化物；源电极层，设置在第二有源层上；漏电极层，设置在第二有源层上，源电极层和漏电极层分别设置在背沟道区的两侧；以及栅电极层，设置在衬底与第一有源层之间。本申请能够避免有源层被刻蚀，提高显示装置的稳定性。

技术特征：

1.一种显示装置，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层分别通过一次磁控溅射工艺制备而成，其中，通过磁控溅射工艺制备所述第一有源层和所述第二有源层所使用的靶材不同。

3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一有源层的材料包括金属氧化物，所述第一有源层中的金属氧化物不包含稀土元素，所述第二有源层中的金属氧化物包含稀土元素。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一有源层中的金属氧化物包括氧化铟镓锌、镧系氧化铟锌或者氧化铟镓锌锡，所述第二有源层中的金属氧化物包括镧系氧化锡或者镧系氧化锌锡，所述第二有源层中包含稀土元素的金属氧化物为氧化镱。

5.根据权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述第一有源层的厚度为10-100纳米，所述第二有源层的厚度为5-10纳米。

6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第一有源层和所述第二有源层采用同一靶材通过一次磁控溅射工艺制备而成。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第二有源层中的金属氧化物包含稀土元素，所述第一有源层和所述第二有源层的材料相同。

8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述第二有源层中的金属氧化物包括镧系氧化锡或者镧系氧化锌锡，所述第二有源层中包含稀土元素的金属氧化物为氧化镱。

9.根据权利要求6所述的显示装置，其特征在于，所述第一有源层的厚度为5-90纳米，所述第二有源层的厚度为5-10纳米。

10.一种显示装置的制备方法，其特征在于，包括：

11.根据权利要求10所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述栅电极层上形成有源层，包括：

12.根据权利要求10所述的显示装置的制备方法，其特征在于，所述在所述栅电极层上形成有源层，包括：

技术总结
本申请公开了一种显示装置及其制备方法，显示装置包括阵列基板，阵列基板包括衬底和设置于衬底上的薄膜晶体管；像素器件，像素器件与薄膜晶体管电连接；薄膜晶体管包括：有源层，包括背沟道区，有源层包括第一有源层和第二有源层，第一有源层设置在衬底上，第二有源层设置在第一有源层远离衬底一侧的表面，第一有源层在衬底上的正投影区域与第二有源层在衬底上的正投影区域至少部分重叠，其中，第二有源层的材料包括金属氧化物；源电极层，设置在第二有源层上；漏电极层，设置在第二有源层上，源电极层和漏电极层分别设置在背沟道区的两侧；以及栅电极层，设置在衬底与第一有源层之间。本申请能够避免有源层被刻蚀，提高显示装置的稳定性。

技术研发人员：肖军城,余明爵,江志雄,李兰兰
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/12