技术特征：
1.一种引线框架，所述引线框架由基板加工而成；其特征在于，基板的顶部设有多个芯片区域；所述芯片区域中心位置设有芯片焊盘；芯片焊盘的四个边角位置均通过第一坝条连接边角盘；相邻的边角盘之间设有第二坝条；第二坝条的内侧设有十个第一引脚；第二坝条的外侧设有与第一引脚相对应的十个第二引脚；第一引脚、第二引脚与第二坝条的连接处的顶面的两侧均采用刻蚀处理；第一引脚和第二引脚端部的底面采用刻蚀处理；芯片焊盘底面的外沿设有方环形区域；方环形区域的底面、边角盘的底面、第一坝条和第二坝条的底面均采用刻蚀处理。2.根据权利要求1所述的一种引线框架，其特征在于，芯片焊盘的顶面外沿、第一引脚的端部顶面、第一坝条的顶面上设有镀银区域。3.根据权利要求2所述的一种引线框架，其特征在于，芯片焊盘为宽度3.8mm的正方形；镀银区域为与芯片焊盘同心的回字形结构；回字形结构的内边距离芯片焊盘中心的距离为1.45～1.6mm；回字形结构的外边距离芯片焊盘中心的距离为2.3～2.5mm。4.根据权利要求3所述的一种引线框架，其特征在于，采用半刻蚀处理的刻蚀厚度均为0.1mm。5.根据权利要求4所述的一种引线框架，其特征在于，第一坝条的中心线经过芯片焊盘的中心；左右两侧的第二坝条距离芯片焊盘中心的距离为2.56mm；左右两侧的第二坝条的宽度为0.18mm
±
0.025；上下两侧的第二坝条距离芯片焊盘中心的距离为2.575mm；上下两侧的第二坝条的宽度为0.15mm
±
0.025。6.根据权利要求5所述的一种引线框架，其特征在于，相邻的第一引脚之间的间距为0.4mm；第一引脚的端部到芯片焊盘中心的距离为2.05mm；芯片焊盘底面的方环形区域的外边距离芯片焊盘中心1.9mm；芯片焊盘底面的方环形区域的内边距离芯片焊盘中心1.8mm；方环形区域的右上侧的内边角处设有0.3mm的直角倒角。7.根据权利要求6所述的一种引线框架，其特征在于，所述芯片区域呈矩形阵列分布在基板上。8.根据权利要求7所述的一种引线框架，其特征在于，边角盘上设有4个标记孔。9.根据权利要求8所述的一种引线框架，其特征在于，全部芯片区域外侧的基板上还设有矩形的塑封线槽。
技术总结
本实用新型提供了一种引线框架，涉及集成电路技术领域，所述引线框架由基板加工而成；其特征在于，基板的顶部设有多个芯片区域；所述芯片区域中心位置设有芯片焊盘；芯片焊盘的四个边角位置均通过第一坝条连接边角盘；相邻的边角盘之间设有第二坝条；第二坝条的内侧设有十个第一引脚；第二坝条的外侧设有与第一引脚相对应的十个第二引脚；第一引脚、第二引脚与第二坝条的连接处的顶面的两侧均采用刻蚀处理。本实用新型的一种引线框架强度高、导电、导热效果好；通过刻蚀产生背面嵌套结构，提高了可靠性；通过在特定的区域内镀银，不易褪色，在增加导电性的同时可抑制后续加工环氧树脂流迹现象的发生。流迹现象的发生。流迹现象的发生。
技术研发人员：袁锦新
受保护的技术使用者：上海东前电子科技有限公司
技术研发日：2022.02.09
技术公布日：2022/8/19