一种引线框架的制作方法

1.本实用新型涉及集成电路技术领域，尤其涉及一种引线框架。


背景技术：

2.引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引脚的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。
3.现有的引线框架可靠性差；容易发生变色，在后续环氧树脂粘结芯片时容易发生流迹现象。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的在于提供一种引线框架，以解决上述技术问题。
5.为实现上述目的，本实用新型所述的一种引线框架，所述引线框架由基板加工而成；基板的顶部设有多个芯片区域；所述芯片区域中心位置设有芯片焊盘；芯片焊盘的四个边角位置均通过第一坝条连接边角盘；相邻的边角盘之间设有第二坝条；第二坝条的内侧设有十个第一引脚；第二坝条的外侧设有与第一引脚相对应的十个第二引脚；第一引脚、第二引脚与第二坝条的连接处的顶面的两侧均采用刻蚀处理；第一引脚和第二引脚端部的底面采用刻蚀处理；芯片焊盘底面的外沿设有方环形区域；方环形区域的底面、边角盘的底面、第一坝条和第二坝条的底面均采用刻蚀处理。
6.进一步地，芯片焊盘的顶面外沿、第一引脚的端部顶面、第一坝条的顶面上设有镀银区域。
7.优选的，芯片焊盘为宽度3.8mm的正方形；镀银区域为与芯片焊盘同心的回字形结构；回字形结构的内边距离芯片焊盘中心的距离为1.45～1.6mm；回字形结构的外边距离芯片焊盘中心的距离为2.3～2.5mm。
8.优选的，采用半刻蚀处理的刻蚀厚度均为0.1mm；
9.优选的，第一坝条的中心线经过芯片焊盘的中心；
10.优选的，左右两侧的第二坝条距离芯片焊盘中心的距离为2.56mm；左右两侧的第二坝条的宽度为0.18mm
±
0.025；上下两侧的第二坝条距离芯片焊盘中心的距离为2.575mm；上下两侧的第二坝条的宽度为0.15mm
±
0.025；
11.优选的，相邻的第一引脚之间的间距为0.4mm；
12.优选的，第一引脚的端部到芯片焊盘中心的距离为2.05mm；
13.优选的，芯片焊盘底面的方环形区域的外边距离芯片焊盘中心1.9mm；芯片焊盘底面的方环形区域的内边距离芯片焊盘中心1.8mm；方环形区域的右上侧的内边角处设有0.3mm的直角倒角。
14.进一步地，所述芯片区域呈矩形阵列分布在基板上。
15.进一步地，边角盘上设有4个标记孔。
16.此外，全部芯片区域外侧的基板上还设有矩形的塑封线槽。
17.有益效果
18.本实用新型的一种引线框架强度高、导电、导热效果好；通过刻蚀产生背面嵌套结构，提高了可靠性；通过在特定的区域内镀银，不易褪色，在增加导电性的同时可抑制后续加工环氧树脂流迹现象的发生。
19.通过合理的布局和尺寸设计，保证待安装的芯片的导电性和强度。
附图说明
20.图1为本实用新型引线框架的整体结构顶面示意图。
21.图2为本实用新型芯片区域顶面的放大示意图。
22.图3为本实用新型芯片区域底面的放大示意图。
23.图4为本实用新型芯片区域顶面镀银区域的示意图。
24.图5为本实用新型图2中s-s截面图。
25.图6为本实用新型图2中l-l截面图。
26.图7为本实用新型图3中q-q截面图。
27.图8为本实用新型图3中n-n截面图。
具体实施方式
28.为使本实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。除非另外定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本文中使用的“包括”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。
29.针对现有技术存在的问题，本实用新型的实施例提供了一种引线框架。
30.实施例
31.如图1～8所示，一种引线框架，所述引线框架由基板1加工而成；加工方法通常为冲压或者刻蚀；引线框架上具有实体的结构均为基板1的一部分。基板1的顶部设有多个芯片区域2；所述芯片区域2中心位置设有芯片焊盘3；芯片焊盘3的四个边角位置均通过第一坝条4连接边角盘5；相邻的边角盘5之间设有第二坝条6；第二坝条6的内侧设有十个第一引脚7；第二坝条6的外侧设有与第一引脚7相对应的十个第二引脚8；第一引脚7、第二引脚8与第二坝条6的连接处的顶面的两侧均采用刻蚀处理，记作第一刻蚀区域9；第一引脚7和第二引脚8端部的底面采用刻蚀处理；记作第二刻蚀区域10；芯片焊盘3底面的外沿设有方环形区域11；方环形区域11的底面、边角盘5的底面、第一坝条4和第二坝条6的底面均采用刻蚀处理。
32.芯片焊盘3的顶面外沿、第一引脚7的端部顶面、第一坝条4的顶面上设有镀银区域
12。
33.芯片焊盘3为宽度3.8mm的正方形；镀银区域12为与芯片焊盘3同心的回字形结构；回字形结构的内边距离芯片焊盘3中心的距离为1.45～1.6mm；回字形结构的外边距离芯片焊盘3中心的距离为2.3～2.5mm。
34.采用半刻蚀处理的刻蚀厚度均为0.1mm；
35.第一坝条4的中心线经过芯片焊盘3的中心；
36.左右两侧的第二坝条6距离芯片焊盘3中心的距离为2.56mm；左右两侧的第二坝条6的宽度为0.18mm
±
0.025；上下两侧的第二坝条6距离芯片焊盘3中心的距离为2.575mm；上下两侧的第二坝条6的宽度为0.15mm
±
0.025；
37.相邻的第一引脚7之间的间距为0.4mm；
38.第一引脚7的端部到芯片焊盘3中心的距离为2.05mm；
39.芯片焊盘3底面的方环形区域11的外边距离芯片焊盘3中心1.9mm；芯片焊盘3底面的方环形区域11的内边距离芯片焊盘3中心1.8mm；方环形区域11的右上侧的内边角处设有0.3mm的直角倒角。
40.芯片区域2呈矩形阵列分布在基板1上。
41.边角盘5上设有4个标记孔13。
42.全部芯片区域2外侧的基板1上还设有矩形的塑封线槽14。
43.本实用新型的一种引线框架强度高、导电、导热效果好；通过刻蚀产生背面嵌套结构，提高了可靠性；通过在特定的区域内镀银，不易褪色，在增加导电性的同时可抑制后续加工环氧树脂流迹现象的发生。
44.通过合理的布局和尺寸设计，保证待安装的芯片的导电性和强度。
45.虽然在上文中详细说明了本实用新型的实施方式，但是对于本领域的技术人员来说显而易见的是，能够对这些实施方式进行各种修改和变化。但是，应理解，这种修改和变化都属于权利要求书中所述的本实用新型的范围和精神之内。而且，在此说明的本实用新型可有其它的实施方式，并且可通过多种方式实施或实现。