一种IGBT用高压突波缓冲吸收电容器的制作方法

文档序号:31041472发布日期:2022-08-06 04:24阅读:240来源:国知局
一种IGBT用高压突波缓冲吸收电容器的制作方法
一种igbt用高压突波缓冲吸收电容器
技术领域
1.本实用新型涉及igbt模块用电容器技术领域,尤其涉及一种igbt用高压突波缓冲吸收电容器。


背景技术:

2.igbt模块是由igbt与fwd通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,封装后的igbt模块直接应用于变频器、ups不间断电源等设备上。
3.现有的igbt大多为单芯结构,单芯结构的电容器具有热量较大,同时电压较小不能对高压突波进行缓冲吸收,同时电容器的外壳采用单一的铝合金材质制成,抗冲击能力较差。
4.因此需要一种igbt用高压突波缓冲吸收电容器,能够提高电容器的使用电压,提高整体的电容器抗冲击能力,保证使用寿命。


技术实现要素:

5.本实用新型的目的在于提供一种igbt用高压突波缓冲吸收电容器,旨在改善上述的问题。
6.本实用新型是这样实现的:
7.一种igbt用高压突波缓冲吸收电容器,包括外壳、硬质绝缘内胆壳、端子组件和电容组件,其中外壳的内部设置有硬质绝缘内胆壳,且硬质绝缘内胆壳的顶端贯穿设置,硬质绝缘内胆壳的内部设置有电容组件,且硬质绝缘内胆壳的顶部开口处设置有端子组件,电容组件包括电容元件,电容元件设置在硬质绝缘内胆壳的内部,且电容元件与硬质绝缘内胆壳之间填充有绝缘填料。
8.通过采用上述技术方案,利用在电容组件外部设置硬质绝缘内胆壳,并且在硬质绝缘内胆壳外部设置外壳,硬质绝缘内胆壳和外壳之间通过金属材质支条和支片,一体成型设置,双层结构的设置能够提高单一外壳下的整体抗冲击性。
9.进一步的,电容元件包括电容素子、卷芯和电极端片,其中卷芯设置有多个,且多个卷芯的外部均套设电容素子,电容素子的上下两端均连接有电极端片,且电极端片与卷芯并联连接。
10.通过采用上述技术方案,多个卷芯的设置单芯结构改为多芯并联结构,降低了产品的等效串联电阻。芯子采用内串结构,提高了产品电压,减小了产品尺寸,电容素子两端分别连接上下两组电极端片,卷芯配装在电容素子的环形内侧面上,上述电容素子是卷绕在卷芯上的中空素子。
11.进一步的,电容素子中上下两端的电极端片上均连接有导线。
12.通过采用上述技术方案,上下两组电极端片分别连接各自的引出导线,用于后期与接线端子连接。
13.进一步的,端子组件包括支框、软垫和两根接线端子,其中支框固定插接在硬质绝
缘内胆壳的顶端开口处,且支框上竖直贯穿固定有两根接线端子,支框的顶面上固定粘接有软垫,且软垫中水平固定有多根中空结构的弹力筒。
14.通过采用上述技术方案,利用将支框封堵绝缘内胆壳的顶端开口处,并且安装接线端子,同时软垫中配合弹力筒,用于提高顶端的抗冲击性。
15.进一步的,电容素子中上下两端电极端片的导线分别于接线端子连接。
16.通过采用上述技术方案,电容素子中上下两端电极端片的导线分别于接线端子连接,从而形成正负电极。
17.进一步的,硬质绝缘内胆壳的外部端面上竖直固定有支条,且支条与外壳的内部固定连接,硬质绝缘内胆壳的外部端面上水平固定有多块支片,且多块支片的一端固定在外壳的内壁上。
18.通过采用上述技术方案,利用硬质绝缘内胆壳和外壳之间通过金属材质支条和支片,一体成型设置,从而提升真题抗冲击性。
19.与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型(1)、利用在电容组件外部设置硬质绝缘内胆壳,并且在硬质绝缘内胆壳外部设置外壳,硬质绝缘内胆壳和外壳之间通过金属材质支条和支片,一体成型设置,双层结构的设置能够提高单一外壳下的整体抗冲击性;
20.(2)、多个卷芯的设置单芯结构改为多芯并联结构,降低了产品的等效串联电阻,芯子采用内串结构,提高了产品电压,减小了产品尺寸,电容素子两端分别连接上下两组电极端片,卷芯配装在电容素子的环形内侧面上,上述电容素子是卷绕在卷芯上的中空素子;
21.(3)、利用将支框封堵绝缘内胆壳的顶端开口处,并且安装接线端子,同时软垫中配合弹力筒,用于提高顶端的抗冲击性。
附图说明
22.为了更清楚地说明本实用新型实施方式的技术方案,下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
23.图1是本实用新型的整体结构示意图;
24.图2是本实用新型的分解结构示意图;
25.图3是本实用新型实施例中端子组件的分解结构示意图;
26.图4是本实用新型实施例中电容组件的分解结构示意图;
27.图5是本实用新型实施例中端子元件的分解结构示意图。
28.图中:1、外壳;2、硬质绝缘内胆壳;21、支条;22、支片;3、端子组件;31、支框;32、软垫;33、弹力筒;34、接线端子;4、电容组件;41、绝缘填料;42、电容元件;421、电容素子;422、卷芯;423、电极端片。
具体实施方式
29.为使本实用新型实施方式的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施方式中的附图,对本实用新型实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述,显
然,所描述的实施方式是本实用新型一部分实施方式,而不是全部的实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。因此,以下对在附图中提供的本实用新型的实施方式的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围,而是仅仅表示本实用新型的选定实施方式。基于本实用新型中的实施方式,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式,都属于本实用新型保护的范围。
30.请参阅图1、图2、图3、图4和图5所示,一种igbt用高压突波缓冲吸收电容器,包括外壳1、硬质绝缘内胆壳2、端子组件3和电容组件4,其中外壳1的内部设置有硬质绝缘内胆壳2,且硬质绝缘内胆壳2的顶端贯穿设置,硬质绝缘内胆壳2的内部设置有电容组件4,且硬质绝缘内胆壳2的顶部开口处设置有端子组件3,电容组件4包括电容元件42,电容元件42设置在硬质绝缘内胆壳2的内部,且电容元件42与硬质绝缘内胆壳2之间填充有绝缘填料41,绝缘填料41由原来的环氧树脂改为散热性较好的聚氨酯树脂,增加产品的散热性。
31.通过采用上述技术方案,利用在电容组件4外部设置硬质绝缘内胆壳2,并且在硬质绝缘内胆壳2外部设置外壳1,硬质绝缘内胆壳2和外壳1之间通过金属材质支条21和支片,一体成型设置,双层结构的设置能够提高单一外壳下的整体抗冲击性。
32.请参阅图4和图5,电容元件42包括电容素子421、卷芯422和电极端片423,其中卷芯422设置有多个,且多个卷芯422的外部均套设电容素子421,电容素子421的上下两端均连接有电极端片423,且电极端片423与卷芯422并联连接。多个卷芯422的设置单芯结构改为多芯并联结构,降低了产品的等效串联电阻。芯子采用内串结构,提高了产品电压,减小了产品尺寸,电容素子421两端分别连接上下两组电极端片423,卷芯422配装在电容素子421的环形内侧面上,上述电容素子421是卷绕在卷芯6上的中空素子。电容素子421中上下两端的电极端片423上均连接有导线,芯子由原来的镀锡铜线引出,改为芯子连接采用镀锡铜箔,再用镀锡铜线引出,增加了连接导体的面积,降低了接触电阻,减小了电容器的自身发热。上下两组电极端片423分别连接各自的引出导线,用于后期与接线端子423连接,电极端片423宽度相比现有的电极端片423减小,增大了芯子端面积,提高了耐纹波电流能力。
33.请参阅图3,端子组件3包括支框31、软垫32和两根接线端子34,其中支框31固定插接在硬质绝缘内胆壳2的顶端开口处,且支框31上竖直贯穿固定有两根接线端子34,支框31的顶面上固定粘接有软垫32,且软垫32中水平固定有多根中空结构的弹力筒33。利用将支框31封堵绝缘内胆壳2的顶端开口处,并且安装接线端子34,同时软垫32中配合弹力筒33,用于提高顶端的抗冲击性。
34.请参阅图4,电容素子421中上下两端电极端片423的导线分别于接线端子34连接。电容素子421中上下两端电极端片423的导线分别于接线端子34连接,从而形成正负电极。
35.请参阅图4,硬质绝缘内胆壳2的外部端面上竖直固定有支条21,且支条21与外壳1的内部固定连接,硬质绝缘内胆壳2的外部端面上水平固定有多块支片22,且多块支片22的一端固定在外壳1的内壁上。利用硬质绝缘内胆壳2和外壳1之间通过金属材质支条21和支片22,一体成型设置,从而提升真题抗冲击性,硬质绝缘内胆壳2和外壳1采用聚苯并咪唑工程塑料制成,具有绝缘和抗冲击性强的优点。
36.以上所述仅为本实用新型的优选实施方式而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原
则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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