技术特征：
1.一种测试电路结构，其特征在于，包括前层金属层、当层金属层和位于所述前层金属层和当层金属层之间的多个当层金属通孔，所述当层金属层堆叠设置在所述前层金属层的上方，所述当层金属通孔将所述前层金属层和当层金属层串联连接；所述当层金属层包括多个当层金属导线和两个当层量测电极，所有所述当层金属导线通过所述当层金属通孔与所述前层金属层串联形成串联电路，两个所述当层量测电极分别连接所述串联电路两端的两个所述当层金属导线，其中，所述当层量测电极的面积的取值范围为s～9s，其中，s为制程节点的规范最小面积。2.如权利要求1所述的测试电路结构，其特征在于，所述当层量测电极为正方形，且所述当层量测电极的长和宽的取值范围均为3.如权利要求2所述的测试电路结构，其特征在于，所述当层量测电极的长和宽的取值范围为4.如权利要求1所述的测试电路结构，其特征在于，在28nm制程节点中，所述当层量测电极的长和宽的取值范围均为45nm～100nm。5.如权利要求4所述的测试电路结构，其特征在于，在28nm制程节点中，所述当层量测电极的长和宽的取值范围均为45nm～90nm。6.如权利要求1所述的测试电路结构，其特征在于，所述前层金属层包括多个阵列分布的前层金属导线，所有所述当层金属导线呈阵列分布，且每个所述前层金属导线均与相邻设置的两个所述当层金属导线串联连接，其中，所述当层金属导线的延伸方向与所述前层金属导线的延伸方向相同。7.如权利要求1所述的测试电路结构，其特征在于，还包括后层金属层和两个后层金属通孔，所述后层金属层位于所述当层金属层的上方，两个所述后层金属通孔位于所述后层金属层和当层金属层之间，且连接所述后层金属层和当层金属层。8.如权利要求7所述的测试电路结构，其特征在于，所述后层金属层包括两个后层量测电极，两个所述后层量测电极分别通过一个所述后层金属通孔连接两个所述当层量测电极。9.如权利要求8所述的测试电路结构，其特征在于，所述后层量测电极的面积远大于所述当层量测电极的面积。10.如权利要求9所述的测试电路结构，其特征在于，所述后层量测电极的形状为正方形，且在28nm制程节点中，所述后层量测电极的面积取值为50μm*50μm。
技术总结
本实用新型提供一种测试电路结构，包括前层金属层、当层金属层和多个当层金属通孔，当层金属通孔将所述前层金属层和当层金属层串联连接；当层金属层包括多个当层金属导线和两个当层量测电极，所有当层金属导线通过当层金属通孔与前层金属层串联形成串联电路，两个当层量测电极分别连接串联电路两端的两个当层金属导线，当层量测电极的面积的取值范围为S～9S，其中，S为制程节点的规范最小面积。本实用新型通过缩小当层量测电极的面积，使得其远小于现有技术中的当层量测电极的面积，从而利用电子束缺陷扫描机检测当层金属通孔中是否存在缺陷，并根据检测结果判断出当层金属通孔中是否存在缺陷。中是否存在缺陷。中是否存在缺陷。
技术研发人员：李建政 陈冠中 郑志成 林智伟 郭哲劭
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2022.05.25
技术公布日：2022/9/16