技术特征：
1.一种用于红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述处理装置包括真空吸盘、抛光装置和测量装置，所述真空吸盘位于所述抛光装置上；所述真空吸盘用于真空吸附贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片；所述抛光装置用于对吸附在所述真空吸盘上的贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片进行减薄抛光处理；所述测量装置用于在保持减薄抛光处理后的红外焦平面晶片真空吸附的状态下测量所述红外焦平面晶片的平面度；并在判断出所述平面度大于预设平面度时，调整减薄抛光参数以使得所述红外焦平面晶片的平面度小于等于所述预设平面度。2.如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述处理装置还包括旋涂装置、热烘装置、贴胶膜装置、去胶膜装置和清洗装置；所述旋涂装置用于在所述红外焦平面晶片的正面旋涂光刻胶；所述热烘装置用于对旋涂光刻胶的红外焦平面晶片进行热烘处理；所述贴胶膜装置用于在热烘处理后的红外焦平面晶片上贴附研磨胶膜层；所述去胶膜装置用于去除红外焦平面晶片上贴附的研磨胶膜层；所述清洗装置用于清洗所述红外焦平面晶片上的光刻胶。3.如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述抛光装置用于按照粗抛条件对吸附在所述真空吸盘上的贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片进行减薄粗抛光处理；所述抛光装置还用于按照精抛条件对减薄粗抛光处理后的贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片进行减薄精抛光处理。4.如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述真空吸盘包括容纳腔、不同直径的环形沟道、线形沟道和真空孔；所述容纳腔设置于所述真空吸盘反面的中间部位，所述不同直径的环形沟道设置于所述真空吸盘正面的中间部位；所述不同直径的环形沟道通过所述线形沟道相连通；所述真空孔设置于所述环形沟道与线形沟道的相交处。5.如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述真空吸盘为圆形。6.如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述真空吸盘的直径和厚度均与所述抛光装置的直径和厚度相匹配。7.如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述真空吸盘的材质为聚四氟乙烯或陶瓷。8.如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述减薄抛光参数包括压力值和转速值中的至少一种。9.如权利要求1所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述预设平面度为1微米。10.如权利要求3所述的红外焦平面晶片的处理装置，其特征在于，所述粗抛条件为压力值大于等于0.1kg/cm2且小于等于0.4kg/cm2，以及转速值大于等于40r/min且小于等于80r/min；所述精抛条件为压力值大于等于0.2kg/cm2且小于等于0.5kg/cm2，以及转速值大于等于45r/min且小于等于90r/min。
技术总结
本实用新型公开了一种用于红外焦平面晶片的处理装置，包括真空吸盘、抛光装置和测量装置，真空吸盘用于真空吸附贴附有研磨胶膜层的红外焦平面晶片；抛光装置用于对红外焦平面晶片进行减薄抛光处理；测量装置用于测量红外焦平面晶片的平面度；并在判断出平面度大于预设平面度时，调整减薄抛光参数以使得晶片的平面度小于等于预设平面度。本实用新型通过抛光装置对吸附在真空吸盘上的红外焦平面晶片进行减薄抛光处理，通过测量装置在线测量红外焦平面晶片的平面度，通过调整减薄抛光参数直至红外焦平面晶片的平面度小于等于预设平面度，有效地评价后续倒装焊接时红外焦平面晶片的平面度，也有效衔接了倒装焊接过程中红外焦平面晶片的平面度控制。面晶片的平面度控制。面晶片的平面度控制。
技术研发人员：龚君挺 关智勇 姚元江 庄春泉 刘大福
受保护的技术使用者：无锡中科德芯感知科技有限公司
技术研发日：2022.06.09
技术公布日：2022/9/27