1.本实用新型涉及键盘领域，尤其涉及一种具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘。
背景技术：2.电磁污染已被公认为排在大气污染、水质污染、噪音污染之后的第四大公害，联合国人类环境大会将电磁辐射列入必须控制的主要污染物之一。据国外资料显示，电磁辐射已成为当今危害人类健康的致病源之一。
3.随着信息科技的不断发展，现在计算机已经渗透应用到各行各业，成为人们生活中必不可少的工具之一，在人们的工作、学习或生活起着举足轻重的作用。但是，电子化程度越高，电子设备在使用过程中都会或多或少地产生电磁污染；计算机系统泄露的电磁信号，还可通过高技术手段来复原和获取情报，使它成为了一种重要的窃密途径。如何有效减少电磁辐射，防止电磁干扰，也成为研究和关注的重要内容，相应的各种电磁防护技术也得到了发展。
4.现有对计算机系统进行电磁防护的产品中，最大的缺陷是没有对置于屏蔽体外的设备例如键盘实施电磁防护，键盘是用于操作电脑设备运行的一种指令和数据输入装置，也指经过系统安排操作一台机器或设备的一组功能键(如打字机、电脑键盘)。键盘是最常用也是最主要的输入设备，通过键盘可以将英文字母、汉字、数字、标点符号等输入到计算机中，从而向计算机发出命令、输入数据等。使用时，键盘与人手直接接触，其中的电磁污染也较为严重，同时由键盘辐射出去的电磁信息也容易被捕获，会发生信息泄露，造成安全隐患。
技术实现要素：5.本实用新型的目的在于提供一种具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘，具备良好的抗辐射和屏蔽功能，满足更多应用场合需求。
6.为了达到上述目的，本实用新型提供了一种具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘，包括相对设置的上盖与下盖、以及设于上盖及下盖之间的按键模组，所述按键模组具有键帽，该键帽露出于上盖；所述上盖、下盖及键帽的表面设有屏蔽层，所述屏蔽层具有多孔钴酸镍纳米纤维结构，该多孔钴酸镍纳米纤维结构经过双重模板方法处理，兼备电磁吸收和绿色屏蔽功能。
7.通过静电纺丝和分步热处理相结合的方法在键盘的上盖、下盖及键帽上分别得到具有多孔钴酸镍纳米纤维结构的屏蔽层。
8.所述屏蔽层位于上盖的上表面、键帽的上表面及下盖的下表面。
9.所述屏蔽层位于上盖的下表面、键帽的下表面及下盖的上表面。
10.所述屏蔽层的厚度小于等于100μm，所述钴酸镍纳米纤维结构的粒径小于等于7μm。
11.所述屏蔽层的体积电阻率小于等于0.01ω
·
cm。
12.所述屏蔽层的电磁屏蔽效能大于等于40db。
13.所述上盖、键帽及下盖的材料为abs塑料。
14.所述具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘为高行程键盘、静音键盘或超薄二合一键盘。
15.所述具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘用于操控台式电脑、平板电脑、笔记本电脑或智能电视。
16.本实用新型的有益效果：本实用新型提供的一种具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘，采用静电纺丝和分步热处理相结合的技术方式处理键盘的壳体(上盖、下盖及键帽)表面，在壳体表面形成具有多孔钴酸镍纳米纤维结构的屏蔽层，无需占用任何空间，无需单独开模的成本，满足更多应用场合需求。并且通过静电纺丝和分步热处理相结合的技术可以精准调控钴酸镍纳米纤维结构，使其具备良好的抗辐射和屏蔽功能，可不受键盘的壳体尺寸的限制，可大规模批量性进行生产。可应用在工作环境相对恶劣的场合，例如对于抗辐射能力和屏蔽效果具有较高标准的pc(即个人电脑，包括台式电脑、平板电脑、笔记本电脑等)、智能电视等应用领域，具有良好的经济效益和价值。
附图说明
17.为了能更进一步了解本实用新型的特征以及技术内容，请参阅以下有关本实用新型的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本实用新型加以限制。
18.附图中，
19.图1为本实用新型的具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘的立体图；
20.图2为本实用新型的具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘的立体分解图；
21.图3为本实用新型的一实施例的上盖的局部剖视图；
22.图4为本实用新型的一实施例的键帽的局部剖视图；
23.图5为本实用新型的一实施例的下盖的局部剖视图；
24.图6为本实用新型的另一实施例的上盖的局部剖视图；
25.图7为本实用新型的另一实施例的键帽的局部剖视图；
26.图8为本实用新型的另一实施例的下盖的局部剖视图。
具体实施方式
27.为更进一步阐述本实用新型所采取的技术手段及其效果，以下结合本实用新型的优选实施例及其附图进行详细描述。
28.请参阅图1及图2，本实用新型提供一种具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘，包括相对设置的上盖21与下盖22、以及设于上盖21及下盖22之间的按键模组23，所述按键模组23具有键帽231，该键帽231露出于上盖21。所述上盖21、下盖22及键帽231的表面设有屏蔽层4，所述屏蔽层4具有多孔钴酸镍纳米纤维结构，该多孔钴酸镍纳米纤维结构经过双重模板方法处理，兼备电磁吸收和绿色屏蔽功能。
29.双重模板方法处理多孔钴酸镍纳米纤维结构的原理为：
30.通过静电纺丝和分步热处理相结合的方法在键盘的上盖21、下盖22及键帽231上分别得到具有多孔钴酸镍纳米纤维结构的屏蔽层4，而两者相结合的工艺可精准控制钴酸
镍纳米纤维生长：静电纺丝制备含镍钴离子的pan前驱体纤维，碳化前驱体形成ni-co@c纤维，氧化ni-co@c纤维形成钴酸镍纳米纤维。
31.利用双重模板对多孔钴酸镍纳米纤维微结构的调控机制：ni-co@c纤维中碳和ni-co颗粒可作为双重模板，支撑多孔钴酸镍颗粒组装成纳米纤维，温度和ni-co颗粒表面形态对钴酸镍纳米纤维最终形貌有很大影响。温度过高时，碳纤维过细，难以维持后续氧化过程。ni-co颗粒表面存在孔隙时，氧能从空隙渗入，形成多腔钴酸镍颗粒。
32.碳化温度对钴酸镍纤维的生长有重要调控作用：碳化温度为700℃时，钴酸镍纤维结构坍塌。碳化温度为500℃和600℃时，钴酸镍颗粒能够组装成纳米纤维n1和n2。随负载量增加，n1复合材料的电磁吸收性能先增加后降低，而n2单调降低。这是由于负载量增加，电导网络建立逐渐完善，电导率增加，导致阻抗逐渐失配、反射增加。
33.同时多孔钴酸镍纳米纤维也具有有效的屏蔽性能：随复合材料电导率升高，屏蔽性能逐渐增强。并且，屏蔽性能主要来源于吸收的贡献(sea)。90wt％n2电导率最大，能够同时获得13.4db的屏蔽性能和-10.5db的吸收性能。绿色屏蔽指数(gs)是评估材料环境友好性的一项指标，对于钴酸镍复合多孔材料，所有样品的gs都大于1，证明材料的二次反射污染相对较小，显示出绿色屏蔽性能。
34.在一实施例中，如图3、图4及图5所示，所述屏蔽层4位于上盖21的上表面、键帽231的上表面及下盖22的下表面。
35.在另一实施例中，如图6、图7及图8所示，所述屏蔽层4位于上盖21的下表面、键帽231的下表面及下盖22的上表面。
36.具体地，所述屏蔽层4的厚度小于等于100μm，体积电阻率小于等于0.01ω
·
cm，电磁屏蔽效能(se)大于等于40db。所述钴酸镍纳米纤维的粒径小于等于7μm。
37.所述上盖21、下盖22及键帽231的材料为abs塑料(由丙烯腈a、丁二烯b及苯乙烯s三种单体的三元共聚物制成)。
38.所述具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘可以为高行程键盘、静音键盘或超薄二合一键盘。
39.本实用新型在键盘的壳体(上盖21、下盖22及键帽231)表面采用静电纺丝和分步热处理相结合的技术方式处理得到具有多孔钴酸镍纳米纤维结构的屏蔽层，所述多孔钴酸镍纳米纤维结构具有轻质、高比表面积、高孔隙率、高吸收、高比强度、丰富的电子传输通道及制备成本低等优势。能够带给用户舒适的体验，可应用于特殊公众场合，例如商务办公楼、学校实验室及科研院所等，具有抗辐射能力强、屏蔽效果好、无污染、安全性高等特点。
40.该具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘具备以下优点：
41.(a)、能够有效实现对键盘的电磁辐射(或干扰)进行隔离和屏蔽效果，进而可以防辐射，保证使用者的身体健康。
42.(b)、不破坏键盘整体结构和布局，重量轻盈。
43.(c)、能满足用户所需的抗辐射和屏蔽的使用需求。
44.(d)、使用平均寿命为15万小时以上，同时能够连续不断地提供具有活性的、具有抗辐射和屏蔽功能的多孔钴酸镍纳米纤维结构，且不会对人体和空气造成伤害。
45.综上所述，本实用新型提供的一种具有抗电磁辐射和屏蔽功能的键盘，采用静电纺丝和分步热处理相结合的技术方式处理键盘的壳体(上盖、下盖及键帽)表面，在壳体表
面形成具有多孔钴酸镍纳米纤维结构的屏蔽层，无需占用任何空间，无需单独开模的成本，满足更多应用场合需求。并且通过静电纺丝和分步热处理相结合的技术可以精准调控钴酸镍纳米纤维结构，使其具备良好的抗辐射和屏蔽功能，可不受键盘的壳体尺寸的限制，可大规模批量性进行生产。可应用在工作环境相对恶劣的场合，例如对于抗辐射能力和屏蔽效果具有较高标准的pc(即个人电脑，包括台式电脑、平板电脑、笔记本电脑等)、智能电视等应用领域，具有良好的经济效益和价值。
46.以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本实用新型的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本实用新型后附的权利要求的保护范围。