扫描电镜二次电子探测器的制作方法

1.本实用新型涉及扫描电镜领域，尤其是涉及一种扫描电镜二次电子探测器。


背景技术：

2.sem(scanning electron microscope，扫描电子显微镜)是一种用于高分辨率微区形貌分析的大型精密仪器，其在材料、生命科学等领域有着非常广泛的应用。sem的测样动作是高能电子束打在固定在标准样品托表面的试样品上，试验品表面被高能电子束轰击出来并离开样品表面的样品原子的核外电子称为二次电子，由于二次电子对样品的表面形貌十分敏感，由此，能有效的显示样品的表面形貌，因此sem的主要成像方式是二次电子像。
3.其中，在sem应用中，扫描电镜二次电子探测器用于收集和分析二次电子，而在扫描电镜二次电子探测器中，高压线用于为闪烁体提供20kv的高压，使得闪烁体可以将收集的二次电子转化为光信号。在现有的扫描电镜二次电子探测器中，部分高压线处于非真空的环境，在高压线传输高压时，容易对电信号产生干扰，从而影响二次电子的成像。


技术实现要素：

4.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种扫描电镜二次电子探测器，所述扫描电镜二次电子探测器的成像效果更清晰。
5.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，包括：筒体组件，所述筒体组件内形成第一容纳空间，所述第一容纳空间的轴向两端敞开，所述筒体组件的周壁具有贯穿孔；栅网组件，所述栅网组件设于所述筒体组件的轴向一端；导光柱，所述导光柱设于所述第一容纳空间内；闪烁体，所述闪烁体设于所述导光柱的朝向所述栅网组件的一侧，并与所述导光柱止抵；高压线，所述高压线设于所述第一容纳空间内，所述高压线的一端适于与所述闪烁体电连接；馈电组件，所述馈电组件的馈电端具有馈口，所述馈口内具有馈电针，所述高压线的另一端穿过所述贯穿孔与所述馈电针连接；kf法兰支架，所述kf法兰支架设于所述馈电端和所述筒体组件之间；紧固件，所述紧固件设于所述馈电端的远离所述筒体组件中心线的一侧，所述紧固件上设有供所述馈电组件穿过的避让孔，所述紧固件与所述筒体组件连接用于将所述馈电组件和所述kf法兰支架固定于所述筒体组件；外壳，所述外壳具有第二容纳空间，所述外壳的一端与所述筒体组件的远离所述栅网组件的一端连接，所述第一容纳空间和所述第二容纳空间连通；光电倍增管，所述光电倍增管设于所述第二容纳空间内，所述导光柱的远离所述闪烁体的一端伸入所述第二容纳空间内与所述光电倍增管止抵；电源，所述电源设于所述第二容纳空间内且位于所述光电倍增管的远离所述导光柱的一侧且与所述光电倍增管连接。
6.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，通过在馈电组件的馈电端设置馈口，馈口内具有馈电针，馈电针与高压线的另一端通过贯穿孔连接，kf法兰支架设于馈电端和筒体组件之间，紧固件与筒体组件连接用于将馈电组件和kf法兰支架固定于筒体组件，实现从馈口到第一容纳空间的密封性，从而保证高压线和馈电针处在密封的空间内，进
而保证扫描电镜二次电子探测器工作时，高压线和馈电针位于真空密封的环境内，有效减少高压线对电信号的干扰，使二次电子成像更加清晰。同时，由于高压线全部位于真空密封的环境内，使得扫描电镜二次电子探测器整体结构紧凑，占用空间少，有效地解决了扫描电镜二次电子探测器布局空间不足的问题。另外，扫描电镜二次电子探测器的部件可以预先装配后，直接将扫描电镜二次电子探测器与sem预留的安装孔连接，由此，使用该扫描电镜二次电子探测器的sem安装便捷，提高sem整体的安装效率。
7.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述筒体组件包括：屏蔽筒，所述栅网组件设于所述屏蔽筒轴向方向的一端；法兰，所述法兰与所述屏蔽筒的远离所述栅网组件的一端连接；压盖，所述压盖与所述法兰的远离所述屏蔽筒的一端连接，所述压盖、所述法兰和所述屏蔽筒限定出所述第一容纳空间，所述贯穿孔设于所述压盖上。
8.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述扫描电镜二次电子探测器还包括导向块，所述导向块套固定设于所述第一容纳空间内且套设于所述导光柱上，所述导向块的周壁上具有沿所述导向块的轴向方向延伸的导向凸起，所述屏蔽筒、所述法兰和所述压盖中的至少一个的内周壁设有与所述导向凸起配合的导向槽。
9.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述导向块包括第一导向段和第二导向段，所述第一导向段位于所述第二导向段的远离所述栅网组件的一端，所述第一导向段的外周壁的径向尺寸大于所述第二导向段的外周壁的径向尺寸，所述第一导向段的朝向所述第二导向段的表面与所述屏蔽筒的远离所述栅网组件的一端止抵。
10.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述导光柱的外周壁上设有沿所述导光柱的周向方向延伸的限位凸起，所述限位凸起与所述导向块的远离所述栅网组件的一端止抵。
11.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述导向块的周壁上设有沿所述导向块的轴向方向延伸的供所述高压线通过的避让通道，所述避让通道从所述导向块的轴向一端延伸至另一端。
12.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述筒体组件和所述栅网组件中的一个上设有第一定位缺口，另一个上设有与所述第一定位缺口配合的第一定位凸起。
13.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述栅网组件包括：金属支架，所述金属支架设于所述筒体组件上；栅网，所述栅网设于所述金属支架上；绝缘圈，所述绝缘圈设于所述金属支架和所述筒体组件之间。
14.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述金属支架和所述绝缘圈中的一个上设有第二定位缺口，另一个上设有与所述第二定位缺口配合的第二定位凸起。
15.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器，所述扫描电镜二次电子探测器还包括：导电环，所述导电环套设于所述导光柱上，所述高压线位于所述导电环和所述导光柱之间；支撑环，所述支撑环套设于所述导电环和所述导光柱外，所述闪烁体固定于所述支撑环内；锁紧件，所述锁紧件穿设在所述支撑环上且一端与所述导电环止抵。
16.本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
附图说明
17.本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
18.图1是根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器的立体图；
19.图2是根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器的剖面图；
20.图3是图2中a处的放大图；
21.图4是根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器的kf法兰支架、馈电组件、紧固件、压盖和高压线的局部爆炸图；
22.图5是根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器的屏蔽筒、法兰、导向块和压盖的局部爆炸图；
23.图6根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器的屏蔽筒、法兰、导向块和压盖的另一个角度的局部爆炸图；
24.图7根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器的屏蔽筒和栅网组件的局部爆炸图；
25.图8是图2中b处的放大图；
26.图9是图7中c处的放大图。
27.附图标记：
28.100、扫描电镜二次电子探测器；
29.1、高压线；
30.2、筒体组件；21、第一容纳空间；22、屏蔽筒；221、第一定位缺口；23、法兰；231、第一密封圈；232、第二密封圈；233、导向槽；24、压盖；241、贯穿孔；242、第三密封圈；
31.3、栅网组件；31、金属支架；311、第二定位缺口；32、栅网；33、绝缘圈；331、第一定位凸起；332、第二定位凸起；
32.4、导光柱；41、限位凸起；
33.5、闪烁体；
34.6、馈电组件；61、馈电端；611、馈口；6111、馈电针；
35.7、kf法兰支架；71、第一kf法兰接头；72、第二kf法兰接头；73、kf法兰；
36.8、紧固件；81、避让孔；82、紧固空间；
37.9、外壳；91、第二容纳空间；92、壳体；93、端盖；931、电信号接头；
38.10、光电倍增管；101、凸接电头；
39.11、电源；111、凹槽；
40.12、导向块；121、导向凸起；122、第一导向段；123、第二导向段；124、避让通道；
41.13、导电环；
42.14、支撑环；141、锁紧孔；142、止挡部；
43.15、锁紧件。
具体实施方式
44.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参
考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
45.在本实用新型的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。此外，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
46.下面参考图1-图8描述根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器100。
47.如图1和图2所示，根据本实用新型一个实施例的扫描电镜二次电子探测器100包括筒体组件2、栅网组件3、导光柱4、闪烁体5、高压线1、馈电组件6、kf法兰支架7、紧固件8、外壳9、光电倍增管10和电源11。
48.具体地，如图1和图2所示，筒体组件2内形成第一容纳空间21，第一容纳空间21的轴向两端敞开，使得第一容纳空间21贯通，筒体组件2的周壁具有贯穿孔241。其中，栅网组件3设于筒体组件2的轴向一端，导光柱4设于第一容纳空间21内，闪烁体5设于导光柱4的朝向栅网组件3的一侧并与导光柱4止抵，高压线1设于第一容纳空间21内，高压线1的一端适于与闪烁体5电连接。可以理解的是，若将筒体组件2的轴向方向设为左右方向，如图2所示，栅网组件3设于筒体组件2的右端，闪烁体5位于栅网组件3的左侧，导光柱4位于闪烁体5的左侧。扫描电镜二次电子探测器100通过高压线1给闪烁体5供高压电，使得闪烁体5将栅网组件3吸收的电子转化为光信号，光信号再经导光柱4传输至光电倍增管10，经光电倍增管10转化为电信号输出至外接装置。优选地，导光柱4的直径可以为20mm。
49.如图3和图4所示，馈电组件6的馈电端61具有馈口611，馈口611内具有馈电针6111，高压线1的另一端穿过贯穿孔241与馈电针6111连接，由此，实现通过馈电组件6给高压线1输送高压电。优选地，高压线1与馈电针6111通过焊接连接。
50.kf法兰支架7设于馈电端61和筒体组件2之间。可以理解的是，kf法兰支架7靠近馈电端61一端的外壁与馈电端61的内壁贴合，kf法兰支架7靠近筒体组件2的外壁与筒体组件2的内壁贴合，馈电针6111经馈口611穿过kf法兰支架7与高压线1一端在贯穿孔241内连接。由此，通过kf法兰支架7实现从馈口611到第一容纳空间21的密封性，从而保证高压线1和馈电针6111处在密封的空间内，进而保证扫描电镜二次电子探测器100工作时，高压线1和馈电针6111位于真空密封的环境内，有效减少高压线1对电信号的干扰，使二次电子成像更加清晰。
51.进一步地，如图3和图4所示，kf法兰支架7包括从馈电组件6到筒体组件2方向上的第一kf法兰接头71、kf法兰73和第二kf法兰接头72。第一kf法兰接头71的径向尺寸小于馈电端61的径向尺寸，第二kf法兰接头72的径向尺寸小于与筒体组件2位于贯穿孔241处的径向尺寸，kf法兰73的径向尺寸大于馈电端61和筒体组件2位于贯穿孔241处的径向尺寸。由此，可以实现馈电端61与kf法兰73相抵，筒体组件2与kf法兰73相抵，通过kf法兰支架7实现密封从馈口611到第一容纳空间21之间的空间，从而保证扫描电镜二次电子探测器100工作时高压线1和馈电针6111处于真空密封的环境。
52.如图2至图4所示，紧固件8设于馈电端61的远离筒体组件2中心线的一侧，紧固件8上设有供馈电组件6穿过的避让孔81，由此可以实现供馈电组件6通过避让孔81穿过紧固件8。紧固件8与筒体组件2连接用于将馈电组件6和kf法兰支架7固定于筒体组件2。进一步地，紧固件8内还形成紧固空间82，紧固空间82与避让孔81连通。这样的设置可以使得馈电组件6和kf法兰支架7位于紧固件8的紧固空间82内，从而实现将馈电组件6和kf法兰支架7固定于筒体组件2，进一步保证了从馈口611到第一容纳空间21之间形成的密封空间的密封性。
53.如图1和图2所示，外壳9具有第二容纳空间91，外壳9的一端与筒体组件2的远离栅网组件3的一端连接，第一容纳空间21和第二容纳空间91连通，光电倍增管10设于第二容纳空间91内，导光柱4的远离闪烁体5的一端伸入第二容纳空间91内与光电倍增管10止抵，从而使经导光柱4传输的光信号传输至光电倍增管10上，通过光电倍增管10将光信号转化为电信号后输出至外部进行成像。
54.电源11设于第二容纳空间91内且位于光电倍增管10的远离导光柱4的一侧且与光电倍增管10连接，通过电源11为光电倍增管10提供电压，光电倍增管10对电信号进行电信号的放大和滤波。进一步地，光电倍增管10的远离导光柱4的一侧可设置凸接电头101，电源11的接近光电倍增管10的一侧设置有与凸接电头101配合的凹槽111，通过凸接电头101与凹槽111的配合实现电源11对光电倍增管10提供电压。
55.可选地，外壳9包括壳体92和端盖93，壳体92形成为筒状，壳体92的一端与筒体组件2的远离栅网组件3的一端连接，光电倍增管10和电源11设在壳体92内，端盖93设于壳体92的远离筒体组件2的一端，端盖93用于封堵壳体92的远离筒体组件2的一端的敞开口，由此便于光电倍增管10和电源11的安装和装配。同时，在端盖93上设有电信号接头931，通过电信号接头931将光电倍增管10转化的电信号输出至外接装置，通过所检测的电信号的强弱可分析二次电子的产额，从而测出样品表面的形貌。
56.根据本实用新型实施例的扫描电镜二次电子探测器100，通过在馈电组件6的馈电端61设置馈口611，馈口611内具有馈电针6111，馈电针6111与高压线1的另一端通过贯穿孔241连接，kf法兰支架7设于馈电端61和筒体组件2之间，紧固件8与筒体组件2连接用于将馈电组件6和kf法兰支架7固定于筒体组件2，实现从馈口611到第一容纳空间21的密封性，从而保证高压线1和馈电针6111处在密封的空间内，进而保证扫描电镜二次电子探测器100工作时，高压线1和馈电针6111位于真空密封的环境内，有效减少高压线1对电信号的干扰，使二次电子成像更加清晰。同时，由于高压线1全部位于真空密封的环境内，使得扫描电镜二次电子探测器100整体结构紧凑，占用空间少，有效地解决了扫描电镜二次电子探测器100布局空间不足的问题。另外，扫描电镜二次电子探测器100可以预先装配后，直接将扫描电镜二次电子探测器100与sem预留的安装孔连接，由此，使用该扫描电镜二次电子探测器100的sem安装便捷，提高sem整体的安装效率。
57.在本实用新型的一些实施例中，如图2-图5所示，筒体组件2包括屏蔽筒22、法兰23和压盖24。其中，栅网组件3设于屏蔽筒22轴向方向的一端。法兰23与屏蔽筒22的远离栅网组件3的一端连接，压盖24与法兰23的远离屏蔽筒22的一端连接，压盖24、法兰23和屏蔽筒22限定出第一容纳空间21，贯穿孔241设于压盖24上，可以理解的是，高压线1的一端位于屏蔽筒22内为闪烁体5提供高压，高压线1通过法兰23和压盖24，高压线1的另一端在贯穿孔241内与馈电针6111连接。同时，部分导光柱4、闪烁体5和部分高压线1设于屏蔽筒22内，通
过屏蔽筒22可以屏蔽外界噪声，从而减少对电信号的噪声污染，使扫描电镜二次电子探测器100的二次电子成像更加清晰。
58.进一步地，屏蔽筒22的周壁上开设有排气孔，通过排气孔可以保证扫描电镜二次电子探测器100在真空抽气时筒体组件2内的气体全部被抽出，从而保证扫描电镜二次电子探测器100工作时处于真空环境。
59.更进一步地，如图3所示，法兰23朝向栅网组件3的一侧表面上设有第一密封圈231。可以理解的是，在扫描电镜二次电子探测器100装配至试样品检测空间预留的装配孔时，法兰23朝向栅网组件3的部分位于检测空间内部，第一密封圈231用于密封法兰23与sem之间的间隙，从而使外界空气无法通过法兰23与sem之间的间隙进入真空环境中。法兰23和压盖24之间设有第二密封圈232，压盖24和导光柱4之间设有第三密封圈242，从而使外部空气无法通过法兰23和压盖24之间的间隙、压盖24和导光柱4之间的间隙进入真空环境中。
60.在本实用新型的一些实施例中，如图2、图5和图6所示，扫描电镜二次电子探测器100还包括导向块12，导向块12套固定设于第一容纳空间21内且套设于导光柱4上，导向块12的周壁上具有沿导向块12的轴向方向延伸的导向凸起121，屏蔽筒22、法兰23和压盖24中的至少一个的内周壁设有与导向凸起121配合的导向槽233。
61.可以理解的是，在扫描电镜二次电子探测工作时，栅网组件3与试样品之间的角度影响其收集二次电子的效率，因此，在装配过程中对栅网组件3的安装角度有一定的要求。栅网组件3的一端与屏蔽筒22一端连接，屏蔽筒22另一端与法兰23一端连接，法兰23另一端与压盖24连接，导向块12位于第一容纳空间21内且与屏蔽筒22、法兰23和压盖24的内周壁相抵，由此，在栅网组件3装配过程中，通过导向凸起121与导向槽233的配合起到导向和防呆的作用，保证了栅网组件3的安装角度，从而保证栅网组件3吸收二次电子的效率，进而提高扫描电镜二次电子探测器100的探测效率，同时提高扫描电镜二次电子探测器100的装配效率。需要说明的是，导向凸起121的数量在此不做限制，与导向凸起121配合的导向槽233的数量随导向凸起121的数量相对变化设置。
62.优选地，如图5和图6所示，屏蔽筒22、法兰23和压盖24的内周壁都设有导向凸起121配合的导向槽233，这样的设置进一步保证了栅网组件3的安装角度，有效地避免因装配错误导致扫描电镜二次电子探测器100的探测效率下降。
63.在本实用新型的一些实施例中，如图2、图5和图6所示，导向块12包括第一导向段122和第二导向段123，第一导向段122位于第二导向段123的远离栅网组件3的一端，第一导向段122的外周壁的径向尺寸大于第二导向段123的外周壁的径向尺寸，第一导向段122的朝向第二导向段123的表面与屏蔽筒22的远离栅网组件3的一端止抵。可以理解的是，通过第一导向段122与屏蔽筒22的止抵，法兰23与屏蔽筒22的远离栅网组件3的一端连接，由此实现屏蔽筒22的固定，当扫描电镜二次电子探测器100在sem中抽真空时，屏蔽筒22可以与导向块12止抵配合，从而避免发生由于内外压差导致屏蔽筒22被吸向样品侧的风险，进一步保证扫描电镜二次电子探测器100的可靠性。
64.在本实用新型的一些实施例中，如图2所示，导光柱4的外周壁上设有沿导光柱4的周向方向延伸的限位凸起41，限位凸起41与导向块12的远离栅网组件3的一端止抵。当扫描电镜二次电子探测器100在sem中抽真空时，由于导向块12固定于第一容纳空间21内且套设于导光柱4上，通过限位凸起41与导向块12的止抵配合，可以避免由于内外压差导致导光柱
4被吸向样品侧的风险，进一步保证扫描电镜二次电子探测器100的可靠性。
65.在本实用新型的一些实施例中，如图3、图5和图6所示，导向块12的周壁上设有沿导向块12的轴向方向延伸的供高压线1通过的避让通道124，避让通道124从导向块12的轴向一端延伸至另一端。可以理解的是，高压线1可以从导向块12上的避让通道124穿过进入屏蔽筒22内与闪烁体5电连接，这样的设置无需在扫描电镜二次电子探测器100上增加其他结构，就可以实现高压线1与闪烁体5的电连接，通过避让通道124的设置可以使得扫描电镜二次电子探测器100的整体结构更加紧凑，占用空间少，有效地解决了扫描电镜二次电子探测器100布局空间不足的问题。
66.在本实用新型的一些实施例中，筒体组件2和栅网组件3中的一个上设有第一定位缺口221，另一个上设有与第一定位缺口221配合的第一定位凸起331。在栅网组件3装配过程中，通过第一定位缺口221与第一定位凸起331的配合起到导向和防呆的作用，保证了栅网组件3的安装角度，从而保证栅网组件3吸收二次电子的效率，进而提高扫描电镜二次电子探测器100的探测效率，同时提高扫描电镜二次电子探测器100的工作装配效率。需要说明的是，第一定位缺口221的数量在此不做限制，与第一定位缺口221配合的第一定位凸起331的数量随第一定位缺口221的数量相对变化设置。
67.进一步地，屏蔽筒22和栅网组件3中的一个上设有第一定位缺口221，另一个上设有与第一定位缺口221配合的第一定位凸起331，图7和图9显示了第一定位缺口221设于屏蔽筒22用于示例说明的目的。
68.在本实用新型的一些实施例中，如图7-图9所示，栅网组件3包括金属支架31、栅网32和绝缘圈33。其中，金属支架31设于筒体组件2上，栅网32设于金属支架31上，绝缘圈33设于金属支架31和筒体组件2之间，绝缘圈33的设置可以有效绝缘金属支架31与筒体组件2。进一步地，金属支架31形成为环形，从而使栅网32远离试验品的一端成环形，进而提高栅网组件3吸收二次电子的效率。
69.进一步地，如图7所示，屏蔽筒22和绝缘圈33中的一个上设有第一定位缺口221，另一个上设有与第一定位缺口221配合的第一定位凸起331。在栅网组件3装配过程中，通过第一定位缺口221与第一定位凸起331的配合起到导向和防呆的作用，保证了栅网组件3的安装角度，从而保证栅网组件3吸收二次电子的效率。
70.在本实用新型的一些实施例中，如图7和图9所示，金属支架31和绝缘圈33中的一个上设有第二定位缺口311，另一个上设有与第二定位缺口311配合的第二定位凸起332。在栅网组件3装配过程中，通过第二定位缺口311与第二定位凸起332的配合起到导向和防呆的作用，保证了栅网组件3的安装角度，从而保证栅网组件3吸收二次电子的效率，进而提高扫描电镜二次电子探测器100的探测效率，同时提高扫描电镜二次电子探测工作装配效率。
71.需要说明的是，第二定位缺口311的数量在此不做限制，与第二定位缺口311配合的第二定位凸起332的数量随第二定位缺口311的数量相对变化设置。
72.进一步地，第一定位凸起331和第二定位凸起332均设置在绝缘圈33上，且两者在绝缘圈33的位置相对设置，这样可以在保证栅网组件3安装角度的同时提高生产效率和装配效率
73.在本实用新型的一些实施例中，如图8所示，扫描电镜二次电子探测器100还包括导电环13、支撑环14和锁紧件15。其中，导电环13套设于导光柱4上，高压线1位于导电环13
和导光柱4之间，支撑环14套设于导电环13和导光柱4外，闪烁体5固定于支撑环14内，锁紧件15穿设在支撑环14上且一端与导电环13止抵。可以理解的是，支撑环14上设有与锁紧件15相对的锁紧孔141，通过锁紧件15伸入锁紧孔141内与导电环13的外周壁止抵，实现支撑环14和导电环13固定在导光柱4上，同时，通过支撑环14将闪烁体5固定在支撑环14内且与导光柱4止抵，实现了闪烁体5的固定。在扫描电镜二次电子探测器100工作时，高压线1输出的高压电通过导电环13传递至支撑环14，再通过支撑环14传递至闪烁体5。需要说明的是，锁紧件15的数量再此不做限制，与锁紧件15配合的锁紧孔141的数量随锁紧件15的数量相对变化设置。
74.进一步地，支撑环14的朝向栅网组件3的一端设有向支撑环14的中心方向延伸的止挡部142，闪烁体5与止挡部142的远离栅网组件3的表面止抵。通过设置止挡部142对闪烁体5在筒体组件2的轴向方向上进行限位，从而使闪烁体5与导光柱4止抵，实现了闪烁体55固定，进而使闪烁体5转化的光信号可以通过导光柱4传输。
75.在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示意性实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本实用新型的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
76.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本实用新型的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由权利要求及其等同物限定。