一种带阶梯状磁屏蔽组的变压器的制作方法

1.本实用新型涉及变压器磁屏蔽领域，特别是一种带阶梯状磁屏蔽组的变压器。


背景技术：

2.大容量变压器在运行时一般都会产生漏磁，漏磁会使结构件的损耗增加，同时可能会发生局部过热。故变压器中会设置用于屏蔽漏磁的磁屏蔽件，一般来说，铁心柱外设置铁轭，铁轭下设置磁屏蔽件，磁屏蔽件一般为硅钢片叠积成的饼状结构，通常采用肺叶磁屏蔽板或多条磁屏板。在单台单柱变压器中，一般是采用多条磁屏板来进行磁屏蔽。
3.现有技术中，通常将多条磁屏板并列排布组成磁屏蔽件，在铁心的四周均布磁屏蔽件，使漏磁穿过磁屏板来进行漏磁屏蔽。之所以避免使用单块磁屏板进行磁屏蔽，是因为单块磁屏板的涡流过高，漏磁分布不均匀会造成过励磁或过热等隐患。但是采用多条磁屏板并列摆放在铁轭四周时，由于磁屏板的截面为矩形，其一角抵于铁心柱外的铁轭，周边留白较多，磁屏蔽效果不佳，会产生过大的磁滞和涡流损耗。


技术实现要素：

4.本实用新型克服了现有技术中变压器磁屏蔽效果不佳，会产生过大的磁滞和涡流损耗的不足，提供了一种带阶梯状磁屏蔽组的变压器，为达到上述目的，本实用新型采用的技术方案为：一种带阶梯状磁屏蔽组的变压器，包括：铁心柱、由若干硅钢片叠积形成且固定于铁心柱上的铁轭、与所述铁轭固定的夹件、设置于所述夹件上的支座，以及设置于所述支座上的磁屏蔽组；所述磁屏蔽组包括分布于所述铁心柱四周的四个磁屏蔽件，每个磁屏蔽件包括至少2个由硅钢片叠积成的磁屏板，靠近所述铁心柱的磁屏板为近磁屏板，所述近磁屏板靠近所述铁轭的一侧为阶梯状角，所述阶梯状角与靠近的铁轭边缘相配合。
5.本实用新型一个较佳实施例中，所述磁屏板上远离所述铁心柱的一端设置有接地穿孔，所述接地穿孔上设有接地片，所述接地片一端通过接地穿孔与所述磁屏板电连接，另一端与所述支座连接。
6.本实用新型一个较佳实施例中，所述磁屏板上靠近所述铁心柱的一端设置有固定穿孔，所述磁屏板通过固定穿孔固定在所述支座上，所述磁屏蔽件上还沿磁屏板的排列方向设置有绑带以辅助所述磁屏蔽件与所述支座的固定。
7.本实用新型一个较佳实施例中，所述铁轭的叠积方向为水平方向，所述磁屏板的叠积方向为竖直方向，所述铁轭端部的叠积宽度由近铁心柱侧至远铁心柱侧递减，所述近磁屏板中叠积硅钢片的宽度自上而下递减从而端面形成所述阶梯状角。
8.本实用新型一个较佳实施例中，所述阶梯状角的阶梯的单级高度与所述铁轭阶梯的单级高度的差值在1mm以下。
9.本实用新型一个较佳实施例中，所述铁轭的阶梯拟合直线与所述近磁屏板的阶梯拟合直线平行。
10.本实用新型一个较佳实施例中，所述铁轭与所述近磁屏板之间设置有绝缘隔板，
所述绝缘隔板包括两垫板以及设置在所述垫板之间的纸板，所述绝缘隔板与所述拟合直线平行。
11.本实用新型一个较佳实施例中，与所述近磁屏板相邻的磁屏板为次近磁屏板，所述次近磁屏板靠近所述铁轭的一侧为阶梯状角，所述阶梯状角与靠近的铁轭边缘相配合，所述次近磁屏板的端部阶梯级数以及单级高度与所述近磁屏板的端部阶梯级数以及单级高度相等。
12.本实用新型一个较佳实施例中，所述磁屏蔽件靠近所述铁心柱的表面设置有环氧树脂层。
13.本实用新型解决了背景技术中存在的缺陷，本实用新型具备以下有益效果：
14.本实用新型不仅能确保有更多的漏磁分量被均匀地疏导到磁屏蔽组中去，由于采取了绝缘隔板等限位措施，还可以在确保磁屏蔽组在变压器运行过程中的可靠性，大幅度降低杂散损耗的同时，有效避免了因漏磁通过于集中而发生局部过热或磁分路疏导效果不理想等现象。本实用新型具有结构合理、安装方便、漏磁通收集及疏导磁密分布趋于均匀、使用安全可靠、能有效降低产品杂散损耗等优势。
附图说明
15.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他实施例的附图。
16.图1为本实用新型一实施例中所述的一种带阶梯状磁屏蔽组的变压器的示意图；
17.图2为本实用新型一实施例中所述的一种带阶梯状磁屏蔽组的变压器中磁屏板与铁轭连接处示意图；
18.图3为本实用新型一实施例中所述的一种带阶梯状磁屏蔽组的变压器的磁屏蔽件位置示意图。
19.附图标记如下说明：10-铁心柱；20-铁轭；30-支座；401-近磁屏板；402
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次近磁屏板；411-固定穿孔；412-接地穿孔；413-接地片；50-绝缘隔板；601
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绑带。
具体实施方式
20.为了能够更加清楚地理解本实用新型的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本实用新型进行进一步的详细描述，这些附图均为简化的示意图，仅以示意方式说明本实用新型的基本结构，因此其仅显示与本实用新型有关的构成，需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
21.在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术保护范围的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或隐含指明所指示的技术特征的数量。因此，限定有“第一”、“第二”等的
特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本实用新型创造的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
22.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以通过具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
23.为了便于理解本实用新型，下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳实施方式。但是，本实用新型可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施方式。相反地，提供这些实施方式的目的是使对本实用新型的公开内容理解的更加透彻全面。
24.如图1所示，一种带阶梯状磁屏蔽组的变压器，其中，包括：铁心柱10、铁轭20、支座30以及磁屏蔽组。
25.铁轭20是由若干硅钢片叠积形成且固定于铁心柱10外侧，图中未示出的是，铁轭与夹件固定设置，支座30设置于夹件的底部。
26.结合图1与图2所示，本实用新型采用的磁屏蔽组为多个并列排布的磁屏板均布于铁心四周的方式来进行磁屏蔽。该磁屏蔽组固定于支座30上，磁屏蔽组包括分布于铁心柱10四周的四个磁屏蔽件，每个磁屏蔽件包括至少2个由硅钢片叠积成的磁屏板，靠近铁心柱10的磁屏板为近磁屏板401，近磁屏板401 靠近铁轭20的一侧为阶梯状角，阶梯状角与靠近的铁轭20边缘相配合。
27.在本实用新型的一个实施例中，每个此瓶间包括4个磁屏板，既方便加工，同时能使更多漏磁穿过不同的磁屏板，其磁屏蔽效果更好。
28.如图2所示，铁轭20的叠积方向为水平方向，磁屏板的叠积方向为竖直方向，铁轭20端部的叠积宽度由近铁心柱10侧至远铁心柱10侧递减，近磁屏板 401中叠积硅钢片的宽度自上而下递减从而端面形成阶梯状角。铁轭20的阶梯拟合直线与近磁屏板401的阶梯拟合直线平行。也就是说，铁轭20的阶梯状角与近磁屏板401阶梯状角的角度是匹配的，有利于漏磁通平稳穿过磁屏蔽件。近磁屏板401的阶梯状角的阶梯的单级高度与铁轭20阶梯的单级高度相近，其差值在1mm以下。
29.参照图2和图3所示，本实用新型一实施例中，每个磁屏蔽件中有超过一个磁屏板设置了阶梯状角，与近磁屏板401相邻的磁屏板为次近磁屏板402，次近磁屏板402靠近铁轭20的一侧为阶梯状角，阶梯状角与靠近的铁轭20 边缘相配合，次近磁屏板402的端部阶梯级数以及单级高度与近磁屏板401 的端部阶梯级数以及单级高度相等。该设置方式可以更好的匹配不同尺寸的铁心柱10，在必要时，可以对任意数量的磁屏板进行调整设置。
30.参照图3所示，磁屏板上靠近铁心柱10的一端设置有固定穿孔411，磁屏板通过固定穿孔411固定在支座30上，磁屏蔽件上还沿磁屏板的排列方向设置有绑带601以辅助磁屏蔽件与支座30的固定。
31.继续参照图3所示，磁屏板上远离铁心柱10的一端设置有接地穿孔411，接地穿孔411上设有接地片413，接地片413一端通过穿孔与磁屏板电连接，另一端与支座30连接。铁轭20与近磁屏板401之间设置有绝缘隔板50，绝缘隔板50包括两厚度为2mm的垫板以及设置
在垫板之间的厚度为1.5mm的纸板，用于限位磁屏蔽与铁心之间的间隙，提高变压器运行时磁屏蔽的可靠性。绝缘隔板50与拟合直线平行。磁屏蔽件靠近铁心柱10的表面设置有环氧树脂层。该设置方式使达到磁屏板一点接地的目的，增强装置的可靠性、绝缘性以及安全性。
32.本实用新型不仅能确保有更多的漏磁分量被均匀地疏导到磁屏蔽组中去，由于采取了绝缘隔板等限位措施，还可以在确保磁屏蔽组在变压器运行过程中的可靠性，大幅度降低杂散损耗的同时，有效避免了因漏磁通过于集中而发生局部过热或磁分路疏导效果不理想等现象。本实用新型具有结构合理、安装方便、漏磁通收集及疏导磁密分布趋于均匀、使用安全可靠、能有效降低产品杂散损耗等优势。
33.以上实施例仅表达了本实用新型的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对实用新型专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本实用新型构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本实用新型的保护范围。因此，本实用新型专利的保护范围应以所附权利要求为准。