一种太阳能电池、电池组件、光伏系统的制作方法

本申请属于太阳能电池，尤其涉及一种太阳能电池、电池组件、光伏系统。

背景技术：

1、太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源，其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。

2、相关技术中通常采用高温炉或者原子层沉积、等离子化学气相沉积等方法制备氧化硅、氧化铝和氮化硅等多层钝化层，从而对太阳能电池的表面进行钝化。然而如此，工艺较为复杂，需要采用多种设备来制备表面钝化层。

3、基于此，如何设计太阳能电池以简化钝化结构的工艺和设备，成为了亟待解决的问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种太阳能电池、电池组件、光伏系统，旨在解决如何设计太阳能电池以简化钝化结构的工艺和设备的问题。

2、第一方面，本申请提供的太阳能电池，包括：

3、硅衬底；

4、依次设于所述硅衬底的第一区域的p型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，所述第一电极穿过所述第一表面钝化层和所述硼硅玻璃层，并与所述p型半导体层接触；

5、依次设于所述硅衬底的第二区域的n型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，所述第二电极穿过所述第二表面钝化层和所述磷硅玻璃层，并与所述n型半导体层接触。

6、可选地，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm-20nm；

7、和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm-20nm。

8、可选地，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm-9nm；

9、和/或，所述磷硅玻璃层的厚度为1nm-9nm。

10、可选地，所述p型半导体层与所述硅衬底之间设有第一界面钝化层。

11、可选地，所述p型半导体层为p型多晶硅层。

12、可选地，所述n型半导体层与所述硅衬底之间设有第二界面钝化层。

13、可选地，所述n型半导体层为n型多晶硅层。

14、可选地，所述磷硅玻璃层中，磷的质量分数百分比为0.05％-20％；

15、和/或，所述硼硅玻璃层中，硼的质量分数百分比为0.05％-20％。

16、第二方面，本申请提供的电池组件包括上述任一项所述的太阳能电池。

17、第三方面，本申请提供的光伏系统，包括上述的电池组件。

18、本申请实施例的太阳能电池、电池组件、光伏系统，由于在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作p型半导体层和n型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。

技术特征：

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm-20nm；

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，所述硼硅玻璃层的厚度为1nm-9nm；

4.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述p型半导体层与所述硅衬底之间设有第一界面钝化层。

5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述p型半导体层为p型多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型半导体层与所述硅衬底之间设有第二界面钝化层。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述n型半导体层为n型多晶硅层。

8.一种电池组件，其特征在于，包括权利要求1-7任一项所述的太阳能电池。

9.一种光伏系统，其特征在于，包括权利要求8所述的电池组件。

技术总结
本申请适用于太阳能电池技术领域，提供了一种太阳能电池、电池组件、光伏系统。太阳能电池包括：硅衬底；依次设于硅衬底的第一区域的P型半导体层、硼硅玻璃层、第一表面钝化层和第一电极，第一电极穿过第一表面钝化层和硼硅玻璃层，并与P型半导体层接触；依次设于硅衬底的第二区域的N型半导体层、磷硅玻璃层、第二表面钝化层和第二电极，第二电极穿过第二表面钝化层和磷硅玻璃层，并与N型半导体层接触。如此，由于在硼硅玻璃层和磷硅玻璃层上分别设置表面钝化层，故可以提高钝化效果。而且，硼硅玻璃层和磷硅玻璃层分别在制作P型半导体层和N型半导体层时同时形成，故可以简化钝化结构制备的工艺和设备，有利于降低成本。

技术研发人员：王永谦,林文杰,邱开富,陈刚
受保护的技术使用者：浙江爱旭太阳能科技有限公司
技术研发日：20220914
技术公布日：2024/1/12