1.一种像素结构，其特征在于，所述像素结构包括阵列排布的多个像素单元构成的像素阵列，所述像素单元包括：
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述微透镜相对所述光电转换区的位移量为零或者所述微透镜相对所述光电转换区具有位移量。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于：所述像素阵列包括中心区域以及位于所述中心区域周侧的左侧区域、右侧区域、上侧区域及下侧区域，且所述左侧区域、所述右侧区域、所述上侧区域及所述下侧区域对应的微透镜均向靠近所述中心区域的方向平移。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第一光电转换部的俯视形状呈矩形，所述第二光电转换部的俯视形状呈矩形环围绕于所述第一光电转换部的周侧；或者，所述第一光电转换部的俯视形状呈矩形，且所述矩形的两组相对的边分别与所述光电转换区的两条对角线垂直，所述第二光电转换部围绕于所述第一光电转换部的周侧。
5.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第一光电转换部对应第一像素电路，所述第二光电转换部对应第二像素电路，以分别输出所述第一光电转换部及所述第二光电转换部对应的数据信号；或者，所述第一光电转换部及所述第二光电转换部共用像素电路，以基于所述像素电路输出所述第一光电转换部及所述第二光电转换部对应的数据信号。
6.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述像素结构还包括多个子像素隔离区，多个所述子像素隔离区将所述第二光电转换部隔离成多个子光电转换部。
7.根据权利要求6所述的像素结构，其特征在于：每个所述子光电转换部通过独立设置的传输晶体管耦合至与所述像素单元对应的浮动扩散区；和/或，所述第一光电转换部的俯视形状的面积大于所述子光电转换部的俯视形状的面积。
8.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述像素内隔离区包括浅沟槽隔离结构、电势隔离结构、背侧深沟槽隔离结构中的一种或两种以上的组合；和/或，所述像素结构还包括像素间隔离结构，所述像素间隔离结构包括浅沟槽隔离结构、电势隔离结构、背侧深沟槽隔离结构中的一种或两种以上的组合；和/或，所述像素内隔离区和像素间隔离结构均采用正面深沟槽隔离结构。
9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于：所述像素内隔离区采用浅沟槽隔离结构和电势隔离结构的组合；且像素间隔离结构采用浅沟槽隔离结构、电势隔离结构、背侧深沟槽隔离结构的组合。
10.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于：所述第二光电转换部与所述微透镜之间还设有减透层。
11.根据权利要求1-10中任意一项所述的像素结构，其特征在于：所述光电转换区与所述微透镜之间还设置有滤色器，依据所述微透镜对所设定颜色光线的汇聚能力，设置所述第一光电转换部的面积，其中，所述第一光电转换部的面积随所述微透镜对所设定颜色的光线的汇聚能力的减弱而增大。
12.一种图像传感器，其特征在于，所述图像传感器包括多个如权利要求1-11任意一项所述的像素结构。