摄像装置的制作方法

本公开涉及摄像装置。

背景技术：

1、在数字相机等中使用ccd(电荷耦合器件(charge coupled device))图像传感器及cmos(互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor))图像传感器。一例所涉及的图像传感器具有被设置于半导体基板的光电二极管。

2、另一方面，例如在专利文献1及2中，提出了将光电转换部配置在半导体基板的上方的构造。具有这样的构造的摄像装置有时被称为层叠型的摄像装置。在层叠型的摄像装置中，通过光电转换而产生的电荷被积蓄于电荷积蓄电容。与电荷积蓄电容中积蓄的电荷量相应的信号经由被设置于半导体基板的ccd电路或者cmos电路而被读出。电荷积蓄电容也被称为fd(浮动扩散)电容。

3、在先技术文献

4、专利文献

5、专利文献1：国际公布第2014/002330号

6、专利文献2：国际公布第2012/147302号

7、专利文献3：国际公布第2016/147885号

8、专利文献4：国际公布第2017/169885号

9、专利文献5：日本特许第4317115号公报

10、专利文献6：美国专利申请公布第2009/256940号说明书

技术实现思路

1、本发明所要解决的课题

2、本公开提供适于实现高画质的摄像装置的技术。

3、用于解决课题的手段

4、本公开的一个方式所涉及的摄像装置具备：

5、半导体基板；

6、杂质区域，位于所述半导体基板内，保持通过光电转换而生成的电荷；

7、第1晶体管，包括第1源极、第1漏极、第1栅极及第1栅极绝缘膜，所述第1源极及所述第1漏极中的一方包括所述杂质区域，所述第1栅极与所述杂质区域电连接，所述第1栅极绝缘膜位于所述第1栅极与所述半导体基板之间；以及

8、第2晶体管，包括第2栅极及第2栅极绝缘膜，所述第2栅极与所述杂质区域电连接，所述第2栅极绝缘膜位于所述第2栅极与所述半导体基板之间。

9、所述第1栅极绝缘膜比所述第2栅极绝缘膜厚。

10、概括或者具体的方式也可以由元件、设备、模组、系统或者方法实现。另外，概括或者具体的方式也可以通过元件、设备、模组、系统及方法的任意组合来实现。

11、所公开的实施方式的追加的效果及优点根据说明书及附图而明确。效果以及/或者优点通过说明书及附图所公开的各种实施方式或者特征而分别提供，为了得到其1个以上而不需要全部。

12、发明效果

13、本公开所涉及的技术适于实现高画质的摄像装置。

技术特征：

1.一种摄像装置，具备：

2.如权利要求1所述的摄像装置，还具备：

3.如权利要求1或者2所述的摄像装置，还具备：

4.如权利要求3所述的摄像装置，

5.如权利要求1至4中任一项所述的摄像装置，

6.如权利要求1至5中任一项所述的摄像装置，

7.如权利要求1至6中任一项所述的摄像装置，

8.如权利要求1至7中任一项所述的摄像装置，

9.如权利要求1至8中任一项所述的摄像装置，

10.如权利要求1至9中任一项所述的摄像装置，

11.如权利要求3所述的摄像装置，

12.如权利要求3所述的摄像装置，

13.如权利要求2所述的摄像装置，

14.如权利要求2所述的摄像装置，

技术总结
杂质区域(X)位于半导体基板(60)内。杂质区域(X)保持通过光电转换而生成的电荷。第1晶体管(28)包括第1源极、第1漏极、第1栅极(28e)及第1栅极绝缘膜(28ox)。第1源极及第1漏极中的一方包括杂质区域(X)。第1栅极(28e)与杂质区域(X)电连接。第1栅极绝缘膜(28ox)位于第1栅极(28e)与半导体基板(60)之间。第2晶体管(22)包括第2栅极(22e)及第2栅极绝缘膜(22ox)。第2栅极(22e)与杂质区域(X)电连接。第2栅极绝缘膜(22ox)位于第2栅极(22e)与半导体基板(60)之间。第1栅极绝缘膜(28ox)比第2栅极绝缘膜(22ox)厚。

技术研发人员：佐藤好弘
受保护的技术使用者：松下知识产权经营株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/3/17