层叠体的制造方法和粘接剂组合物的套组与流程

本发明涉及一种层叠体的制造方法、经加工的半导体基板的制造方法以及粘接剂组合物的套组。

背景技术：

1、就以往在二维的平面方向上集成而得到的半导体晶片而言，以更进一步的集成化为目的，追求将平面进一步向三维方向集成(层叠)的半导体集成技术。该三维层叠是通过硅贯通电极(tsv：through silicon via)一边接线一边集成为多层的技术。在集成为多层时，通过研磨使待集成的各个晶片的与所形成的电路面相反一侧(即背面)薄化，层叠经薄化的半导体晶片。

2、薄化前的半导体晶片(在此也简称为晶片)为了利用研磨装置进行研磨而粘接于支承体。此时的粘接必须在研磨后容易剥离，因此称为临时粘接。该临时粘接必须容易从支承体拆卸，当对拆卸施加较大的力时，有时经薄化的半导体晶片被切断或发生变形，为了不产生这样的情况，容易拆卸。但是，在半导体晶片的背面研磨时，因研磨应力而脱离或偏移，这是不优选的。因此，临时粘接所追求的性能是：耐受研磨时的应力，研磨后容易拆卸。

3、例如，追求如下性能：相对于研磨时的平面方向具有高应力(强粘接力)，相对于拆卸时的纵向具有低应力(弱粘接力)。

4、为了这样的粘接和分离工艺，作为晶片加工用临时粘接材料，提出了以下的晶片加工用临时粘接材料(参照专利文献1)。

5、一种晶片加工用临时粘接材料，其用于将表面具有电路面且应对背面进行加工的晶片临时粘接于支承体，所述晶片加工用临时粘接材料具备复合临时粘接材料层，该复合临时粘接材料层具有：由热塑性树脂层(a)构成的第一临时粘接材料层；层叠于该第一临时粘接材料层的由热固性硅氧烷聚合物层(b)构成的第二临时粘接材料层；以及层叠于该第二临时粘接材料层的由热固性聚合物层(c)构成的第三临时粘接材料层，所述热塑性树脂层(a)为如下组合物的树脂层，所述组合物含有：(a－1)热塑性树脂：100质量份；(a－2)固化催化剂：相对于所述(a－1)成分100质量份，以有效成分(质量换算)计超过0质量份且1质量份以下，所述热固性硅氧烷聚合物层(b)为通过与(b)层邻接层叠的(a)层的固化催化剂而固化的聚合物层。

6、现有技术文献

7、专利文献

8、专利文献1：日本特开2017－13311号公报

技术实现思路

1、发明所要解决的问题

2、在专利文献1的第0004段中，作为公知的临时粘接层和其剥离方法，列举出如下技术：通过对包含光吸收性物质的粘接材料照射高强度的光，分解粘接材料层来将粘接材料层从支承体剥离。而且，在专利文献1的第0004段中，列举出存在如下问题：该技术需要激光等昂贵的装置，并且每一张基板的处理时间变长等。

3、专利文献1的晶片加工用临时粘接材料的发明是鉴于这样的情况而完成的(参照专利文献1的第0007段)。

4、在专利文献1的技术中，作为将实施了加工的晶片从支承体剥离的情况的方法，在专利文献1的第0083段中记载了如下方法等：将晶片加工体的晶片或支承体中的一方水平固定，将另一方从水平方向呈一定的角度抬起。但是，这些方法均会对晶片施加负荷，因此容易产生裂纹等晶片的损伤。

5、本发明是鉴于所述情况而完成的，其目的在于，提供一种层叠体的制造方法和使用了所述层叠体的制造方法的经加工的半导体基板的制造方法以及能在这些方法中使用的粘接剂组合物的套组，所述层叠体的制造方法能制造能抑制对半导体基板的负荷并且容易地将支承基板与半导体基板分离的层叠体。

6、用于解决问题的方案

7、本发明人等为了解决所述的问题而进行了深入研究，结果发现能解决所述的问题，完成了具有以下主旨的本发明。

8、即，本发明包含以下内容。

9、[1]一种层叠体的制造方法，其制造如下层叠体，所述层叠体具有半导体基板、透光性的支承基板、以及设于所述半导体基板与所述支承基板之间的粘接层和剥离层，所述层叠体用于：在所述剥离层吸收了从所述支承基板侧照射的光后所述半导体基板与所述支承基板剥离，所述层叠体的制造方法包括：在形成于所述支承基板的表面的剥离剂涂布层的表面形成第一粘接剂涂布层的工序；在所述半导体基板的表面形成第二粘接剂涂布层的工序；以及进行所述第一粘接剂涂布层与所述第二粘接剂涂布层的贴合和加热，由所述剥离剂涂布层形成所述剥离层，由所述第一粘接剂涂布层和所述第二粘接剂涂布层形成所述粘接层的工序，所述第一粘接剂涂布层由第一粘接剂组合物形成，所述第二粘接剂涂布层由第二粘接剂组合物形成，所述第一粘接剂组合物和所述第二粘接剂组合物满足以下的(1)或(2)。

10、(1)：所述第一粘接剂组合物含有第一热固化成分和在催化剂存在下与所述第一热固化成分反应的第二热固化成分，所述第二粘接剂组合物含有所述催化剂。

11、(2)：所述第二粘接剂组合物含有第一热固化成分和在催化剂存在下与所述第一热固化成分反应的第二热固化成分，所述第一粘接剂组合物含有所述催化剂。

12、[2]根据[1]所述的层叠体的制造方法，其中，所述第一热固化成分具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基，所述第二热固化成分具有si－h基，所述催化剂含有铂族金属系催化剂(a2)。

13、[3]根据[2]所述的层叠体的制造方法，其中，所述第一热固化成分含有具有与硅原子键合的碳原子数2～40的烯基的聚有机硅氧烷(a1)，所述第二热固化成分含有具有si－h基的聚有机硅氧烷(a2)。

14、[4]根据[1]～[3]中任一项所述的层叠体的制造方法，其中，所述剥离剂涂布层由剥离剂组合物形成，所述剥离剂组合物含有有机树脂。

15、[5]根据[4]所述的层叠体的制造方法，其中，所述有机树脂含有酚醛清漆树脂。

16、[6]根据[4]或[5]所述的层叠体的制造方法，其中，所述剥离剂组合物进一步含有交联剂。

17、[7]一种经加工的半导体基板的制造方法，其包括：第一工序，对通过如[1]～[6]中任一项所述的层叠体的制造方法制造出的所述层叠体的所述半导体基板进行加工；以及第二工序，将通过所述第一工序加工出的所述半导体基板与所述支承基板分离，所述第二工序包括对所述剥离层照射光的工序。

18、[8]一种粘接剂组合物的套组，其在如[1]～[6]中任一项所述的层叠体的制造方法中使用，所述粘接剂组合物的套组含有所述第一粘接剂组合物和所述第二粘接剂组合物，所述第一粘接剂组合物和所述第二粘接剂组合物满足以下的(1)或(2)。

19、(1)：所述第一粘接剂组合物含有第一热固化成分和在催化剂存在下与第一热固化成分反应的第二热固化成分，所述第二粘接剂组合物含有所述催化剂。

20、(2)：所述第二粘接剂组合物含有第一热固化成分和在催化剂存在下与第一热固化成分反应的第二热固化成分，所述第一粘接剂组合物含有所述催化剂。

21、发明效果

22、根据本发明，能提供一种层叠体的制造方法和使用了所述层叠体的制造方法的经加工的半导体基板的制造方法以及能在这些方法中使用的粘接剂组合物的套组，所述层叠体的制造方法能制造能抑制对半导体基板的负荷并且容易地将支承基板与半导体基板分离的层叠体。