处理方法和等离子体处理装置与流程

本发明涉及处理方法和等离子体处理装置。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种基片处理装置，其包括载置台，该载置台具有载置基片的载置面，并设置有用于向基片与载置面之间的间隙供给传热气体的气体供给管。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2020-120081号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、本发明的技术在等离子体处理时高效地调节温度调节对象体的温度。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、本发明的一个方式是对基片进行等离子体处理的处理方法，其包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由上述基片支承部供给到该基片支承部的上述载置面与上述温度调节对象体的背面之间来形成传热层的步骤；对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤；和在等离子体处理后，将上述温度调节对象体与上述载置面分隔开的步骤。

5、发明效果

6、根据本发明，能够在等离子体处理时高效地调节温度调节对象体的温度。

技术特征：

1.一种对基片进行等离子体处理的处理方法，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：

4.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于：

5.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：

6.如权利要求5所述的处理方法，其特征在于：

7.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：

8.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：

9.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：

10.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：

11.如权利要求10所述的处理方法，其特征在于：

12.如权利要求1或2所述的处理方法，其特征在于：

13.如权利要求12所述的处理方法，其特征在于：

14.如权利要求12所述的处理方法，其特征在于：

15.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：

16.如权利要求15所述的等离子体处理装置，其特征在于，还包括：

17.如权利要求15或16所述的等离子体处理装置，其特征在于：

18.如权利要求15或16所述的等离子体处理装置，其特征在于：

19.如权利要求15或16所述的等离子体处理装置，其特征在于：

20.如权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于：

21.如权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于：

22.如权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于：

23.如权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于：

24.如权利要求15或16所述的等离子体处理装置，其特征在于：

25.如权利要求24所述的等离子体处理装置，其特征在于：

26.如权利要求15或16所述的等离子体处理装置，其特征在于：

27.如权利要求26所述的等离子体处理装置，其特征在于：

28.如权利要求26所述的等离子体处理装置，其特征在于：

技术总结
本发明提供处理方法和等离子体处理装置。对基片进行等离子体处理的处理方法包括：在构成为可减压的处理容器内的基片支承部的载置面上载置温度调节对象体的步骤；将由液体的介质或具有流动性的固体的介质中的至少任一者构成的传热介质经由上述基片支承部供给到该基片支承部的上述载置面与上述温度调节对象体的背面之间来形成传热层的步骤；对形成了上述传热层的上述载置面上的基片进行等离子体处理的步骤；和在等离子体处理后，将上述温度调节对象体与上述载置面分隔开的步骤。

技术研发人员：永关一也,茂山和基,桧森慎司,本田昌伸,照内怜
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/4/8