等离子体处理装置的制造方法

等离子体处理装置的制造方法
【专利摘要】本发明提供在确保机械强度的同时，利用比较轻量的机构安装有金属窗的等离子体处理装置。在进行了真空排气的处理空间(100)内对被处理基板(G)执行等离子体处理的等离子体处理装置(1)中，金属制的处理容器(10)具有被处理基板(G)的载置台，在封闭形成于其上表面的开口的位置隔着绝缘部件(31)设置有导电性的金属窗(3)。上述金属窗(3)被配置于等离子体产生用的等离子体天线(5)的上方侧的顶板部(61)悬挂支承。并且，该顶板部(61)被具有横架部(71、711)和脚柱部(72)的骨架结构的顶板支承机构(7)悬挂支承。
【专利说明】
等离子体处理装置
技术领域
[0001]本发明涉及利用等离子体化的处理气体进行被处理基板的等离子体处理的等离子体处理装置。
【背景技术】
[0002]在液晶显示装置(IXD)等平板显示器(Fro)的制造工序中，存在对作为被处理基板的玻璃基板供给等离子体化了的处理气体来进行蚀刻处理和成膜处理等的等离子体处理的工序。这些等离子体处理中使用等离子体蚀刻装置和等离子体CVD装置等各种等离子体处理装置。近年来，作为将处理气体等离子体化的方法，具有能够以高真空度获得高密度的等离子体这样的重大优点的电感親合等离子体(Inductively Coupled Plasma:1CP)受到关注。
[0003]另一方面，玻璃基板的尺寸在逐步大型化。对于例如LCD用的状玻璃基板，需要能够处理短边X长边的长度为约2200mm X约2400mm、甚至约2800mm X约3000mm的尺寸的等离子体处理装置。
[0004]伴随等离子体处理装置的大型化，配置于玻璃基板的上方侧且与使上述电感耦合等离子体产生的等离子体天线相对地设置的电介质窗也大型化。然而，构成电介质窗的石英等电介质材料机械强度小而脆，因而不适合于大型化。因此，专利文献I中记载了具有比石英刚性高的金属制的金属窗的等离子体处理装置。
[0005]这里，为了隔着金属窗使电感耦合等离子体产生，需要在与构成等离子体处理装置的主体的金属制的处理容器绝缘的状态下安装金属窗。此外，对构成成为真空气氛的处理空间的上述金属窗，不仅施加其自身重量还施加大气压，因此必须支承金属窗，使其能够承受这些力。因而，伴随金属窗的大型化，存在连将该金属窗安装于处理容器的机构也大型化、大重量化的问题。
[0006]这里，在专利文献2中记载了一种激光退火装置，其通过在对玻璃基板进行照射激光的改性处理的处理腔室的上部盖部件设置增强其机械强度的肋部件，抑制了使激光透过的窗部件的倾斜或挠曲的产生。此外，专利文献3中记载了在进行FPD用玻璃基板的处理的真空处理装置的腔室部的外壁面设置包括肋部件和与肋部件接合的板状接合部件的、通过螺栓能够相对于上述外壁面拆卸的增强部件。
[0007]但是，这些专利文献2、3均没有公开在维持与处理容器绝缘的状态的同时设置大型的金属窗的方法。
[0008]现有技术文献
[0009]专利文献
[0010]专利文献1:日本特开2012-227427号公报:段落0018、图1
[0011]专利文献2:日本特许第3451478号公报:段落0002、0018、图1、2
[0012]专利文献3:日本特许第5232801号公报:段落0028?0029、图3

【发明内容】

[0013]发明想要解决的技术问题
[0014]本发明是在这种情形下完成的，其目的在于提供一种在保持机械强度的同时利用轻量的机构安装有金属窗的等离子体处理装置。
[0015]解决技术问题的技术方案
[0016]本发明的等离子体处理装置是对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行利用等离子体化了的处理气体进行的等离子体处理的等离子体处理装置，上述等离子体处理装置的特征在于，包括:
[0017]具有用于载置上述被处理基板的载置台，与该载置台相对的上表面开口并且电接地的金属制的处理容器；
[0018]配置于封闭上述处理容器的开口的位置而形成上述处理空间，并且以隔着绝缘部件与上述处理容器绝缘的状态设置的导电性的金属窗；
[0019]在上述金属窗的上方侧以与该金属窗相对的方式设置的，用于通过电感耦合将上述处理气体等离子体化的等离子体天线；
[0020]金属窗支承机构，其包括:以与上述金属窗相对的方式配置于等离子体天线的上方侧的顶板部和设置于该顶板部的用于悬挂支承上述金属窗的多个第一悬挂部;和
[0021]骨架结构的顶板支承机构，其包括:设置有用于从上方侧悬挂支承上述顶板部的多个第二悬挂部的横架部和用于支承上述横架部的脚柱部。
[0022]上述等离子体处理装置也可以具有以下的结构。
[0023](a)上述金属窗被分割为多个部分窗，相邻的部分窗彼此隔着绝缘部件相互绝缘。将上述处理容器与金属窗绝缘的绝缘部件和将该金属窗的相邻部分窗彼此绝缘的绝缘部件由上述处理容器支承。
[0024](b)上述脚柱部设置在上述开口的周围的处理容器上。
[0025](C)上述顶板部是电接地的金属制部件，上述第一悬挂部具有将上述金属窗与顶板部绝缘的绝缘部件。上述顶板支承机构的横架部和脚柱部是与上述顶板部相比导电性低、机械强度高的金属制部件。
[0026](d)上述横架部形成为拱形形状。
[0027](e)上述金属窗兼作为向上述处理空间供给处理气体的气体喷头。
[0028]发明效果
[0029]本发明将构成处理空间的金属窗悬挂支承于顶板部，进一步用骨架结构的顶板支承机构悬挂支承该顶板部，因此能够将从金属窗施加的负荷分散，在确保将金属窗安装于处理容器所必需的机械强度的同时，能够使支承该金属窗的机构轻量化。
【附图说明】
[0030]图1是实施方式涉及的等离子体处理装置的纵截侧面图。
[0031 ]图2是上述等离子体处理装置的一部分断裂俯视图。
[0032]图3是表示设置于上述等离子体处理装置的金属窗的安装状态的纵截侧面图。
[0033]图4是比较例涉及的等离子体处理装置的纵截侧面图。
[0034]图5是表示设置于等离子体处理装置的顶板支承机构的变形例的一部分断裂俯视图。
[0035]图6是表示上述顶板支承机构的另一个变形例的纵截侧面图。
[0036]图7是表示上述顶板支承机构的又一个变形例的纵截侧面图。
[0037]附图标记说明
[0038]G玻璃基板
[0039]1、Ia?Ic等离子体处理装置
[0040]10容器主体[0041 ]100处理空间
[0042]11金属框
[0043]13载置台
[0044]3金属窗
[0045]30部分窗
[0046]31绝缘部件
[0047]5高频天线
[0048]61、61a 顶板部
[0049]62金属窗悬挂部
[0050]7、7a?7c顶板支承机构[0051 ]71横杆部
[0052]711倾斜部
[0053]72脚柱部
[0054]721顶板支承部
[0055]73顶板悬挂部
[0056]8控制部
【具体实施方式】
[0057]以下，参照图1?图3，说明本发明的实施方式涉及的等离子体处理装置I的结构。
[0058]等离子体处理装置I能够使用于各种等离子体处理，该各种等离子体处理包括在作为被处理基板的矩形基板例如FPD用的基板G上形成薄膜晶体管时的用于形成金属膜、ITO膜、氧化膜等的成膜处理、对这些膜进行蚀刻的蚀刻处理和抗蚀剂膜的灰化处理等。这里，作为FPD，可以示出液晶显示器(IXD)、电致发光(Electro Luminescence:EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等例子。此外，等离子体处理装置I不限于使用于对FPD用的基板G进行的上述各种等离子体处理，也可以使用于对太阳能电池面板用的基板G进行的上述各种等离子体处理。
[0059]如图1的纵截侧面图所示，等离子体处理装置I具有由导电性材料、例如内壁面被阳极氧化处理后的铝构成的方筒形状的容器主体10，该容器主体10电接地。在容器主体10的上表面形成有开口，该开口被与该容器主体10绝缘地设置的矩形形状的金属窗3气密地封闭。由容器主体10和金属窗3包围的空间成为基板G的处理空间100，金属窗3的上方侧的空间成为配置高频天线(等离子体天线)5的天线室50。此外，在处理空间100的侧壁设置有用于将玻璃基板(以下简记为基板)G搬入搬出的搬入搬出口 101和用于使搬入搬出口 101开闭的闸阀102。
[0060]在处理空间100的下部侧以与上述金属窗3相对的方式设置有用于载置基板G的载置台13。载置台13由导电性材料、例如表面被阳极氧化处理后的铝构成。载置于载置台13的基板G被未图示的静电卡盘吸附保持。载置台13被收纳在绝缘体框14内，隔着该绝缘体框14设置在容器主体10的底面。
[0061]载置台13通过匹配器151与第二高频电源152连接。第二高频电源152对载置台13施加偏压用的高频电力、例如频率为3.2MHz的高频电力。利用该偏压用的高频电力所产生的自偏压，能够将处理空间100内产生的等离子体中的离子吸引至基板G。
[0062]另外，为了控制基板G的温度，载置台13内设置有由陶瓷加热器等加热单元和制冷剂流路构成的温度控制机构、温度传感器、用于向基板G的背面供给热传递用的He气体的气体流路(均未图示)。
[0063]此外，在容器主体10的底面形成有排气口103，该排气口 103与包含真空栗等的真空排气部12连接。处理空间100的内部被该真空排气部12真空排气到等离子体处理时的压力。
[0064]金属窗3例如为非磁性体，由导电性的金属、铝或含有铝的合金等构成。此外，为了提高金属窗3的耐等离子体性，可以在金属窗3的处理空间100侧的面设置电介质膜、电介质罩。作为电介质膜，能够举出阳极氧化膜或热喷涂陶瓷膜。此外，作为电介质罩，能够举出石英制或陶瓷制的电介质罩。
[0065]如图1、图2所示，在容器主体10的侧壁的上表面侧设置有由铝等金属构成的作为矩形形状的框体的金属框11。在容器主体10与金属框11之间，设置有用于气密地保持处理空间100的密封部件110。这里，容器主体10和金属框11构成本实施方式的处理容器。
[0066]进一步，本例的金属窗3被分割为多个部分窗30，这些部分窗30配置于金属框11的内侧，整体构成矩形形状的金属窗3。相互被分割的部分窗30因绝缘部件31而与金属框11和其下方侧的容器主体10电绝缘，并且相邻的部分窗30彼此也因绝缘部件31而相互绝缘。
[0067]绝缘部件31例如由金属框11支承。另一方面，因绝缘部件31而与金属框11和相邻的部分窗30绝缘的各部分窗30，与绝缘部件31分开设置，被从顶板部61悬挂支承。对于悬挂支承金属窗3 (部分窗30)的机构将在后文中详细叙述。
[0068]另外，部分窗30的分割形状不限定于矩形形状。此外，为了增强绝缘部件31，也可以构成为:以从上表面侧看将金属框11的内表面分割的方式设置金属梁，利用该金属框支承绝缘部件31。
[0069]并且，本例的部分窗30兼作处理气体供给用的喷头。如图1、图3所示，在各部分窗30的内部形成有使处理气体扩散的处理气体扩散室301。此外，在各部分窗30的下表面形成有用于从处理气体扩散室301向处理空间100供给处理气体的多个处理气体喷出孔302。而且，如图1所示，各部分窗30的处理气体扩散室301通过气体供给管41与处理气体供给部42连接。从处理气体供给部42供给上述的成膜处理、蚀刻处理、灰化处理等所需要的处理气体。另外，为了便于图示，图1中示出在I个部分窗30上连接有处理气体供给部42的状态，但实际上，各部分窗30的处理气体扩散室301均与处理气体供给部42连接。
[0070]并且，在天线室50的内部以面向部分窗30的方式配置有高频天线5。高频天线5例如隔着由未图示的绝缘部件构成的间隔物与部分窗30分离地配置。例如高频天线5以在与各部分窗30对应的面内沿着矩形形状的金属窗3的周方向环绕的方式形成为螺旋状。另外，高频天线5的形状不限于螺旋状，可以为使一条或多条天线形成为环状的环状天线。并且，还可以采用以一边错开角度一边卷绕多条天线而整体成为螺旋状的方式设置的多重天线。像这样，只要是在与金属窗3或构成金属窗3的各部分窗30对应的面内，以沿着其周方向环绕的方式设置有天线，则无论高频天线5的结构如何均可。
[0071]各高频天线5通过匹配器511与第一高频电源512连接。从第一高频电源512经由匹配器511对各高频天线5供给例如13.56MHz的高频电力。由此，在等离子体处理期间，在部分窗30各自的表面诱发涡流，因该涡流而在处理空间100的内部形成感应电场。从气体喷出孔302喷出的处理气体因感应电场而在处理空间100的内部被等离子体化。
[0072]并且，如图1所示，在该等离子体处理装置I设置有控制部8。控制部8由包括未图示的CPU(Central Processing Unit)和存储部的计算机构成，该存储部中记录有被编入步骤(命令)组的程序，该步骤(命令)组用于执行下述动作的信号:将配置有基板G的处理空间100内真空排气，使用高频天线5将处理气体等离子体化而对基板G进行处理的动作。该程序例如被存储在硬盘、光盘、磁光盘、存储卡等存储介质中，从这些介质安装到存储部中。
[0073]在具有以上说明的结构的等离子体处理装置I中，支承金属窗3的机构需要能够承受金属窗3的自重加上对金属窗3施加的大气压的能力。然而，例如配置于各部分窗30的周围的绝缘部件31机械强度小而脆，因此不适合作为支承被施加这样大的力的部件的机构使用。另一方面，如果利用金属梁等来增强绝缘部件31，使得能够用绝缘部件31支承部分窗30，则不仅对于等离子体的形成没有帮助的金属梁的面积增加，而且用于形成等离子体的感应电场也会减弱。
[0074]作为金属窗3的支承机构，可以考虑例如如图4的等离子体处理装置Ia所示，利用侧壁部63包围天线室50的周围，在其上表面侧配置顶板部61a使金属窗3与顶板部61a上下对置，通过金属窗悬挂部62由顶板部61a将各部分窗30悬挂支承的机构。这里，顶板部6 Ia采用导电性高的铝等。于是，在通过铝制的顶板部61a构成支承机构的前提下进行强度设计，如上所述在处理约2200mm X约2400mm的尺寸的基板G的等离子体处理装置Ia中，为了支承从金属窗3侧施加的负荷，顶板部61a的厚度为1cm以上。已知为了支承这么厚的顶板部61a，侧壁部63的厚度尺寸也增大，金属窗3的支承机构大型化、大重量化。
[0075]为了解决上述问题，本实施方式的等离子体处理装置I构成为:如图1所示，在维持利用顶板部61将金属窗3悬挂支承的方式的同时，设置有增强并支承顶板部61的骨架结构的顶板支承机构7。通过利用顶板支承机构7来增强顶板部61，将顶板部61的厚度减小到1cm以下，进一步通过使顶板支承机构7为骨架结构，省略图4的等离子体处理装置Ia所示的侧壁部63的设置。
[0076]以下，详细地对金属窗3的支承机构的结构进行说明。
[0077]如图1所示，例如顶板部61由大小与金属窗3大致相同的铝制板材构成，以隔着天线室50使其下表面与金属窗3相对的方式配置。如图1所示，该顶板部61电接地。此外，在顶板部61的下表面与部分窗30的上表面之间安装有作为第一悬挂部的多个金属窗悬挂部62，金属窗3(部分窗30)由这些金属窗悬挂部62悬挂支承。另外，这里部分窗30与金属窗悬挂部62电绝缘，使得成为相对于该金属窗悬挂部62电浮置的状态。这些顶板部61和金属窗悬挂部62相当于本实施方式的金属窗支承机构。
[0078]例如如图3所示，金属窗悬挂部62是上端部形成有凸缘部621的金属制的杆状部件。该金属窗悬挂部62的凸缘部621通过螺栓622紧固于顶板部61的下表面。
[0079]此外，也可以通过将各金属窗悬挂部62配置于相邻的部分窗30的边界，由I根金属窗悬挂部62悬挂支承2个部分窗30，来抑制金属窗悬挂部62的设置数的增大。并且，也可以在该金属窗悬挂部62形成对部分窗30的处理气体扩散室301供给处理气体的上述的气体供给管41。
[0080]如用图4的等离子体处理装置Ia进行说明的那样，如果仅利用顶板部61a支承整个面被施加较强的拉伸负荷的金属窗3，则只能使用较厚的板材，金属窗3的支承机构大重量化。因此，在本例的等离子体处理装置I中，采用利用骨架结构的顶板支承机构7来进一步悬挂支承顶板部61的结构。
[0081]如图1所示，顶板支承机构7成为包括架设在顶板部61的上表面侧的多根横杆部71和支承各横杆部71的脚柱部72的骨架结构。例如各脚柱部72是以向上方侧伸出的方式配置的杆状部件，为机械强度(弯曲强度、拉伸强度)比铝高的铁制。各脚柱部72通过形成于其下端部的凸缘部720紧固在金属框11的上表面侧。
[0082]脚柱部72的上端通过从上表面侧看向容器主体10的内侧朝斜上方弯曲的倾斜部711与在横方向上延伸的杆状的横杆部71连接。这些横杆部71和其两端的倾斜部711也由铁制的部件构成。此外，通过由横杆部71和倾斜部711形成由多条直线构成的拱形(arch)结构，使顶板支承机构7的强度提高。横杆部71和倾斜部711相当于本实施方式的横架部。另外，当然也可以由曲线状的拱形构成该横架部。
[0083]如图2所示，各横杆部71从金属框11(容器主体10的侧壁)的各边的中央部和金属框11的四角向顶板部61的上方侧的中央部伸出，通过由金属制的矩形形状的框体构成的连结部712相互连结。连结部712的开口 710除了使去往高频天线5的供电线和气体供给管41通过之外，在连结部712的上表面，还配置对各高频天线5分配电极的未图示的分配器和匹配器511等。
[0084]在横杆部71和倾斜部711的下表面安装有作为第二悬挂部的多个顶板悬挂部73，由这些顶板悬挂部73悬挂支承顶板部61。另外，在本例中，设置有从横杆部71的下表面向下方侧伸出的杆状的柱部件73a和从倾斜部711的下表面向下方侧伸出的板状的肋部件73b这2种顶板悬挂部73。
[0085]如图3所示，柱部件73a是在上端部和下端部设置有凸缘部731的铁制的杆状部件，上端部侧的凸缘部731通过螺栓732紧固在横杆部71的下表面。此外，柱部件73a的下端部侧的凸缘部731通过螺栓732紧固在顶板部61的上表面。肋部件73b也通过凸缘部等紧固于倾斜部711的下表面和顶板部61的上表面，这一点相同，省略图示。另外，柱部件73a、73b也可以构成为通过焊接等与横杆部71以及倾斜部711成为一体。
[0086]通过以上说明的结构，悬挂支承金属窗3(部分窗30)的顶板部61进一步由顶板支承机构7(横杆部71、倾斜部711、脚柱部72)悬挂支承。
[0087]以下对上述实施方式涉及的等离子体处理装置I的作用进行说明。
[0088]首先，打开闸阀102，从相邻的真空搬送室利用搬送机构(均未图示)经搬入搬出口101将基板G搬入处理空间100内。接着，在载置台13上载置基板G，通过未图示的静电卡盘固定，另一方面，使上述搬送机构从处理空间100退出，关闭闸阀102。
[0089]此后，从处理气体供给部42经各部分窗30的处理气体扩散室301向处理空间100内供给处理气体，另一方面，利用真空排气部12将处理空间100内真空排气，将处理空间100内调节为例如0.66?26.6Pa左右的压力气氛。此外，从未图示的气体流路向基板G供给热传递用的He气体。
[0090]接着，从第一高频电源512向高频天线5施加高频电力，由此通过金属窗3在处理空间100内产生均匀的感应电场。其结果是，通过感应电场，在处理空间100内处理气体等离子体化，产生高密度的电感耦合等离子体。而且，通过从第二高频电源152向载置台13施加的偏压用高频电力，等离子体中的离子被向基板G吸引，进行基板G的等离子体处理。
[0091]然后，进行等离子体处理预先设定的时间后。停止来自各高频电源512、152的电力供给、来自处理气体供给部42的处理气体供给和处理空间100内的真空排气，按照与搬入时相反的顺序搬出基板G。
[0092]进行了以上动作说明的处理空间100的内部被如上所述真空排气为高真空的状态，处理空间100的上表面侧配置的金属窗3(部分窗30)除了其自重以外还被施加大气压。金属窗3抵抗这些力，由顶板部61悬挂支承，保持在与容器主体10之间形成有处理空间100的状态。
[0093]这里，悬挂支承金属窗3的顶板部61还被由机械强度的强度比顶板部61高的部件构成的骨架结构的顶板支承机构7悬挂支承而被增强。另一方面，顶板支承机构7的脚柱部72安装在金属框11的上表面侧，因此金属窗3的悬挂负荷通过顶板支承机构7分散在其脚柱部72上，转换为按压金属框11 (即容器主体10的侧壁)的力。具有对于处理空间100内的真空气氛的耐压性能的容器主体10具有能够抵抗上述按压力而稳定地支承顶板支承机构7的充分的强度。
[0094]根据本发明的等离子体处理装置I，能够获得以下效果。由顶板部61悬挂支承构成处理空间100的金属窗3，进一步用由机械强度高的部件构成的骨架结构的顶板支承机构7悬挂支承顶板部61，因此能够分散金属窗3的悬挂负荷。
[0095]其结果是，与图4的等离子体处理装置Ia所示的利用铝制的顶板部61a和设置在其周缘部的侧壁部63悬挂支承金属窗3的情况相比，能够在保持安装金属窗3所必需的机械强度的同时，使支承该金属窗3的机构轻量化。
[0096]另外，与图4的侧壁部63比较时，本发明的顶板支承机构7的“骨架结构”是指，顶板支承机构7由宽度分别短于金属框11(容器主体10的侧壁)的短边和长边的部件构成的情况。例如骨架结构的部件使用几cm?十几cm左右的宽度的部件。
[0097]这里，顶板支承机构7的结构不限于使用图1?图3表示的例子，能够采用各种变形。
[0098]例如，在以下说明的图5?图7的各图中，对于与图1?图3示出的结构要素相同的结构要素，标注与这些图中标注的标记相同的标记。
[0099]顶板支承机构7的俯视形状不限于如图2所示配置成各横杆部71从容器主体10的中央部侧放射状地延伸的情况。例如也可以如图5所示，构成为沿着容器主体10的短边方向相互平行地配置多根横杆部71。
[0100]此外，支承顶板部61的不限于将其整个面仅通过悬挂支承来支承的情况。例如也可以如图6所示的等离子体处理装置Ib的顶板支承机构7a那样，由设置在脚柱部72的侧面的顶板支承部721从下表面侧支承顶板部61的周缘部。
[0101]并且，顶板支承机构7也不是必须设置在金属框11的上表面(容器主体10的侧壁上)。例如也可以如图7所示的等离子体处理装置Ic的顶板支承机构7b那样，将脚柱部72设置在配置等离子体处理装置Ic的地面和基座面等上。这里，固定脚柱部72的地面或基座面的高度位置可以不一定位于顶板部61的下方侧。只要能够稳定地固定脚柱部72，则也可以将脚柱部72固定在位于与顶板部61相同高度或比该顶板部61高的位置的地面或基座面。
[0102]而且，顶板支承机构7、7a、7b不是必须设置上下方向上延伸的杆状的脚柱部72。例如也可以将拱形形状的横架部(由图1所示的横杆部71和倾斜部711或曲线状的拱形构成的横架部)的下端部直接固定在金属框11等的上表面。在此情况下，这些拱形的基端部成为脚柱部。
[0103]此外，关于金属窗3的结构，可以举出各种变形。例如可以构成为在金属窗3设置使温度调整用的流体流通的流路，进行金属窗3的温度调整。在此情况下，也可以在金属窗悬挂部62设置使上述温度調整用的流体通流的流路。
[0104]而且，顶板部61不限定于由I块板材构成的情况，也可以被分割为多个板材。既可以将这些多个顶板部61由共用的顶板支承机构7悬挂支承，也可以将各顶板部61由彼此不同的多个顶板支承机构7支承。
[0105]另外，通过由导电性比铁高的铝制的I块板构成顶板部61，还具有接地的顶板部61的除电变得容易的效果。
[0106]并且，作为被处理基板，示出了使用Fro基板的例子，但如果是矩形基板，则也能够应用于对于太阳能电池面板用的基板等其它种类的基板的等离子体处理。
【主权项】
1.一种等离子体处理装置，其对进行了真空排气的处理空间内的被处理基板执行利用等离子体化了的处理气体进行的等离子体处理，所述等离子体处理装置的特征在于，包括: 金属制的处理容器，其具有用于载置所述被处理基板的载置台，与该载置台相对的上表面开口并且电接地； 导电性的金属窗，其配置于封闭所述处理容器的开口的位置而形成所述处理空间，并且以隔着绝缘部件与所述处理容器绝缘的状态设置； 在所述金属窗的上方侧以与该金属窗相对的方式设置的，用于通过电感耦合将所述处理气体等离子体化的等离子体天线； 金属窗支承机构，其包括:以与所述金属窗相对的方式配置于等离子体天线的上方侧的顶板部和设置于该顶板部的用于悬挂支承所述金属窗的多个第一悬挂部;和 骨架结构的顶板支承机构，其包括:设置有用于从上方侧悬挂支承所述顶板部的多个第二悬挂部的横架部和用于支承所述横架部的脚柱部。2.如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述金属窗被分割为多个部分窗，相邻的部分窗彼此隔着绝缘部件相互绝缘。3.如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于: 将所述处理容器与金属窗绝缘的绝缘部件和将该金属窗的相邻部分窗彼此绝缘的绝缘部件由所述处理容器支承。4.如权利要求1至3中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述脚柱部设置在所述开口的周围的处理容器上。5.如权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述顶板部是电接地的金属制部件，所述第一悬挂部具有将所述金属窗与顶板部绝缘的绝缘部件部件。6.如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述顶板支承机构的横架部和脚柱部是与所述顶板部相比导电性低、机械强度高的金属制部件。7.如权利要求1至6中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述横架部形成为拱形形状。8.如权利要求1至7中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于: 所述金属窗兼作为向所述处理空间供给处理气体的气体喷头。
【文档编号】H01J37/32GK105826155SQ201610055894
【公开日】2016年8月3日
【申请日】2016年1月27日
【发明人】出口新悟, 山田洋平
【申请人】东京毅力科创株式会社