采用填充金属用于基于ETS的基板中的嵌入式金属迹线以降低信号路径阻抗的集成电路(IC)封装件和相关制造方法与流程

文档序号:37944455发布日期:2024-05-11 00:26阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种集成电路(ic)封装件,包括:

2.根据权利要求1所述的ic封装件,其中:

3.根据权利要求2所述的ic封装件,其中:

4.根据权利要求1所述的ic封装件,其中:

5.根据权利要求4所述的ic封装件,其中:

6.根据权利要求1所述的ic封装件,其中所述一个或多个金属迹线之中的每个金属迹线耦合到所述一个或多个第一金属互连件之中的第一金属互连件。

7.根据权利要求1所述的ic封装件,其中所述第二金属化层邻近所述第一金属化层设置。

8.根据权利要求1所述的ic封装件,其中所述封装基板还包括芯基板,所述芯基板包括一个或多个芯金属互连件,所述一个或多个芯金属互连件各自耦合到所述一个或多个第一金属互连件之中的第一金属互连件。

9.根据权利要求1所述的ic封装件,其中所述封装基板还包括无芯基板。

10.根据权利要求1所述的ic封装件,还包括管芯,所述管芯耦合到所述一个或多个金属迹线之中的至少一个金属迹线。

11.根据权利要求10所述的ic封装件,其中所述管芯包括一个或多个管芯互连件,所述一个或多个管芯互连件各自耦合所述一个或多个金属迹线之中的金属迹线。

12.根据权利要求11所述的ic封装件,其中:

13.根据权利要求1所述的ic封装件,还包括一个或多个输入/输出(i/o)互连件,所述一个或多个i/o互连件各自耦合所述一个或多个金属迹线之中的金属迹线。

14.根据权利要求1所述的ic封装件,还包括第二管芯,所述第二管芯耦合到所述一个或多个金属迹线之中的至少一个第二金属迹线。

15.根据权利要求1所述的ic封装件,其中所述一个或多个金属迹线之中的每个金属迹线的线间距比(l/s)小于5.0/5.0。

16.根据权利要求1所述的ic封装件,所述ic封装件集成到选自由以下项组成的组的设备中:机顶盒;娱乐单元;导航设备;通信设备;固定位置数据单元;移动位置数据单元;全球定位系统(gps)设备;移动电话;蜂窝电话;智能电话;会话发起协议(sip)电话;平板电脑;平板手机;服务器;计算机;便携式计算机;移动计算设备;可穿戴计算设备;台式计算机;个人数字助理(pda);监视器;计算机监视器;电视;调谐器;无线电收发装置;卫星无线电收发装置;音乐播放器;数字音乐播放器;便携式音乐播放器;数字视频播放器;视频播放器;数字视频碟(dvd)播放器;便携式数字视频播放器;汽车;交通工具部件;航空电子系统;无人机;

17.一种制造集成电路(ic)封装件的方法,包括:

18.根据权利要求17所述的方法,其中形成所述第三层包括:

19.根据权利要求17所述的方法,其中:

20.根据权利要求19所述的方法,还包括从所述金属层外表面暴露所述一个或多个金属迹线;

21.根据权利要求19所述的方法,其中在所述阻焊层中形成所述一个或多个第三金属互连件,包括:

22.根据权利要求21所述的方法,还包括:

23.根据权利要求17所述的方法,还包括:

24.根据权利要求23所述的方法,其中:

25.根据权利要求17所述的方法,还包括将管芯耦合到所述第二金属化层以将所述管芯耦合到所述封装基板。

26.根据权利要求25所述的方法,其中将所述管芯耦合到所述第二金属化层包括将所述管芯的一个或多个管芯互连件中的每个管芯互连件耦合到所述第二金属层中的所述一个或多个金属迹线之中的金属迹线。


技术总结
集成电路(IC)封装件,该IC封装件采用填充金属用于基于ETS的基板中的嵌入式金属迹线以降低信号路径阻抗。IC封装件包括封装基板和设置在封装基板上的ETS金属化层。为了缓解或抵消管芯电路与封装基板之间的较长信号路径中的阻抗的增加,该增加可导致降低的信令速度和/或增加的信号损耗,将填充金属互连件耦合到ETS金属化层中的嵌入式金属迹线。因此,增加了耦合到管芯的信号/接地信号路径的ETS金属化层的嵌入式金属迹线的金属表面积。增加耦合到管芯的信号/接地信号路径的嵌入式金属迹线的金属表面积会增加此类信号/接地信号路径的电容。增加信号/接地信号路径的电容会减小该信号/接地信号路径的阻抗,以缓解或减少信令延迟和/或损耗。

技术研发人员:A·帕蒂尔,卫洪博,J·R·V·鲍特
受保护的技术使用者:高通股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/5/10
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