基片加热装置和基片处理装置的制作方法

本发明涉及基片加热装置和基片处理装置。

背景技术：

1、在专利文献1中公开了一种外延晶片的制造装置，其包括：具有多个凹状的收纳部的装载板，这些多个收纳部收纳可载置晶片的晶片支承台，并在周向上排列地配置；与装载板的上表面相对地配置的密封件；以及感应线圈，其与装载板的下表面和密封件的上表面相对地配置，通过感应加热对装载板和密封件进行加热。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2014-127612号公报

技术实现思路

1、发明要解决的技术问题

2、在一个方面，本发明提供抑制加热所需的消耗功率，提高温度控制性的基片加热装置和基片处理装置。

3、用于解决技术问题的技术方案

4、为了解决上述技术问题，依照一个方式，提供一种基片加热装置，其包括：感应加热线圈；保持托盘，其具有载置并保持基片的基片保持部，能够被上述感应加热线圈感应加热；和旋转台，其支承上述保持托盘，被设置成能够旋转。

5、发明效果

6、依照一个方面，能够提供抑制加热所需的消耗功率，提高温度控制性的基片加热装置和基片处理装置。

技术特征：

1.一种基片加热装置，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的基片加热装置，其特征在于：

3.如权利要求2所述的基片加热装置，其特征在于：

4.如权利要求2所述的基片加热装置，其特征在于：

5.如权利要求1所述的基片加热装置，其特征在于：

6.如权利要求5所述的基片加热装置，其特征在于：

7.如权利要求1所述的基片加热装置，其特征在于：

8.如权利要求1所述的基片加热装置，其特征在于：

9.如权利要求8所述的基片加热装置，其特征在于：

10.一种基片处理装置，其特征在于：

技术总结
本发明提供抑制加热所需的消耗功率，提高温度控制性的基片加热装置和基片处理装置。基片加热装置包括：感应加热线圈；保持托盘，其具有载置并保持基片的基片保持部，能够被上述感应加热线圈感应加热；和旋转台，其支承上述保持托盘，被设置成能够旋转。

技术研发人员：本间学
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15