显示面板及其制作方法、显示装置与流程

本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板及其制作方法、显示装置。

背景技术：

1、近些年，ltpo(low temperature polycrystalline oxide，低温多晶氧化物)显示面板越来越受到消费者的关注，ltpo显示面板同时采用了两种有源层，在多晶硅有源层的源漏极搭接孔形成后，由于多晶硅表面会形成氧化层，因此在与源漏极层搭接时会产生较大的接触阻抗，影响器件正常工作，因此通常使用酸液进行清洗，将多晶硅表面的氧化层通过化学反应去除，然而，酸液会迅速与金属氧化物有源层反应，将金属氧化物有源层刻蚀掉，影响金属氧化物有源层的性能，损坏显示面板。

2、因此，亟需一种显示面板及其制作方法、显示装置以解决上述技术问题。

技术实现思路

1、本申请提供一种显示面板及其制作方法、显示装置，可以改善目前多晶硅有源层表面的氧化层影响接触电阻的技术问题。

2、本申请提供一种显示面板，包括衬底、及位于所述衬底上的多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

3、所述第一薄膜晶体管包括第一有源层、位于所述第一有源层远离所述衬底一侧且与所述第一有源层直接接触的第一源漏极层；

4、所述第二薄膜晶体管包括第二有源层、位于所述第二有源层远离所述衬底一侧且与所述第二有源层直接接触的第二源漏极层；

5、其中，所述第一有源层包括多晶硅，所述第二有源层包括金属氧化物，所述第一源漏极层与所述第二源漏极层不同层设置，所述第一源漏极层与所述衬底之间的距离小于所述第二源漏极层与所述衬底之间的距离。

6、在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层位于所述第二栅极层与所述第一有源层之间；其中，所述第一源漏极层与所述第二栅极层同层设置且材料相同。

7、在一些实施例中，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二有源层远离所述衬底一侧的第三栅极层；其中，所述第一源漏极层与所述第三栅极层同层设置且材料相同。

8、在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第一连接部，所述第一连接部与所述第一源漏极层同层设置且材料相同，所述第一连接部通过过孔与所述第一有源层电连接；所述第二源漏极层位于所述第三栅极层远离所述衬底一侧；其中，所述第二源漏极层通过过孔与所述第一连接部电连接。

9、在一些实施例中，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层位于所述第二栅极层与所述第一有源层之间；所述第二有源层位于所述第二栅极层远离所述衬底一侧；其中，所述第二薄膜晶体管还包括遮光功能层，所述遮光功能层与所述第二栅极层同层设置且材料相同。

10、在一些实施例中，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二有源层远离所述衬底一侧的第三栅极层及第二连接部，所述第二连接部与所述第三栅极层同层设置且材料相同；其中，所述第二连接部与所述第三栅极层电连接，所述第二连接部通过过孔与所述遮光功能层电连接。

11、在一些实施例中，所述第二有源层位于所述第一有源层远离所述衬底一侧。

12、本申请还提供了一种显示面板的制作方法，包括：

13、提供一衬底；

14、在所述衬底一侧形成第一有源层；

15、在所述第一有源层远离所述衬底一侧形成第一绝缘层；

16、在所述第一绝缘层上形成第一过孔，暴露所述第一有源层远离所述衬底一侧的表面氧化层；

17、利用酸液，通过所述第一过孔，去除裸露的所述第一有源层的所述表面氧化层；

18、在所述第一绝缘层上形成所述第一源漏极层；

19、在所述第一源漏极层远离所述衬底一侧形成第二有源层；

20、在所述第二有源层远离所述衬底一侧形成第二源漏极层；

21、其中，所述第一有源层包括多晶硅，所述第二有源层包括金属氧化物；

22、或者，所述显示面板的制作方法包括：

23、提供一衬底；

24、在所述衬底一侧形成第一有源层；

25、在所述第一有源层远离所述衬底一侧形成第二有源层；

26、在所述第二有源层上形成第二绝缘层；

27、在所述第二绝缘层上形成第二过孔，暴露所述第一有源层远离所述衬底一侧的表面氧化层；

28、利用酸液，通过所述第二过孔，去除裸露的所述第一有源层的所述表面氧化层；

29、在所述第二绝缘层上形成所述第一源漏极层；

30、在所述第一源漏极层远离所述衬底一侧形成第二源漏极层；

31、其中，所述第一有源层包括多晶硅，所述第二有源层包括金属氧化物。

32、在一些实施例中，所述在形成所述第一源漏极层之前，所述显示面板的制作方法还包括：利用退火工艺，对所述第一有源层进行去氢处理。

33、本申请还提供了一种显示装置，包括如任一上述的显示面板或由如任一上述的显示面板的制作方法制得的显示面板。

34、本申请有益效果：本申请通过将多晶硅薄膜晶体管的源漏极层先形成于金属氧化物薄膜晶体管的源漏极层，从而在形成第一源漏极层的接触孔时，第二源漏极层的接触孔还未开启，在利用酸液对第一源漏极层的接触孔对应的多晶硅表面氧化层进行处理时，既不会损伤第二有源层，又可以降低第一源漏极层与第一有源层的接触电阻，保护显示面板，提升显示面板的性能。

技术特征：

1.一种显示面板，其特征在于，包括衬底、及位于所述衬底上的多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层位于所述第二栅极层与所述第一有源层之间；

3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二有源层远离所述衬底一侧的第三栅极层；

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一连接部，所述第一连接部与所述第一源漏极层同层设置且材料相同，所述第一连接部通过过孔与所述第一有源层电连接；

5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第一薄膜晶体管还包括第一栅极层和第二栅极层，所述第一栅极层位于所述第二栅极层与所述第一有源层之间；

6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述第二薄膜晶体管还包括位于所述第二有源层远离所述衬底一侧的第三栅极层及第二连接部，所述第二连接部与所述第三栅极层同层设置且材料相同；

7.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述第二有源层位于所述第一有源层远离所述衬底一侧。

8.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的显示面板的制作方法，其特征在于，所述在形成所述第一源漏极层之前，所述显示面板的制作方法还包括：

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至7中任一项所述的显示面板或由权利要求8或9所述的显示面板的制作方法制得的显示面板。

技术总结
本申请实施例公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置；该显示面板包括衬底、多个第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，该第一薄膜晶体管包括第一有源层和第一源漏极层，该第二薄膜晶体管包括第二有源层和第二源漏极层，该第一有源层包括多晶硅，该第二有源层包括金属氧化物，该第一源漏极层与该衬底之间的距离小于该第二源漏极层与该衬底之间的距离；本申请通过将多晶硅薄膜晶体管的源漏极层先形成于金属氧化物薄膜晶体管的源漏极层，在形成第一源漏极层的接触孔时，第二源漏极层的接触孔还未开启，在利用酸液对多晶硅表面氧化层进行处理时，既不会损伤第二有源层，又可以降低第一源漏极层与第一有源层的接触电阻。

技术研发人员：龚吉祥
受保护的技术使用者：武汉华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/2/1