本发明专利涉及功率半导体领域,尤其涉及一种igbt模块的封装结构。
背景技术:
1、当前焊接式igbt作为电压驱动型器件广泛应用于电源、中大功率变流器中,作为市场常用的功率器件,焊接式igbt模块封装结构包括芯片、键合线、一次焊料、dbc、功率端子、二次焊料、硅凝胶及基板,并对芯片和封装进行折中布局。在igbt模块变流器中应用时,随着输出功率增加,模块中igbt及frd芯片在短时间内释放出大量的热,产生的热主要通过热传导的方式按照从里到外的方式依次从芯片、一次焊料、dbc、二次焊料及基板最后通过冷却液对igbt模块进行散热,直至达到热平衡,但是在igbt的整个模块中,受多个芯片布局及热阻通路影响,芯片散热到基板效果虽然起到一定的效果,但是针对多个芯片并联工作的耦合加热影响,平面基板散热效果还待进一步提高。
技术实现思路
1、本发明的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种igbt模块的封装结构。
2、为解决现有技术问题,本发明公开了一种igbt模块的封装结构,包括igbt基板,所述igbt基板设有上半桥微沟槽结构、下半桥微沟槽结构和凹形槽,所述上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构上分别设置固定igbt芯片和frd芯片,所述上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构用于对igbt芯片和frd芯片形成散热,所述凹形槽设于上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构的外围,所述凹形槽用于嵌合散热器,使散热器的冷却液对igbt芯片和frd芯片进行冷却。
3、进一步地,所述上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构包括若干个柱形槽。
4、进一步地,若干个柱形槽呈矩形分布。
5、进一步地,所述凹形槽呈矩形,将所有上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构框在矩形内。
6、进一步地,所述上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构的数量均为3个。
7、进一步地,每个上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构上分别设置一个igbt芯片和frd芯片。
8、本发明具有的有益效果:
9、在不改变igbt模块基板大小、厚度的基础上,通过在焊接式igbt模块的基板上进行微沟槽柱形pressfit连接技术和凹嵌合密封连接技术,通过这种技术,在对igbt模块进行功率循环实验或实际应用在变流器中时,可以改变芯片之间的热耦合路径,从改变igbt模块的散热能力,另外通过凹嵌合密封连接技术把整个模块嵌合到散热器中,并密封起来,然后通过冷却液加速把igbt模块中的热量带走,从而达到优化igbt模块散热的目的。
1.一种igbt模块的封装结构,其特征在于,包括igbt基板,所述igbt基板设有上半桥微沟槽结构(7)、下半桥微沟槽结构(8)和凹形槽(9),所述上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)上分别设置固定igbt芯片(10)和frd芯片(11),所述上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)用于对igbt芯片(10)和frd芯片(11)形成散热,所述凹形槽(9)设于上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)的外围,所述凹形槽(9)用于嵌合散热器,使散热器的冷却液对igbt芯片(10)和frd芯片(11)进行冷却。
2.根据权利要求1所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,所述上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)包括若干个柱形槽。
3.根据权利要求2所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,若干个柱形槽呈矩形分布。
4.根据权利要求1所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,所述凹形槽(9)呈矩形,将所有上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)框在矩形内。
5.根据权利要求1所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,所述上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)的数量均为3个。
6.根据权利要求1所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,每个上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)上分别设置一个igbt芯片(10)和frd芯片(11)。