一种IGBT模块的封装结构的制作方法

文档序号:35022198发布日期:2023-08-04 17:44阅读:82来源:国知局
一种IGBT模块的封装结构的制作方法

本发明专利涉及功率半导体领域,尤其涉及一种igbt模块的封装结构。


背景技术:

1、当前焊接式igbt作为电压驱动型器件广泛应用于电源、中大功率变流器中,作为市场常用的功率器件,焊接式igbt模块封装结构包括芯片、键合线、一次焊料、dbc、功率端子、二次焊料、硅凝胶及基板,并对芯片和封装进行折中布局。在igbt模块变流器中应用时,随着输出功率增加,模块中igbt及frd芯片在短时间内释放出大量的热,产生的热主要通过热传导的方式按照从里到外的方式依次从芯片、一次焊料、dbc、二次焊料及基板最后通过冷却液对igbt模块进行散热,直至达到热平衡,但是在igbt的整个模块中,受多个芯片布局及热阻通路影响,芯片散热到基板效果虽然起到一定的效果,但是针对多个芯片并联工作的耦合加热影响,平面基板散热效果还待进一步提高。


技术实现思路

1、本发明的目的在于克服现有技术中的不足,提供一种igbt模块的封装结构。

2、为解决现有技术问题,本发明公开了一种igbt模块的封装结构,包括igbt基板,所述igbt基板设有上半桥微沟槽结构、下半桥微沟槽结构和凹形槽,所述上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构上分别设置固定igbt芯片和frd芯片,所述上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构用于对igbt芯片和frd芯片形成散热,所述凹形槽设于上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构的外围,所述凹形槽用于嵌合散热器,使散热器的冷却液对igbt芯片和frd芯片进行冷却。

3、进一步地,所述上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构包括若干个柱形槽。

4、进一步地,若干个柱形槽呈矩形分布。

5、进一步地,所述凹形槽呈矩形,将所有上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构框在矩形内。

6、进一步地,所述上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构的数量均为3个。

7、进一步地,每个上半桥微沟槽结构和下半桥微沟槽结构上分别设置一个igbt芯片和frd芯片。

8、本发明具有的有益效果:

9、在不改变igbt模块基板大小、厚度的基础上,通过在焊接式igbt模块的基板上进行微沟槽柱形pressfit连接技术和凹嵌合密封连接技术,通过这种技术,在对igbt模块进行功率循环实验或实际应用在变流器中时,可以改变芯片之间的热耦合路径,从改变igbt模块的散热能力,另外通过凹嵌合密封连接技术把整个模块嵌合到散热器中,并密封起来,然后通过冷却液加速把igbt模块中的热量带走,从而达到优化igbt模块散热的目的。



技术特征:

1.一种igbt模块的封装结构,其特征在于,包括igbt基板,所述igbt基板设有上半桥微沟槽结构(7)、下半桥微沟槽结构(8)和凹形槽(9),所述上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)上分别设置固定igbt芯片(10)和frd芯片(11),所述上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)用于对igbt芯片(10)和frd芯片(11)形成散热,所述凹形槽(9)设于上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)的外围,所述凹形槽(9)用于嵌合散热器,使散热器的冷却液对igbt芯片(10)和frd芯片(11)进行冷却。

2.根据权利要求1所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,所述上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)包括若干个柱形槽。

3.根据权利要求2所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,若干个柱形槽呈矩形分布。

4.根据权利要求1所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,所述凹形槽(9)呈矩形,将所有上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)框在矩形内。

5.根据权利要求1所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,所述上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)的数量均为3个。

6.根据权利要求1所述的igbt模块的封装结构,其特征在于,每个上半桥微沟槽结构(7)和下半桥微沟槽结构(8)上分别设置一个igbt芯片(10)和frd芯片(11)。


技术总结
本发明提供一种IGBT模块的封装结构,针对当前国内外焊接式IGBT模块结构依然按照芯片、焊料、DBC及平面基板常规的方式从内到外组成,在整个封装结构中,芯片热耦合严重,热传递路径散热热耦合同样严重,整个模块的散热效果较差的问题,通过对芯片传热路径中基板进行微型化PressFIT微型化及基板凹槽嵌合技术处理,通过对IGBT模块基板的结构处理,即改变芯片散热通道及热阻,减少芯片及热传递路径耦合,这样可以进一步加大芯片的散热效果,在不超过芯片的最高结温下,通过这一技术可以提高芯片的功率密度,用在变流器中时,可以提供整个变流器单元的功率密度,从而减小IGBT模块的热失效率,提高整个IGBT模块寿命,其IGBT模块鲁棒性也大大加强。

技术研发人员:董志意,王蕤
受保护的技术使用者:南瑞联研半导体有限责任公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/14
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