半导体器件的制作方法以及CMOS图像传感器与流程

本申请涉及半导体，具体而言，涉及一种半导体器件的制作方法以及cmos图像传感器。

背景技术：

1、55cis（55nm的cmos图像传感器）中具有两种区域，分别为salicide area（自对准硅化物区域）和non-salicide area（非自对准硅化物区域），其中，non-salicide area上的非金属硅化物器件比salicide area上的金属硅化物器件多一层阻挡层，因此在形成贯穿至金属硅化物器件以及非金属硅化物器件的接触孔的过程中，会造成金属硅化物器件的接触孔过刻，损伤金属硅化物器件。

2、在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

1、本申请的主要目的在于提供一种半导体器件的制作方法以及cmos图像传感器，以解决现有技术中形成金属硅化物器件以及非金属硅化物器件的接触孔的过程损伤金属硅化物器件的问题。

2、根据本发明实施例的一个方面，提供了一种半导体的制作方法，包括：提供基底，所述基底包括衬底、第一器件、第二器件、第一阻挡层以及介质层，其中，所述第一器件以及所述第二器件间隔设置在所述衬底上，所述第一器件为经自对准硅化物工艺处理得到的器件，所述第二器件为未经自对准硅化物工艺处理得到的器件，所述第一阻挡层位于所述第二器件的裸露表面上，所述介质层位于所述第一器件、所述衬底以及所述第一阻挡层的裸露表面上；去除部分的所述介质层，以形成位于所述介质层中的第一沟槽以及第二沟槽，其中，所述第一沟槽使得所述第一器件的部分裸露，所述第二沟槽使得所述第一阻挡层的部分裸露；形成覆盖所述第一沟槽的保护结构，之后通过所述第二沟槽去除裸露的所述第一阻挡层，以使得所述第二器件的部分裸露；刻蚀去除所述保护结构，并对去除了所述保护结构的所述基底进行刻蚀后处理，得到半导体器件。

3、可选地，提供基底，包括：提供所述衬底，所述衬底包括间隔设置的第一器件区域以及第二器件区域；形成位于所述第一器件区域上的第一栅极结构、位于所述第一栅极结构两侧的第一源极区以及第一漏极区，以及形成位于所述第二器件区域上的第二栅极结构、位于所述第二栅极结构两侧的第二源极区以及第二漏极区，所述第二栅极结构、所述第二源极区以及所述第二漏极区形成所述第二器件；在所述第二器件的裸露表面上形成所述第一阻挡层，并采用自对准硅化物工艺处理形成有所述第一阻挡层的所述衬底，以在所述第一源极区远离所述衬底的表面上形成第一硅化物层、在所述第一漏极区远离所述衬底的表面上形成第二硅化物层和在所述第一栅极结构远离所述衬底的表面上形成第三硅化物层，所述第一栅极结构、所述第一源极区、所述第一漏极区、所述第一硅化物层、所述第二硅化物层以及所述第三硅化物层构成所述第一器件；在所述衬底、所述第一器件以及所述第一阻挡层的裸露表面上依次叠置第二阻挡层以及所述介质层，得到所述基底。

4、可选地，仅覆盖所述第二源极区的所述第一阻挡层为第一阻挡结构，仅覆盖所述第二栅极结构的所述第一阻挡层为第二阻挡结构，仅覆盖所述第二漏极区的所述第一阻挡层为第三阻挡结构，去除部分的所述介质层，以形成位于所述介质层中的第一沟槽以及第二沟槽，包括：在所述介质层远离所述第一阻挡层的表面上形成图形化的第一掩膜层；以图形化的所述第一掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述介质层以及所述第二阻挡层，以形成位于所述介质层以及所述第二阻挡层中的第一子沟槽、第二子沟槽、第三子沟槽、第四子沟槽、第五子沟槽以及第六子沟槽，其中，所述第一子沟槽使得所述第一硅化物层的部分表面裸露，所述第二子沟槽使得所述第三硅化物层的部分表面裸露，所述第三子沟槽使得所述第二硅化物层的部分表面裸露，所述第四子沟槽使得所述第一阻挡结构的部分裸露，所述第五子沟槽使得所述第二阻挡结构的部分裸露，所述第六子沟槽使得所述第三阻挡结构的部分裸露，所述第一子沟槽、所述第二子沟槽以及所述第三子沟槽构成所述第一沟槽，所述第四子沟槽、所述第五子沟槽以及所述第六子沟槽构成所述第二沟槽；去除图形化的所述第一掩膜层。

5、可选地，形成覆盖所述第一沟槽的保护结构，之后通过所述第二沟槽去除裸露的所述第一阻挡层，以使得所述第二器件的部分裸露，包括：在所述第一子沟槽、所述第二子沟槽以及所述第三子沟槽中填充光刻胶，形成所述保护结构；沿着所述第四子沟槽、所述第五子沟槽以及所述第六子沟槽，对形成有所述保护结构的所述基底进行刻蚀，以去除裸露的所述第一阻挡层，使得所述第二源极区、所述第二漏极区以及所述第二栅极结构的部分表面裸露。

6、可选地，在所述第一器件区域上形成第一栅极结构，以及在所述第二器件区域上形成第二栅极结构，包括：在所述衬底上依次叠置栅氧层以及多晶硅层；在所述多晶硅层远离所述栅氧层的表面上形成图形化的第二掩膜层；以图形化的所述第二掩膜层为掩膜，依次刻蚀所述多晶硅层以及所述栅氧层，以在所述第一器件区域上形成第一栅极部以及第一栅氧部，在所述第二器件区域上形成第二栅极部以及第二栅氧部，所述第一栅极部以及所述第一栅氧部构成所述第一栅极结构，所述第二栅极部以及所述第二栅氧部构成所述第二栅极结构；去除图形化的所述第二掩膜层。

7、可选地，刻蚀去除所述保护结构，包括：采用等离子体刻蚀法刻蚀去除所述保护结构。

8、可选地，在得到半导体器件之后，所述方法还包括：分别在所述第一沟槽以及所述第三沟槽中填充导电材料，填充所述导电材料后的所述第一沟槽形成第一接触孔，填充所述导电材料后的所述第二沟槽形成第二接触孔，所述第三沟槽为去除裸露的所述第一阻挡层后的所述第二沟槽。

9、可选地，所述第一阻挡层的材料包括teos氧化物，所述介质层的材料包括氧化硅。

10、可选地，所述第二阻挡层的材料包括氮化硅。

11、根据本发明实施例的另一方面，还提供了一种cmos图像传感器，包括：采用任一种所述的制作方法制作得到的半导体器件。

12、在本发明实施例中，由于第二器件比第一器件多了一层第一阻挡层，本申请在形成贯穿至第一器件以及第二器件的接触孔的过程中，先去除部分的介质层，形成暴露第一器件的第一沟槽以及暴露第一阻挡层的第二沟槽，向第一沟槽中填充保护结构后再继续去除裸露的第一阻挡层，使得第二器件裸露，刻蚀第一阻挡层的过程中所述保护结构保护第一器件不受损伤，避免了去除第一阻挡层、使得第二器件裸露的过程中过损伤第一器件的问题，同时保证了第一器件和第二器件都能裸露，方便后续能成功形成接触孔，保证了半导体器件的制作良率较高。并且，本申请在刻蚀去除所述保护结构之后进行刻蚀后处理，可以将去除过程中在第二器件的裸露表面上形成的氧化物薄层去除，从而保证整个半导体器件的接触孔阻值较低。

技术特征：

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，提供基底，包括：

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，仅覆盖所述第二源极区的所述第一阻挡层为第一阻挡结构，仅覆盖所述第二栅极结构的所述第一阻挡层为第二阻挡结构，仅覆盖所述第二漏极区的所述第一阻挡层为第三阻挡结构，去除部分的所述介质层，以形成位于所述介质层中的第一沟槽以及第二沟槽，包括：

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，形成覆盖所述第一沟槽的保护结构，之后通过所述第二沟槽去除裸露的所述第一阻挡层，以使得所述第二器件的部分裸露，包括：

5.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述第一器件区域上形成第一栅极结构，以及在所述第二器件区域上形成第二栅极结构，包括：

6.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，刻蚀去除所述保护结构，包括：

7.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，在得到半导体器件之后，所述方法还包括：

8.根据权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡层的材料包括teos氧化物，所述介质层的材料包括氧化硅。

9.根据权利要求2至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述第二阻挡层的材料包括氮化硅。

10.一种cmos图像传感器，其特征在于，包括：采用权利要求1至9中任一项所述的制作方法制作得到的半导体器件。

技术总结
本申请提供了一种半导体器件的制作方法以及CMOS图像传感器，该方法包括：提供基底，基底包括衬底、第一器件、第二器件、第一阻挡层以及介质层，第一阻挡层位于第二器件的裸露表面上，介质层位于第一器件、衬底以及第一阻挡层的裸露表面上；去除部分的介质层，以形成位于介质层中的第一沟槽以及第二沟槽，第一沟槽使得第一器件裸露，第二沟槽使得第一阻挡层裸露；形成覆盖第一沟槽的保护结构，之后通过第二沟槽去除裸露的第一阻挡层，以使得第二器件的部分裸露；刻蚀去除保护结构，并对去除了保护结构的基底进行刻蚀后处理，得到半导体器件。本申请解决了形成金属硅化物器件以及非金属硅化物器件的接触孔过程中损伤金属硅化物器件的问题。

技术研发人员：谢斌根,林成芝
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/13