一种LED芯片制备方法及LED芯片与流程

本发明涉及rgb芯片，特别涉及一种led芯片制备方法及led芯片。

背景技术：

1、随着rgb小尺寸芯片在市场需求量日益增多，因尺寸，图形，以及封装的局限性，产品后续使用出现的金属迁移的问题也成为了当前急需解决的问题之一。

2、从理论知识上来说，金属迁移是指金属表面经过电化学迁移的表现为阳极晶枝生长，溶液中生成金属氧化物和氢氧化物是阳极晶枝生长，而电化学迁移是相邻电极在潮湿和直流偏压下，部分电极金属发生溶解进入介质，然后迁移到另一极。在此过程中，通常发生电化学沉积生成导电性的晶枝结构，最终导致两电极发生短路现象。

3、因此，现有技术中的rgb产品在通电过程中，容易因为水汽的浸入形成电化学，导致金属迁移，进而导致电极容易发生短路的问题。

技术实现思路

1、基于此，本发明的目的是提供一种led芯片制备方法及led芯片，旨在解决现有技术中的led芯片在通电过程当中容易短路的问题。

2、本发明实施例是这样实现的：

3、一方面，本发明提出一种led芯片制备方法，所述方法；

4、提供一制作好电极的半成品led芯片；

5、在所述半成品led芯片的表面沉积钝化层，并对所述钝化层依次进行涂胶、曝光以及显影以在所述钝化层表面得到psv图形；

6、对带有所述psv图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出n型和p型焊盘的钝化层图形。

7、进一步的，上述led芯片制备方法，其中，所述钝化层为单层膜层。

8、进一步的，上述led芯片制备方法，其中，所述钝化层为疏水性膜层。

9、进一步的，上述led芯片制备方法，其中，所述钝化层为多层膜层，所述钝化层包括膜层底层以及层叠在所述膜层底层的膜层顶层。

10、进一步的，上述led芯片制备方法，其中，所述膜层底层为亲水性膜层，所述膜层顶层为疏水性膜层。

11、进一步的，上述led芯片制备方法，其中，所述钝化层为sio2、sinx以及al2o3的任意一种。

12、进一步的，上述led芯片制备方法，其中，所述对带有所述psv图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出n型和p型焊盘的钝化层图形的步骤之后还包括：

13、对所述半成品led芯片进行研磨，以将所述半成品led芯片研磨至预设的芯片厚度；

14、在所述半成品led芯片背面固定基板，并依次进行涂胶、曝光以及显影，在所述基板表面形成iso图形；

15、对带有所述iso图形的基板进行刻蚀，以刻穿所述半成品led芯片的切割道。

16、进一步的，上述led芯片制备方法，其中，所述制作好电极的半成品led芯片的步骤包括：

17、提供一外延片；

18、在所述外延片上沉积ito 导电膜，并依次经过涂胶、曝光以及显影在所述外延片的表面形成msa图形；

19、依次进行干法和湿法刻蚀，显露出带有ito 膜层图形的p型半导体层以及带有msa图形的n型半导体层；

20、依次进行涂胶、曝光以及显影以在所述外延片表面形成ito图形，并对所述p型半导体层的电极处的ito 膜层进行刻蚀；

21、再次进行涂胶、曝光以及显影以在所述外延片表面得到pad图形；

22、在所述外延片表面蒸镀金属电极，并保留电极处的金属层剥离掉其余表面金属得到所制作好电极的半成品led芯片。

23、进一步的，上述led芯片制备方法，其中，所述在所述外延片上沉积ito 导电膜，并依次经过涂胶、曝光以及显影在所述外延片的表面形成msa图形的步骤之后还包括：

24、对所述ito 导电膜进行退火处理。

25、再一方面，本发明提出一种led芯片，由上述任一项所述的led芯片制备方法制备得到。

26、本发明通过在半成品led芯片的表面沉积钝化层，并对钝化层依次进行涂胶、曝光以及显影以在钝化层表面得到psv图形，然后对带有psv图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出n型和p型焊盘的钝化层图形，以保护芯片避免水汽浸入，并且设计的psv钝化层图形，包覆性良好，避免切割时使切割道处psv破裂，而导致的水汽浸入，一方面，保证芯片结构本身的容易水汽浸入，另一方面避免后续芯片制作工艺容易造成的水汽浸入，解决了现有技术当中因为水汽的浸入形成电化学，导致金属迁移，进而导致电极容易发生短路的问题。

技术特征：

1.一种led芯片制备方法，其特征在于，所述方法包括；

2.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为单层膜层。

3.根据权利要求2所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为疏水性膜层。

4.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为多层膜层，所述钝化层包括膜层底层以及层叠在所述膜层底层的膜层顶层。

5.根据权利要求4所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述膜层底层为亲水性膜层，所述膜层顶层为疏水性膜层。

6.根据权利要求1~5中任一项所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述钝化层为sio2、sinx以及al2o3的任意一种。

7.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述对带有所述psv图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出n型和p型焊盘的钝化层图形的步骤之后还包括：

8.根据权利要求1所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述制作好电极的半成品led芯片的步骤包括：

9.根据权利要求8所述的led芯片制备方法，其特征在于，所述在所述外延片上沉积ito导电膜，并依次经过涂胶、曝光以及显影在所述外延片的表面形成msa图形的步骤之后还包括：

10.一种led芯片，其特征在于，由权利要求1至9中任一项所述的led芯片制备方法制备得到。

技术总结
本发明提供一种LED芯片制备方法，所述方法包括：提供一制作好电极的半成品LED芯片；在所述半成品LED芯片的表面沉积钝化层，并对所述钝化层依次进行涂胶、曝光以及显影以在所述钝化层表面得到PSV图形；对带有所述PSV图形的钝化层进行刻蚀，得到漏出N型和P型焊盘的钝化层图形。本发明解决了现有技术中的LED芯片在通电过程当中容易短路的问题。

技术研发人员：李美玲,张雪,张星星,林潇雄,胡加辉,金从龙
受保护的技术使用者：江西兆驰半导体有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/14