1.一种巨量转移多个微型半导体芯片的巨量转移方法，所述巨量转移方法包括：
2.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述多个第一微型半导体芯片通过流体自组装方法被转移到所述第一基板上，以及
3.根据权利要求2所述的巨量转移方法，
4.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述确定包括检测关于所述空的第一凹槽的第一信息，以及
5.根据权利要求4所述的巨量转移方法，其中所述定位包括：
6.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中所述吸附包括：
7.根据权利要求6所述的巨量转移方法，其中所述第二微型半导体芯片的所述分离包括：
8.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中所述多个第二微型半导体芯片中的所述至少一些的所述吸附包括：
9.根据权利要求1所述的巨量转移方法，还包括将所述多个第一微型半导体芯片和所述第二微型半导体芯片从所述第一基板转移到驱动基板上。
10.根据权利要求5所述的巨量转移方法，其中在所述巨量转移之后，错放的第一微型半导体芯片设置在所述第一基板的除了所述多个第一凹槽之外的区域上，以及
11.根据权利要求10所述的巨量转移方法，其中所述第一基板包括限定所述多个第一凹槽的阻挡肋，
12.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述多个第一微型半导体芯片和所述多个第二微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片的尺寸等于或小于约1000μm。
13.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述多个第一微型半导体芯片和所述多个第二微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片是微型发光二极管。
14.根据权利要求1所述的巨量转移方法，其中所述第一基板包括转移基板或驱动基板。
15.一种转移结构，包括：
16.一种用于多个微型半导体芯片的巨量转移装置，所述巨量转移装置包括：
17.根据权利要求16所述的巨量转移装置，其中所述电磁阵列包括二维布置的多个单位单元，以及
18.根据权利要求16所述的巨量转移装置，进一步包括传感器，所述传感器被配置为检测关于所述多个微型半导体芯片未插入其中的空的凹槽的信息。
19.根据权利要求16所述的巨量转移装置，其中所述转移装置包括：
20.根据权利要求16所述的巨量转移装置，其中所述多个微型半导体芯片中的每个微型半导体芯片的尺寸小于或等于约1000μm。
21.一种转移多个微型半导体芯片的方法，所述方法包括：