异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统与流程

本申请涉及光伏电池，特别是涉及异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统。

背景技术：

1、太阳能电池，也称为光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，因此，太阳能电池是一种有广阔发展前景的新型电池。

2、异质结电池具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点，是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。

3、相关技术中，在异质结电池制备过程中，容易发生透明导电层、甚至衬底(硅片)的污染和损伤，从而降低异质结电池的转换效率。

技术实现思路

1、基于此，本申请提供一种异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统，提高异质结太阳能电池的转换效率。

2、本申请第一方面的实施例提供了一种异质结太阳能电池，包括异质结电池主体、过渡层以及金属电极；

3、所述异质结电池主体包括衬底，所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层；

4、所述衬底的至少一侧的所述透明导电层上层叠设有所述过渡层，且所述过渡层位于该所述透明导电层的背离所述衬底的一侧；

5、所述衬底的相对两侧的所述透明导电层均电性连接有金属电极，与所述过渡层位于所述衬底相同侧的所述金属电极均设置于该所述过渡层上；

6、其中，所述过渡层被配置为能够至少部分阻隔所述金属电极扩散至对应的所述透明导电层。

7、在其中一些实施例中，位于所述衬底的相对两侧的所述透明导电层上均层叠设有所述过渡层。

8、在其中一些实施例中，所述金属电极的靠近所述衬底的一侧与所述过渡层的背离所述衬底的一侧表面相接触；或者所述金属电极的靠近所述衬底的一侧位于所述过渡层内，且所述金属电极的靠近所述衬底的一侧与所述过渡层靠近所述衬底的一侧表面存在间距。

9、在其中一些实施例中，所述过渡层为隧穿氧化层、无机导电层或有机导电层。

10、在其中一些实施例中，所述金属电极的靠近所述衬底的一侧穿过所述过渡层与所述透明导电层相接触。

11、在其中一些实施例中，所述过渡层为无机层或有机层。

12、在其中一些实施例中，所述过渡层为无机层，所述过渡层上各处的厚度均相等，所述过渡层的厚度在0.5nm-2nm；或者所述过渡层为有机层，所述过渡层上各处的厚度不相等，所述过渡层的最小厚度在0.5nm-20nm，过渡层的最大厚度在10nm-2000nm。

13、在其中一些实施例中，所述掺杂半导体膜层为掺杂非晶硅膜层、微米晶硅膜层或纳米晶硅膜层。

14、本申请第二方面的实施例提供了一种异质结太阳能电池的制备方法，包括：

15、提供一异质结电池主体，所述异质结电池主体包括衬底，所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层；

16、在位于所述衬底的至少一侧的所述透明导电层上形成过渡层，所述过渡层位于该所述透明导电层的背离所述衬底的一侧；

17、在所述过渡层的背离所述衬底的一侧形成金属电极，并使所述金属电极与所述透明导电层电性连接；

18、其中，所述过渡层被配置为能够至少部分阻隔所述金属电极扩散至对应的所述透明导电层。

19、本申请第三方面的实施例提供了一种光伏组件，包括第一方面中任一项所述的异质结太阳能电池。

20、本申请第四方面的实施例提供了一种光伏系统，包括第三方面中所述的光伏组件。

21、上述异质结太阳能电池，通过使衬底的至少一侧的透明导电层上层叠设有过渡层，且过渡层位于该透明导电层的背离衬底的一侧，从而可保护透明导电层，降低金属电极制作过程中透明导电层发生机械损伤的几率；衬底的相对两侧的透明导电层均电性连接有金属电极，与过渡层位于衬底相同侧的金属电极均设置于该过渡层上；过渡层被配置为能够至少部分阻隔金属电极扩散至对应的透明导电层，从而可减小丝网印刷金属电极对透明导电层以及异质结电池主体的污染。综上所述，本申请可减小电池制作过程中透明导电层发生的污染和损伤，提高异质结太阳能电池的转换效率。

技术特征：

1.一种异质结太阳能电池，其特征在于，包括异质结电池主体、过渡层以及金属电极；

2.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，位于所述衬底的相对两侧的所述透明导电层上均层叠设有所述过渡层。

3.根据权利要求2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属电极的靠近所述衬底的一侧与所述过渡层的背离所述衬底的一侧表面相接触；或者

4.根据权利要求3所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述过渡层为隧穿氧化层、无机导电层或有机导电层。

5.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述过渡层为无机层或有机层。

7.根据权利要求1或2所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述过渡层为无机层，所述过渡层上各处的厚度均相等，所述过渡层的厚度在0.5nm-2nm；或者

8.根据权利要求1所述的异质结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂半导体膜层为掺杂非晶硅膜层、微米晶硅膜层或纳米晶硅膜层。

9.一种异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括：

10.一种光伏组件，其特征在于，包括根据权利要求1至8任一项所述的异质结太阳能电池。

11.一种光伏系统，其特征在于，包括根据权利要求10所述的光伏组件。

技术总结
本申请涉及一种异质结太阳能电池及其制备方法、光伏组件以及光伏系统。该异质结太阳能电池包括异质结电池主体、过渡层以及金属电极；异质结电池主体包括衬底，所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体膜层和透明导电层；衬底的至少一侧的透明导电层上层叠设有过渡层，且过渡层位于该透明导电层的背离衬底的一侧；衬底的相对两侧的透明导电层均电性连接有金属电极，与过渡层位于衬底相同侧的金属电极均设置于该过渡层上；过渡层被配置为能够至少部分阻隔金属电极扩散至对应的透明导电层；从而可减小电池制作过程中透明导电层发生的污染和损伤，提高异质结太阳能电池的转换效率。

技术研发人员：高纪凡,殷志豪,侯承利,杨庆贺,杨广涛,陈达明
受保护的技术使用者：天合光能股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15