芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备与流程

文档序号:36390187发布日期:2023-12-15 07:51阅读:24来源:国知局
芯片制造工艺的改良方法与流程

本公开涉及芯片制造,尤其涉及一种芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备。


背景技术:

1、在传统的逻辑集成电路芯片的制造工艺中,由于逻辑集成电路芯片的器件尺寸较大(65nm以上)以及逻辑集成电路芯片的器件总数少,逻辑集成电路芯片的电路模块相对简单。因此传统的逻辑集成电路芯片在制造过程中,对同一类型器件在不同用途的情况下,通过不同工作电压进行工艺区分,就能满足芯片使用及良率优化的需求。但随着芯片技术的演进,电路集成度的提高,传统的芯片制造方法无法满足现目前芯片的各模块电路的设计需求,无法确保各电路模块处于最优的性能及良率条件。


技术实现思路

1、本公开的目的是提供一种芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备,以提升芯片的性能及产品良率。

2、根据本公开的一个方面,提供一种芯片制造工艺的改良方法,该方法包括:

3、基于芯片良率测试的测试结果分析得到芯片的各个电路模块对应的工艺条件;工艺条件包括每个电路模块的各工序的最佳工艺参数;

4、在每个电路模块执行各工序时,根据对应的最佳工艺参数对每个电路模块进行制造;

5、基于制造完成后的各电路模块生成芯片。

6、进一步的,测试结果包括cp测试结果和ft测试结果。

7、进一步的,在每个电路模块执行各工序之前,芯片制造工艺的改良方法还包括:

8、根据工艺条件进行光罩区域的划分,得到不同的光罩区域。

9、进一步的,根据工艺条件进行光罩区域的划分,得到不同的光罩区域的步骤包括:

10、将具备相同工艺条件的电路模块划分在同一光罩区域;

11、将具备不同工艺条件的电路模块划分在不同光罩区域。

12、进一步的,在每个电路模块执行各工序的过程中,芯片制造工艺的改良方法还包括:

13、在电路模块执行目标工序前,根据各电路模块的目标工艺参数进行光罩区域的调整,得到调整后的光罩区域;目标工序为电路模块将执行的下一工序,目标工艺参数为目标工序对应的最佳工艺参数。

14、进一步的,在电路模块执行目标工序前,根据各电路模块的目标工艺参数进行光罩区域的调整,得到调整后的光罩区域的步骤包括:

15、将具备相同目标工艺参数的电路模块调整在同一光罩区域;

16、将具备不同目标工艺参数的电路模块调整在不同光罩区域。

17、根据本公开的另一方面,提供一种芯片制造工艺的改良装置,包括:

18、工艺条件生成模块,用于基于芯片良率测试的测试结果分析得到芯片的各个电路模块对应的工艺条件;工艺条件包括每个电路模块的各工序的最佳工艺参数;

19、工序执行模块,用于在每个电路模块执行各工序时,根据对应的最佳工艺参数对所述每个电路模块进行制造;

20、芯片生成模块,用于基于制造完成后的各电路模块生成芯片。

21、进一步的,测试结果包括cp测试结果和ft测试结果。

22、进一步的,改良装置还包括:

23、光罩划分模块,用于根据工艺条件进行光罩区域的划分,得到不同的光罩区域。

24、进一步的,光罩划分模块,用于将具备相同工艺条件的电路模块划分在同一光罩区域,将具备不同工艺条件的电路模块划分在不同光罩区域。

25、进一步的,改良装置还包括:

26、光罩调整模块,用于在电路模块执行目标工序前,根据各电路模块的目标工艺参数进行光罩区域的调整,得到调整后的光罩区域;目标工序为电路模块将执行的下一工序,目标工艺参数为目标工序对应的最佳工艺参数。

27、进一步的,光罩调整模块,用于将具备相同目标工艺参数的电路模块调整在同一光罩区域,将具备不同目标工艺参数的电路模块调整在不同光罩区域。

28、根据本公开的另一方面,提供一种芯片,包括上述任一实施例所述的芯片制造工艺的改良方法制造生成的电路模块。

29、根据本公开的另一方面,提供一种电子装置,包括上述任一实施例所述的芯片。

30、根据本公开的另一方面,提供一种电子设备,包括上述任一实施例所述的电子装置。



技术特征:

1.一种芯片制造工艺的改良方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测试结果包括cp测试结果和ft测试结果。

3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在每个电路模块执行各工序之前,所述方法还包括:

4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述工艺条件进行光罩区域的划分,得到不同的光罩区域的步骤包括:

5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在每个电路模块执行各工序的过程中,所述方法还包括:

6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述在所述电路模块执行目标工序前,根据各电路模块的目标工艺参数进行光罩区域的调整,得到调整后的光罩区域的步骤包括:

7.一种芯片制造工艺的改良装置,其特征在于,包括:

8.根据权利要求7所述的芯片制造工艺的改良装置,其特征在于,所述测试结果包括cp测试结果和ft测试结果。

9.根据权利要求7所述的芯片制造工艺的改良装置,其特征在于,所述改良装置还包括:

10.根据权利要求9所述的芯片制造工艺的改良装置,其特征在于,所述光罩划分模块,用于将具备相同工艺条件的电路模块划分在同一光罩区域,将具备不同工艺条件的电路模块划分在不同光罩区域。

11.根据权利要求7所述的芯片制造工艺的改良装置,其特征在于,所述改良装置还包括:

12.根据权利要求11所述的芯片制造工艺的改良装置,其特征在于,所述光罩调整模块,用于将具备相同目标工艺参数的电路模块调整在同一光罩区域,将具备不同目标工艺参数的电路模块调整在不同光罩区域。

13.一种芯片,其特征在于,包括基于权利要求1-6任一项所述的芯片制造工艺的改良方法制造生成的电路模块。

14.一种电子装置,其特征在于,包括权利要求13所述的芯片。

15.一种电子设备,其特征在于,包括权利要求14所述的电子装置。


技术总结
本公开提供一种芯片制造工艺的改良方法、芯片、电子装置和电子设备。改良方法包括:基于芯片良率测试的测试结果分析得到芯片的各个电路模块对应的工艺条件;工艺条件包括每个电路模块的各工序的最佳工艺参数;在每个电路模块执行各工序时,根据对应的最佳工艺参数对每个电路模块进行制造;基于制造完成后的各电路模块生成芯片。在制造各电路模块的过程中,基于芯片良率测试的测试结果确定每个电路模块的每道工序的最佳工艺参数,可以针对不同电路模块的每道工序作出适应性的工艺参数调节,进而实现对芯片制造的各环节进行分模块和工序的拆解及改良,以此达到提升芯片性能和产品良率的目的。

技术研发人员:钱虓,樊强
受保护的技术使用者:象帝先计算技术(重庆)有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/1/15
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