叠层片式耦合器件及其制造方法与流程

本申请涉及耦合领域，具体涉及一种叠层片式耦合器件及其制造方法。

背景技术：

1、随着5g通信技术的迅速发展，通信频段增多，频率也逐渐趋于高频，另外根据不同的场合对以滤波器为代表的耦合器件有不同的特性需求，现代通信市场俨然成了多种耦合器件的竞技场。行业内耦合器件中用于产品方向识别的标识(mark)通常会采用金属材料或者陶瓷材料来制作，且标识裸露在磁体表面。金属材料的标识缺点是制造成本高且在流转过程标识容易被剐蹭，会造成相近焊盘形成通路导致电性不良，对于部分耦合器件，表面的金属标识会与内部电极形成寄生电容造成电性能变差。陶瓷材料的标识缺点是陶瓷材料与磁体材料共烧后结合力差，导致标识容易脱落或者标识材料容易在电镀过程被腐蚀，造成标识的显色度变差，从而导致产品入料的方向识别有误。

技术实现思路

1、鉴于此，本申请提供一种叠层片式耦合器件及其制造方法，用于改善设置于耦合器件表面的标识容易被剐蹭缺损及电镀腐蚀造成显色度差等问题。

2、本申请提供的一种叠层片式耦合器件，包括器件主体及标识，所述标识设于所述器件主体的内部，且在所述器件主体的外部，所述标识至少部分可见。

3、可选地，所述器件主体包括：

4、第一外介电层；

5、第二外介电层，与所述第一外介电层沿第二方向相对设置；

6、多个内介电层；

7、多层内电极，所述多层内电极和所述多个内介电层设置于所述第一外介电层和所述第二外介电层之间，且沿所述第二方向依次交替层叠设置，相邻两层所述内电极通过设置于两者之间的所述内介电层绝缘；

8、标识，位于所述第一外介电层和所述第二外介电层之间。

9、可选地，所述标识包括至少一层子部分和/或至少一平面部分；所述子部分设置于对应的内介电层开设的通孔中；所述平面部分设置于相邻任一所述内介电层上，沿所述第二方向，所述平面部分的正投影覆盖最邻近的所述子部分的正投影。

10、可选地，所述平面部分设置于所述第一外介电层朝向所述多个内介电层的侧面。

11、可选地，所述第一外介电层开设的通孔中设置有一层所述子部分。

12、可选地，所述标识包括多层所述子部分，沿所述第二方向，多层所述子部分依次首尾连接。

13、可选地，所述标识的显色度高于所述多个内介电层的显色度。

14、本申请提供的一种叠层片式耦合器件的制造方法，包括：

15、形成器件主体，所述器件主体包括沿第二方向依次交替层叠的多个介电层和多层内电极，相邻两层所述内电极通过设于两者之间的介电层绝缘；

16、在最外侧的两个介电层之间形成标识，且在所述器件主体的外部，所述标识至少部分可见。

17、可选地，所述在最外层的两个介电层之间形成标识，包括以下至少一项：

18、在最外侧的两个介电层之间的至少一所述介电层开设通孔，并在所述通孔中形成子部分；

19、在至少一所述介电层上形成平面部分；

20、在最外侧的两个介电层之间的至少一所述介电层上形成平面部分，并在所述平面部分最邻近的介电层开设通孔，以及在所述通孔中形成子部分，且沿所述第二方向，所述平面部分的正投影覆盖所述子部分的正投影。

21、可选地，所述在最外层的两个介电层之间形成标识，包括以下至少一项：

22、在最邻近最外侧介电层的一介电层上形成平面部分，并在最外侧的所述介电层开设通孔，以及所述通孔中形成子部分，且沿所述第二方向，所述平面部分的正投影覆盖所述子部分的正投影；

23、采用显色度高于所述介电层的材料形成所述标识。

24、如上所述，本申请将标识设置于器件主体的内部，从而可以避免标识脱落，以及标识被剐蹭等导致的缺损，还可以避免电镀腐蚀造成显色度差等问题。

技术特征：

1.一种叠层片式耦合器件，其特征在于，包括器件主体及标识，所述标识设于所述器件主体的内部，且在所述器件主体的外部，所述标识至少部分可见。

2.根据权利要求1所述的叠层片式耦合器件，其特征在于，所述器件主体包括：

3.根据权利要求2所述的叠层片式耦合器件，其特征在于，所述标识包括至少一层子部分和/或至少一平面部分；

4.根据权利要求3所述的叠层片式耦合器件，其特征在于，所述平面部分设置于所述第一外介电层朝向所述多个内介电层的侧面。

5.根据权利要求3或4所述的叠层片式耦合器件，其特征在于，所述第一外介电层开设的通孔中设置有一层所述子部分。

6.根据权利要求3或4所述的叠层片式耦合器件，其特征在于，所述标识包括多层所述子部分，沿所述第二方向，多层所述子部分依次首尾连接。

7.根据权利要求1所述的叠层片式耦合器件，其特征在于，所述标识的显色度高于所述多个内介电层的显色度。

8.一种叠层片式耦合器件的制造方法，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述在最外层的两个介电层之间形成标识，包括以下至少一项：

10.根据权利要求8或9所述的方法，其特征在于，所述在最外层的两个介电层之间形成标识，包括以下至少一项：

技术总结
本申请提出了一种叠层片式耦合器件及其制造方法。该叠层片式耦合器件包括器件主体及标识，标识设于器件主体的内部，且在器件主体的外部，标识至少部分可见。本申请将标识内置于器件主体的内部，从而可以避免标识脱落，以及标识被剐蹭等导致的缺损，还可以避免电镀腐蚀造成显色度差等问题。

技术研发人员：施素立,王清华,郭海
受保护的技术使用者：深圳顺络电子股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15