用于TVS熔断保护的熔体及TVS结构的制作方法

本发明涉及电器元件领域，特别是涉及一种用于tvs熔断保护的熔体及tvs结构。

背景技术：

1、瞬态抑制二极管(transientvoltage suppressor，简称“tvs”)，是为解决电子设备瞬态电压和浪涌保护问题而设计的一种高性能电子电路保护装置，主要用于电路的暂态保护。当tvs管的两端受到瞬时高能量的影响，会以非常快的速度吸收一个大电流，以便将其两端之间的电压钳位在预定的值，以防止由于瞬时高电压的影响造成回路元件的损坏。当tvs电性能退化，由于本身无法切断电源，会导致电流泄漏，从而导致线路板过热烧毁碳化，增加了安全隐患。因此，有必要解决此问题。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供一种用于tvs熔断保护的熔体及tvs结构，以解决上述现有tvs由于电性能退化，本身无法切断电源，导致电流泄漏，进而导致线路板过热烧毁碳化的问题。

2、为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

3、本发明提供一种用于tvs熔断保护的熔体，包括带状熔体，所述带状熔体上开设有通孔和/或豁口，以形成供电流流过的狭颈，所述狭颈处经搪锡处理形成有锡膜，当泄漏电流通过所述带状熔体，并到达所述狭颈处时，所述锡膜形成锡桥并与铜产生冶金效应，融化并切断电路。

4、可选的，所述带状熔体上开设有菱形通孔，且所述菱形通孔的第一对角线沿所述带状熔体的长度方向布置，第二对角线沿所述带状熔体的宽度方向布置，且所述菱形通孔的沿所述第二对角线方向的两端，分别靠近所述带状熔体的宽度方向上的两侧边缘，以在所述菱形通孔的沿所述第二对角线方向的两端位置形成所述狭颈。

5、可选的，所述带状熔体的沿其宽度方向的两侧分别开设有一具有尖端的豁口，两个所述豁口的尖端相对并间隔布置，以在两个所述豁口的尖端之间形成所述狭颈。

6、可选的，两个所述豁口为结构完全相同的三角形豁口。

7、可选的，所述带状熔体的沿其宽度方向的两侧分别开设有一列条形豁口，任意一所述条形豁口均平行于所述带状熔体的宽度方向，两列所述条形豁口沿所述带状熔体的长度方向间隔均匀且交错排布，以在所述带状熔体上形成“s”型的狭颈。

8、可选的，任意一所述条形豁口均为矩形豁口，其中一列所述条形豁口中包括两个所述条形豁口，另一列所述条形豁口中包括一个所述条形豁口，以在所述带状熔体上形成“几”型的狭颈。

9、可选的，所述带状熔体呈弯折状，所述狭颈靠近所述带状熔体的弯折处布置。

10、本发明还提出一种tvs结构，包括底板、半导体芯片、引脚和如上任意一项所述的用于tvs熔断保护的熔体，所述半导体芯片设置于所述底板上，所述带状熔体的长度方向两端分别与所述半导体芯片、所述引脚电连接。

11、可选的，所述半导体芯片设置有多层，所有层所述半导体芯片层叠焊接形成半导体芯片层叠体，位于所述半导体芯片层叠体一端的所述半导体芯片与所述底板相连，位于所述半导体芯片层叠体另一端的所述半导体芯片与所述带状熔体相连。

12、可选的，所述带状熔体的长度方向两端分别点焊在所述半导体芯片和所述引脚上；所述半导体芯片采用回流焊焊在所述底板上。

13、本发明相对于现有技术取得了以下技术效果：

14、本发明提出的用于tvs熔断保护的熔体，通过开设通孔和/或豁口的形式，在带状熔体上形成了狭颈，使带状熔体截面面积在狭颈处大幅降低，当泄漏电流通过带状熔体的狭颈处时，可加快锡桥与铜产生冶金效应，在一定时间内就会迅速融化，切断电路，为相关电路及元器件提供可靠的保护。本发明提出的熔体可在特定条件下解决传统tvs断电能力受限的问题，拥有更快切断电路的能力，可为被保护电路提供更精准、更及时的保护。

15、在本发明公开的一些技术方案中，通过开设菱形通孔，可在带状熔体的宽度方向两侧形成对称的狭颈，通过开设一对尖端相对的三角形豁口，可在带状熔体中心位置形成狭颈，通过开设两列矩形豁口，可在带状熔体中心位置形成“几”字形的狭颈，三种熔体样式，对应三种不同的狭颈，可满足tvs不同的泄漏电流，达到熔断保护作用。

16、本发明提出的tvs结构，包含上述的用于tvs熔断保护的熔体，可在特定条件下解决传统tvs断电能力受限的问题，拥有更快切断电路的能力，可为被保护电路提供更精准、更及时的保护。

技术特征：

1.一种用于tvs熔断保护的熔体，其特征在于，包括带状熔体，所述带状熔体上开设有通孔和/或豁口，以形成供电流流过的狭颈，所述狭颈处经搪锡处理形成有锡膜，当泄漏电流通过所述带状熔体，并到达所述狭颈处时，所述锡膜形成锡桥并与铜产生冶金效应，融化并切断电路。

2.根据权利要求1所述的用于tvs熔断保护的熔体，其特征在于，所述带状熔体上开设有菱形通孔，且所述菱形通孔的第一对角线沿所述带状熔体的长度方向布置，第二对角线沿所述带状熔体的宽度方向布置，且所述菱形通孔的沿所述第二对角线方向的两端，分别靠近所述带状熔体的宽度方向上的两侧边缘，以在所述菱形通孔的沿所述第二对角线方向的两端位置形成所述狭颈。

3.根据权利要求1所述的用于tvs熔断保护的熔体，其特征在于，所述带状熔体的沿其宽度方向的两侧分别开设有一具有尖端的豁口，两个所述豁口的尖端相对并间隔布置，以在两个所述豁口的尖端之间形成所述狭颈。

4.根据权利要求3所述的用于tvs熔断保护的熔体，其特征在于，两个所述豁口为结构完全相同的三角形豁口。

5.根据权利要求1所述的用于tvs熔断保护的熔体，其特征在于，所述带状熔体的沿其宽度方向的两侧分别开设有一列条形豁口，任意一所述条形豁口均平行于所述带状熔体的宽度方向，两列所述条形豁口沿所述带状熔体的长度方向间隔均匀且交错排布，以在所述带状熔体上形成“s”型的狭颈。

6.根据权利要求5所述的用于tvs熔断保护的熔体，其特征在于，任意一所述条形豁口均为矩形豁口，其中一列所述条形豁口中包括两个所述条形豁口，另一列所述条形豁口中包括一个所述条形豁口，以在所述带状熔体上形成“几”型的狭颈。

7.根据权利要求1～6任意一项所述的用于tvs熔断保护的熔体，其特征在于，所述带状熔体呈弯折状，所述狭颈靠近所述带状熔体的弯折处布置。

8.一种tvs结构，其特征在于，包括底板、半导体芯片、引脚和如权利要求1～7任意一项所述的用于tvs熔断保护的熔体，所述半导体芯片设置于所述底板上，所述带状熔体的长度方向两端分别与所述半导体芯片、所述引脚电连接。

9.根据权利要求8所述的tvs结构，其特征在于，所述半导体芯片设置有多层，所有层所述半导体芯片层叠焊接形成半导体芯片层叠体，位于所述半导体芯片层叠体一端的所述半导体芯片与所述底板相连，位于所述半导体芯片层叠体另一端的所述半导体芯片与所述带状熔体相连。

10.根据权利要求8或9所述的tvs结构，其特征在于，所述带状熔体的长度方向两端分别点焊在所述半导体芯片和所述引脚上；所述半导体芯片采用回流焊焊在所述底板上。

技术总结
本发明公开一种用于TVS熔断保护的熔体及TVS结构。用于TVS熔断保护的熔体通过开设通孔和/或豁口的形式，在带状熔体上形成了狭颈，使带状熔体截面面积在狭颈处大幅降低，当泄漏电流通过带状熔体的狭颈处时，可加快锡桥与铜产生冶金效应，在一定时间内就会迅速融化，切断电路，为相关电路及元器件提供可靠的保护。本发明提出的熔体可在特定条件下解决传统TVS断电能力受限的问题，拥有更快切断电路的能力，可为被保护电路提供更精准、更及时的保护。TVS结构，包含上述的用于TVS熔断保护的熔体，可在特定条件下解决传统TVS断电能力受限的问题，拥有更快切断电路的能力，可为被保护电路提供更精准、更及时的保护。

技术研发人员：戎峰,龚建,仇利民,吴辉
受保护的技术使用者：苏州晶讯科技股份有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/1/15