半导体封装组件的制作方法

文档序号:37417274发布日期:2024-03-25 19:05阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种半导体封装组件,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒具有第一关键尺寸并且所述第二半导体晶粒具有第二关键尺寸,其中所述第一关键尺寸比所述第二关键尺寸窄。

3.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒包括布置在所述第一半导体晶粒的第二边缘上并连接到所述第一边缘的第四接口,其中所述存储器封装通过所述第四接口电连接到所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒。

4.根据权利要求1所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒和所述存储器封装沿第一方向并排布置,并且其中所述第一半导体晶粒沿着与所述第一方向不同的第二方向堆叠在所述第二半导体晶粒上。

5.根据权利要求4所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第三接口布置为邻近于所述第一接口并且沿所述第一方向位于所述第一接口与所述存储器封装之间。

6.根据权利要求4所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第二半导体晶粒包括:

7.根据权利要求6所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第二半导体晶粒包括嵌入在所述第二半导体晶粒中并且通过所述第一半导体晶粒的第三接口电连接到所述存储器封装的沟槽电容器。

8.一种半导体封装组件,其特征在于,包括:

9.根据权利要求8所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第三接口被布置为沿所述第二方向与所述存储器封装件重叠。

10.根据权利要求8所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一接口布置在所述第一半导体晶粒的第三边缘上并且所述第三边缘与所述第一边缘相对。

11.根据权利要求8所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒包括:

12.根据权利要求11所述的半导体封装组件,其特征在于,所述存储器封装包括排列成组并具有第一分布区域的第一导电结构,所述第三tv互连具有与所述第一分布区域对应且至少部分重叠的第二分布区域。

13.根据权利要求8所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第三tv互连布置在第一列和与所述第一列相邻的第二列中,并且包括:

14.根据权利要求8所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒包括嵌入在所述第三接口内并且电连接到所述存储器封装的沟槽电容器。

15.根据权利要求8所述的半导体封装组件,其特征在于,还包括:

16.根据权利要求15所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒包括第五接口,所述第五接口被布置为邻近于所述第三接口并且比所述第三接口更靠近所述第一边缘。

17.根据权利要求16所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第五接口通过所述第二rdl结构而非所述第一rdl结构电连接到所述第一边缘之外的所述第二导电结构。

18.一种半导体封装组件,其特征在于,包括:

19.根据权利要求18所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒包括第四接口,其中所述第三接口和所述第四接口布置在所述第一半导体晶粒的相邻边缘上,其中所述存储器封装通过的第一半导体晶粒的第四接口电连接到所述第一半导体晶粒。

20.根据权利要求18所述的半导体封装组件,其特征在于,还包括:

21.根据权利要求20所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒设置在所述第一rdl结构和所述第二rdl结构之间并且包括设置在所述第一接口和所述第三接口内的通孔(tv)互连。

22.根据权利要求21所述的半导体封装组件,其特征在于,所述存储器封装包括布置成组并具有第一分布区域的第一导电结构;并且布置在所述第三接口内的tv互连具有第二分布区域,所述第二分布区域对应于所述第一分布区域并且至少部分地重叠。

23.根据权利要求21所述的半导体封装组件,其特征在于,设置在所述第三接口内的所述tv互连布置在第一列和与所述第一列相邻的第二列中,并且包括:

24.根据权利要求21所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒包括与所述第三接口相邻并且在所述第一半导体晶粒的第一边缘上布置的所述第五接口,使得所述第三接口沿着所述第二方向布置在所述第一接口和所述第五接口之间。

25.根据权利要求24所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第五接口电连接至所述第二导电结构,所述第二导电结构接触并通过第二rdl结构而不是第一rdl结构电连接至第二重布层结构,且所述第二导电结构位于第一边缘之外。

26.根据权利要求21所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第一半导体晶粒包括嵌入在所述第三接口内并通过所述第一rdl结构电连接到所述存储器封装的沟槽电容器。

27.根据权利要求18所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第二半导体晶粒设置在所述第一rdl结构和所述第二rdl结构之间并且包括与所述第一半导体晶粒的所述第一接口和所述第三接口重叠的通孔(tv)互连。

28.根据权利要求27所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第二半导体晶粒包括嵌入在所述第二半导体晶粒中的沟槽电容器,其中所述沟槽电容器与所述第三接口重叠并且电连接到所述存储器封装。

29.一种半导体封装组件,其特征在于,包括:

30.根据权利要求29所述的半导体封装组件,其特征在于,所述顶部半导体晶粒包括第三接口,位于所述第一接口旁边并靠近所述存储器封装,其中所述存储器封装通过所述第三接口电连接到所述顶部半导体晶粒。

31.根据权利要求30所述的半导体封装组件,其特征在于,所述底部半导体晶粒包括与所述第三接口重叠并且通过所述第一rdl结构电连接到所述第三接口的第二通孔(tv)互连。

32.根据权利要求29所述的半导体封装组件,其特征在于,所述底部半导体晶粒包括与所述存储器封装重叠的第四接口,其中所述存储器封装通过所述第四接口电连接到所述底部半导体晶粒。

33.根据权利要求32所述的半导体封装组件,其特征在于,所述底部半导体晶粒包括布置为邻近于所述第四接口并且位于所述底部半导体晶粒的第一边缘上的第五接口,使得所述第四接口设置在所述第二接口和所述第五接口之间。

34.根据权利要求32所述的半导体封装组件,其特征在于,所述底部半导体晶粒包括布置在所述第四接口内并且电连接到所述存储器封装的第三通孔(tv)互连。

35.根据权利要求34所述的半导体封装组件,其特征在于,所述第三tv互连布置在第一列和与所述第一列相邻的第二列中,并且包括:

36.根据权利要求29所述的半导体封装组件,其特征在于,所述底部半导体晶粒包括嵌入在所述底部半导体晶粒中并且电连接到所述存储器封装的沟槽电容器。


技术总结
本发明公开一种半导体封装组件,包括:并排布置的第一半导体晶粒和第二半导体晶粒,其中所述第一半导体晶粒包括:第一接口;以及第二接口,布置在所述第一半导体晶粒的靠近所述第二半导体晶粒的第二边缘上,并且所述第二边缘连接到所述第一边缘;以及第三半导体晶粒,堆叠在所述第一半导体晶粒和所述第二半导体晶粒上,其中所述第三半导体晶粒通过所述第一接口电连接到所述第一半导体晶粒,并且其中所述第一半导体晶粒通过所述第二接口电连接到所述第二半导体晶粒。本发明可以以路径更短的方式由第一半导体晶粒电性连接到存储器封装,从而最大限度地减少不同组件之间的走线长度,提高半导体封装组件的通道设计的灵活性。

技术研发人员:郭哲宏,陈筱芸,储文彬,黄俊翔
受保护的技术使用者:联发科技股份有限公司
技术研发日:
技术公布日:2024/3/24
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