用于处理基板的设备的制作方法

本文描述的发明构思的实施例涉及一种基板处理设备，更具体地，涉及一种用等离子体处理基板的基板处理设备。

背景技术：

1、等离子体是指由离子、自由基和电子组成的电离气态。等离子体由非常高的温度、强电场或rf电磁场生成。半导体元件制造工艺可以包括使用等离子体去除形成在诸如晶片的基板上的薄膜或异物的蚀刻工艺。通过等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与基板上的薄膜反应来执行蚀刻工艺。

2、通常，包括自然氧化膜的各种薄膜堆叠在基板上。在使用等离子体处理基板的各种工艺的每一种工艺中，需要合适的选择比。根据形成在基板上的薄膜的蚀刻程度来确定选择比。形成在基板上的薄膜中的一些可以通过由自由基与反应气体反应形成的蚀刻剂来蚀刻。此外，在基板上形成的其它薄膜中的一些可以通过自由基来蚀刻。也就是说，由蚀刻剂蚀刻的目标和由自由基蚀刻的目标是不同的。因此，重要的是调整作用在基板上的蚀刻剂和自由基的比例，以调整适合于基板的选择比。

技术实现思路

1、本发明构思的实施例提供了一种用于高效地处理基板的基板处理设备。

2、本发明构思的实施例提供了一种用于高效地调整选择比的基板处理设备。

3、本发明构思的技术目的不限于上述目的，并且根据以下描述，其他未提及的技术目的对于本领域技术人员而言将变得明显。

4、本发明构思提供了一种基板处理设备。基板处理设备包括：电极板，其被施加电力；离子阻挡器，其位于电极板的底侧，在所述离子阻挡器上形成有多个顶孔，并接地；喷头，其位于离子阻挡器的底侧，并且在所述喷头上形成有多个底孔；以及湍流发生单元，其配置成在内部具有湍流空间，并且所述湍流发生单元位于离子阻挡器和喷头之间的空间，并且其中当从上方观察时，顶孔定位成与湍流空间重叠，并且底孔位于湍流空间的外侧，并且当从下方观察时，底孔面向离子阻挡器的底表面和湍流发生单元的外壁中的至少一者。

5、在实施例中，湍流发生单元配置成形成在喷头的顶端并具有开放的顶部部分，并且湍流发生单元的顶端定位成远离离子阻挡器的底端。

6、在实施例中，湍流发生单元具有直径在朝向喷头方向上减小的形状。

7、在实施例中，湍流发生单元具有圆柱形形状。

8、在实施例中，当从上方观察时，顶孔和底孔定位成彼此不重叠。

9、在实施例中，湍流发生单元包括：第一湍流发生单元，其形成在喷头的顶端，并配置成在所述第一湍流发生单元中具有第一湍流空间，并且所述第一湍流发生单元具有开放的顶部部分；以及第二湍流发生单元，其形成在离子阻挡器的底端，并且配置成在所述第二湍流发生单元中具有第二湍流空间，并且所述第二湍流发生单元具有开放的底部部分，并且其中当从上方观察时，顶孔定位成与第一湍流空间重叠，并且当从上方观察时，底孔定位成与第二湍流空间重叠。

10、本发明构思提供了一种基板处理设备，其具有第一空间、位于第一空间下方的第二空间和位于第二空间下方并处理基板的第三空间。基板处理设备包括：第一气体管线，其向第一空间供应第一气体；第二气体管线，其向第二空间供应第二气体；第一板和第二板，其联接以限定第二空间；以及湍流发生单元，其配置成在内部具有湍流空间，并且所述湍流发生单元位于第二空间中，并且所述湍流发生单元在湍流空间和第二空间中产生湍流，并且其中多个第一孔形成在第一板上，多个第一孔与第一空间、第二空间连通，并且当从上方观察时，第一孔定位成与湍流空间重叠。

11、在实施例中，第一板位于第二板的上方，并且其中湍流发生单元具有开放的顶部部分并形成在第二板的顶端。

12、在实施例中，第二板具有与第二空间和第三空间连通的多个第二孔，并且其中多个第二孔位于湍流空间的外侧。

13、在实施例中，连接到第二气体管线的多个第二气体排放端口形成在第二板的顶部部分，并且第二气体排放端口位于湍流空间的外侧。

14、在实施例中，当从上方观察时，第一孔、第二孔和第二气体排放端口设置成不相互重叠。

15、在实施例中，湍流发生单元的顶端与第一板的底端隔开。

16、在实施例中，湍流发生单元具有直径从顶端到底端减小的形状，并且当从下方观察时，多个第二孔与湍流发生单元的外壁的至少一部分重叠。

17、在实施例中，湍流发生单元具有圆柱形形状，并且当从下方观察时，多个第二孔面向第一板的底表面。

18、在实施例中，基板处理设备还包括：电极板，其与第一板间隔开，并位于第一板的顶侧，并且其中电极板被施加高频电力，并且第一板接地。

19、在实施例中，连接到第一气体管线的多个第一气体排放端口形成在第一板的底部部分，并且当从上方观察时，多个第一气体排放端口定位成不与多个第一孔中的每一个重叠。

20、在实施例中，第一空间通过激发第一气体产生等离子体，以及第二气体通过使包括等离子体和第二气体的材料中的自由基反应形成蚀刻剂。

21、在实施例中，第一气体包括nf3，以及第二气体包括nh3。

22、在实施例中，基板处理设备还包括向第一空间供应预先气体的预先气体管线，其中预先气体与第一空间中的自由基反应。

23、本发明构思提供了一种基板处理设备。基板处理设备包括：电极板，其被施加高频电力；离子阻挡器，其位于电极板的底侧并与电极板隔开，在所述离子阻挡器上形成有多个顶孔并接地；喷头，其位于离子阻挡器的底侧并与离子阻挡器间隔开，并且在所述喷头上形成有多个底孔；以及湍流发生单元，其配置成在内部具有湍流空间，并且所述湍流发生单元位于喷头的顶端；支撑单元，其配置成在喷头的底侧支撑基板；第一气体供应单元，其配置成向电极板和离子阻挡器之间的空间供应第一气体；以及第二气体供应单元，其配置成向离子阻挡器和喷头之间的空间供应第二气体，并且其中湍流发生单元的顶端与喷头的底端间隔开，当从上方观察时，顶孔和底孔定位成彼此不重叠，并且当从上方观察时，顶孔面向湍流空间，以及底孔位于湍流空间的外侧。

24、根据本发明构思的实施例，可以高效地处理基板。

25、根据本发明构思的实施例，可以调节施加到基板的自由基和蚀刻剂中的自由基的量。

26、根据本发明构思的实施例，通过调节自由基的量，可以根据配方有效调节所需的选择比。

27、本发明构思的效果不限于上述效果，并且本领域普通技术人员根据本说明书和附图将清楚地理解未提及的效果。

技术特征：

1.一种基板处理设备，其包括：

2.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述湍流发生单元配置成形成在所述喷头的顶端，并且所述湍流发生单元具有开放的顶部部分，以及

3.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述湍流发生单元具有直径在朝向所述喷头的方向上减小的形状。

4.根据权利要求2所述的基板处理设备，其中所述湍流发生单元具有圆柱形形状。

5.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中当从上方观察时，所述顶孔和所述底孔定位成彼此不重叠。

6.根据权利要求1所述的基板处理设备，其中所述湍流发生单元包括：

7.一种基板处理设备，其具有第一空间、位于所述第一空间下方的第二空间和位于所述第二空间下方并处理基板的第三空间，所述基板处理设备包括：

8.根据权利要求7所述的基板处理设备，其中所述第一板位于所述第二板的上方，以及

9.根据权利要求8所述的基板处理设备，其中所述第二板具有与所述第二空间和所述第三空间连通的多个第二孔，以及

10.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中连接到所述第二气体管线的多个第二气体排放端口形成在所述第二板的顶部部分，以及

11.根据权利要求10所述的基板处理设备，其中当从上方观察时，所述第一孔、所述第二孔和所述第二气体排放端口设置成彼此不重叠。

12.根据权利要求9所述的基板处理设备，其中所述湍流发生单元的顶端与所述第一板的底端隔开。

13.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中所述湍流发生单元具有直径从所述顶端到底端减小的形状，以及

14.根据权利要求12所述的基板处理设备，其中所述湍流发生单元具有圆柱形形状，并且当从下方观察时，所述多个第二孔面向所述第一板的底表面。

15.根据权利要求7所述的基板处理设备，其还包括：

16.根据权利要求15所述的基板处理设备，其中连接到所述第一气体管线的多个第一气体排放端口形成在所述第一板的底部部分，以及

17.根据权利要求16所述的基板处理设备，其中所述第一空间通过激发所述第一气体产生等离子体，以及

18.根据权利要求17所述的基板处理设备，其中所述第一气体包括nf3，以及所述第二气体包括nh3。

19.根据权利要求18所述的基板处理设备，其还包括向所述第一空间供应预先气体的预先气体管线，以及

20.一种基板处理设备，其包括：

技术总结
本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：电极板，其被施加电力；离子阻挡器，其位于所述电极板的底侧，在所述离子阻挡器上形成有多个顶孔，并且所述离子阻挡器接地；喷头，其位于所述离子阻挡器的底侧，并且在所述喷头上形成有多个底孔；以及湍流发生单元，其配置成在内部具有湍流空间，并且所述湍流发生单元位于所述离子阻挡器和所述喷头之间的空间，并且其中当从上方观察时，所述顶孔定位成与所述湍流空间重叠，并且所述底孔位于所述湍流空间的外侧，并且当从下方观察时，所述底孔面对所述离子阻挡器的底表面和所述湍流发生单元的外壁中的至少一者。

技术研发人员：金东勋,朴玩哉,吴东燮,卢明燮,朴志焄
受保护的技术使用者：细美事有限公司
技术研发日：
技术公布日：2024/3/24