1.一种气密型功率合成装置的实现方法，其特征在于，包括如下步骤：
2.根据权利要求1所述的气密型功率合成装置的实现方法，其特征在于，步骤s101前，包括所述功放腔体一面加工出射频芯片装配凹槽，功放腔体一面加工出直流绝缘子装配腔，将直流绝缘子使用焊锡烧结在直流绝缘子装配腔处，将所述功放腔体加工出内盖板的装配凸台，将所述功放腔体加工出封焊盖板的装配凸台，将所述功放腔体加工出与波导合成腔体配合的销钉孔、螺钉孔。
3.根据权利要求1所述的气密型功率合成装置的实现方法，其特征在于，步骤s102中，第一钨铜载板、第二钨铜载板使用焊料焊接在功放腔体的射频芯片装配凹槽上。
4.根据权利要求1所述的气密型功率合成装置的实现方法，其特征在于，步骤s101中，第一射频绝缘子通过金丝键合与第四基片相接。
5.根据权利要求1所述的气密型功率合成装置的实现方法，其特征在于，步骤s201前，还包括将波导合成下腔体底板上加工出功率容纳腔、沉头螺钉孔、盘头螺钉孔、销钉孔。
6.一种气密功率合成装置，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的气密功率合成装置，其特征在于，功放腔体，由铝制成；内盖板，由铝制成；外盖板，由铝制成；波导合成腔体，由铝制成。
8.根据权利要求6所述的气密功率合成装置，其特征在于，第一射频绝缘子使用焊锡烧结在功放腔体右侧侧壁上，第二射频绝缘子使用焊锡烧结在功放腔体底面。