1.一种半导体器件，其特征在于，包括沿垂直衬底的第一方向依次层叠的衬底、第一外延层及第二外延层；
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括沿所述第一方向背离所述第二外延层的方向依次层叠的第三外延层、隔离层及发射极；
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述第三半导体柱的目标尺寸还大于所述第一半导体柱的目标尺寸；
4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述沟槽栅极包括：
5.根据权利要求3或4所述的半导体器件，其特征在于，所述导电插塞与所述掺杂区一对一设置；
6.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体柱在所述衬底的顶面的正投影，位于所述第三半导体柱在所述衬底的顶面的正投影以内。
7.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体柱的平行于所述第二方向的纵截面呈圆角矩形。
8.根据权利要求1-4任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述第一半导体柱的顶面与所述第三半导体柱的底面电连接。
9.一种半导体器件制备方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，在形成所述第二外延层之后，还包括：