1.一种氮化镓异质结功率二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的氮化镓异质结功率二极管的制备方法，其特征在于：所述衬底为n型gan单晶衬底，所述n型gan单晶衬底的厚度为50微米～500微米，载流子浓度为1×1018cm-3～3×1018cm-3；通过金属有机化学气相沉积工艺或氢化物气相外延工艺或分子束外延法工艺在所述n型gan单晶衬底上生长gan漂移层，所述gan漂移层的厚度范围为20微米～30微米，载流子浓度为1×1015cm-3～1×1016cm-3。
3.根据权利要求1所述的氮化镓异质结功率二极管的制备方法，其特征在于：沉积绝缘介质层及形成器件窗口包括步骤：
4.根据权利要求1所述的氮化镓异质结功率二极管的制备方法，其特征在于：在所述器件窗口中形成p型nio层包括：
5.根据权利要求4所述的氮化镓异质结功率二极管的制备方法，其特征在于：通过射频磁控溅射工艺形成所述第一p型nio层和第二p型nio层，其中，溅射温度为常温，射频功率为100w～150w，溅射靶材为nio陶瓷。
6.根据权利要求4所述的氮化镓异质结功率二极管的制备方法，其特征在于：所述第一p型nio层的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1017cm-3，厚度为150纳米～250纳米，所述第二p型nio层的载流子浓度为1×1019cm-3～6×1019cm-3，厚度为50纳米～80纳米。
7.一种氮化镓异质结功率二极管，其特征在于，包括：
8.根据权利要求7所述的氮化镓异质结功率二极管，其特征在于：所述衬底为n型gan单晶衬底，所述n型gan单晶衬底的厚度为50微米～500微米，载流子浓度为1×1018cm-3～3×1018cm-3；所述gan漂移层的厚度范围为20微米～30微米，载流子浓度为1×1015cm-3～1×1016cm-3。
9.根据权利要求7所述的氮化镓异质结功率二极管，其特征在于：所述绝缘介质层的厚度为300纳米～400纳米，所述绝缘介质层包括氮化硅层或二氧化硅层。
10.根据权利要求7所述的氮化镓异质结功率二极管，其特征在于：所述p型nio层包括：
11.根据权利要求10所述的氮化镓异质结功率二极管，其特征在于：所述第一p型nio层的载流子浓度为1×1017cm-3～5×1017cm-3，厚度为150纳米～250纳米，所述第二p型nio层的载流子浓度为1×1019cm-3～6×1019cm-3，厚度为50纳米～80纳米。