本发明属于纳米晶软磁材料，具体涉及一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法。
背景技术：
1、1988年，日立金属科研人员发明了铁基纳米晶合金，牌号为finemet，国内牌号为1k107。由于其具有优良的软磁性能，如高饱和磁感应强度、低矫顽力、高磁导率、低损耗等特点，已广泛的应用于变压器、电感器、传感器等电力电子领域。
2、然而在某些特殊场合需要低的磁导率(如有直流叠加等)，否则高磁导率会导致磁芯快速饱和而失效。现在10k107纳米晶带材热处理后(现在的热处理方法是最高温保温后，降温至某一温度开始施加磁场)，10khz磁导率在8万以上，迫切需要10khz和100khz磁导率为2万左右的磁芯。目前获得低磁导率的方法是在材料配方中加入ni，从而使磁导率降到2万左右，但成本太高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本发明的目的在于提供一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法。本发明提供的方法无需添加ni，成本低廉，仅通过热处理能够使纳米晶磁芯在10khz和100khz磁导率降到1～3万。
2、为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
3、本发明提供了一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法，包括以下步骤：
4、将纳米晶磁芯进行热处理，得到低磁导率纳米晶磁芯；所述热处理包括：第一升温至340～360℃，保温40～60min；第二升温至420～440℃开始施加磁场，保温40～60min；第三升温至510～530℃，保温20～40min；第四升温至550～570℃，保温80～250min，然后降温至300～320℃停止施加磁场。
5、优选的，所述磁场的强度为800～1200gs。
6、优选的，所述磁场由通电螺线圈提供。
7、优选的，所述热处理的氛围包括氮气氛围。
8、优选的，所述第一升温的速率为3～4℃/min，所述第二升温的速率为2～3℃/min。
9、优选的，所述第三升温的速率为1～2℃/min，所述第四升温的速率为1～2℃/min。
10、优选的，所述降温的速率为2～4℃/min。
11、优选的，所述纳米晶磁芯由纳米晶带材卷绕而成，所述纳米晶磁芯的尺寸包括30×20×15cm、20×12×10cm或25×16×10cm。
12、优选的，所述纳米晶带材的厚度为18～20μm。
13、优选的，所述纳米晶磁芯的组成包括fe73.5cu1nb3si15.5b7。
14、本发明提供了一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法，包括以下步骤：将纳米晶磁芯进行热处理，得到低磁导率纳米晶磁芯；所述热处理包括：第一升温至340～360℃，保温40～60min；第二升温至420～440℃开始施加磁场，保温40～60min；第三升温至510～530℃，保温20～40min；第四升温至550～570℃，保温80～250min，然后降温至300～320℃停止施加磁场。本发明提供的方法无需添加ni，成本低廉，能够使纳米晶磁芯在10khz和100khz磁导率降到1～3万。
15、实施例结果表明，本发明提供的方法能够使厚度为18～20μm的纳米晶带材绕制的纳米晶磁芯在10khz和100khz的磁导率降到1～3万。
1.一种获得低磁导率纳米晶磁芯的方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述磁场的强度为800～1200gs。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述磁场由通电螺线圈提供。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热处理的氛围包括氮气氛围。
5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述第一升温的速率为3～4℃/min，所述第二升温的速率为2～3℃/min。
6.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述第三升温的速率为1～2℃/min，所述第四升温的速率为1～2℃/min。
7.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，所述降温的速率为2～4℃/min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述纳米晶磁芯由纳米晶带材卷绕而成，所述纳米晶磁芯的尺寸包括30×20×15cm、20×12×10cm或25×16×10cm。
9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述纳米晶带材的厚度为18～20μm。
10.根据权利要求1、8或9所述的方法，其特征在于，所述纳米晶磁芯的组成包括fe73.5cu1nb3si15.5b7。