1.一种用于二次电池的硅基负极材料，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述硅基负极材料的粉体孔隙率为50％～70％；所述硅基负极材料的粉体孔隙率为在振实条件下，所述硅基负极材料颗粒之间的空隙与所述硅基负极材料颗粒内部的孔隙之和占所述硅基负极材料振实体积的百分比。
3.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述硅基负极材料的振实密度为0.7～1.1g/cm3。
4.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述内核颗粒的粉体孔隙率为55％～75％；所述内核颗粒的粉体孔隙率为在振实条件下，所述内核颗粒之间的空隙与所述内核颗粒内部的孔隙之和占所述内核颗粒振实体积的百分比。
5.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述内核颗粒的振实密度为0.6～1.0g/cm3。
6.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述开孔的平均孔径为5～100纳米；所述开孔包括通孔，所述通孔贯穿所述内核颗粒。
7.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述锂元素占所述硅基负极材料重量的4％～10％。
8.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述硅基负极材料的中值粒径为7～14微米，粒度跨度值≤1.3。
9.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述内核颗粒的中值粒径为6～12微米，粒径跨度值≤1.2。
10.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述单质硅纳米颗粒的晶粒尺寸为2～10纳米。
11.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述第一碳膜层的厚度为0.005～2微米；所述第一碳膜层与所述内核颗粒的重量比为2％～6％。
12.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述富硅含氧层占所述硅基负极材料重量的0.5％～10％。
13.根据权利要求1所述的硅基负极材料，其特征在于，所述第二碳膜层的厚度为0.002～2微米；所述第二碳膜层占所述硅基负极材料重量的1％～5％。
14.一种制备权利要求1～13中任一所述的硅基负极材料的方法，其特征在于，包括：
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，所述第一表面氧化的温度为200℃～500℃，时间为10～360min。
16.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在所述锂掺杂颗粒表面包覆富硅含氧层，获得第二包覆颗粒包括：
17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述惰性气体选自氮气、氦气、氩气中的一种或多种，所述含硅前驱体选自甲硅烷、乙硅烷、丙硅烷、二甲基硅烷中的一种或多种，所述含氧前驱体选自氧气、臭氧、二氧化碳中的一种或多种。
18.一种电极，其特征在于，包括权利要求1～13中任一所述的硅基负极材料。
19.一种二次电池，其特征在于，包括权利要求18所述的电极。