1.一种微型发光二极管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述微透镜结构材料为光密介质胶材。
3.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述微透镜结构材料为二氧化硅或氮化硅材料。
4.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述微透镜结构外表面的粗糙度为100nm-1000nm。
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述微透镜结构的剖面形状为半圆形、弧形、三角形、圆柱、梯形、蜂窝状中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的微型发光二极管，其特征在于：所述粗糙颗粒设置在所述微透镜结构的外表面区域b中，所述微透镜结构的外表面区域a未设置所述粗糙颗粒；所述区域a由所述微透镜结构的外表面中心向四周延伸至所述区域b；
7.根据权利要求6所述的微型发光二极管，其特征在于：所述发光层相对两侧壁之间的宽度d2，所述0≤r≤d2。
8.根据权利要求6所述的微型发光二极管，其特征在于：所述第一半导体层相对两侧壁之间的宽度d3，所述0≤r≤d3。
9.根据权利要求6所述的微型发光二极管，其特征在于：还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层依次从所述第一半导体层的上表面、第一半导体层的侧壁、发光层的侧壁延伸至所述第二半导体层的侧壁；
10.根据权利要求9所述的微型发光二极管，其特征在于：所述第一共电极和所述第一半导体层之间，设置有第一欧姆接触层，所述第一欧姆接触层由透明导电材料形成。
11.根据权利要求9所述的微型发光二极管，其特征在于：所述第二半导体层远离所述发光层的一侧与所述第二共电极之间，还设置有第二欧姆接触层。
12.根据权利要求11所述的微型发光二极管，其特征在于：还包括反射层，所述反射层设置在所述第二欧姆接触层远离所述发光层的一侧。
13.根据权利要求12所述的微型发光二极管，其特征在于：所述反射层由包含ag、ni、al、rh、pd、ir、ru、mg、zn、pt、au以及hf中的至少一种金属或者合金形成。
14.一种发光装置，其特征在于：包括驱动基板以及像素单元，所述像素单元为微型发光二极管，多个所述微型发光二极管成阵列分布于安装基板上；其中，微型发光二极管包括：
15.根据权利要求13所述的发光装置，其特征在于：还包括绝缘保护层，所述绝缘保护层依次从所述第一半导体层的上表面、第一半导体层的侧壁、发光层的侧壁延伸至所述第二半导体层的侧壁；
16.根据权利要求15所述的发光装置，其特征在于：多个所述微型发光二极管通过第二共电极上设置键合导电层与所述安装基板电性连接。
17.根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于：