影像传感器的制作方法

本技术实施例是有关于一种影像传感器。

背景技术：

1、半导体影像传感器用于对辐射(例如光)进行感测，且将感测到的辐射转换成电性讯号。该些装置利用例如光二极管等像素的数组对朝向像素投射的辐射进行感测。互补金属氧化物半导体(complementary metal-oxide-semiconductor，cmos)影像传感器用于各种应用(例如数字静态相机及移动电话相机)中。

技术实现思路

1、本实用新型实施例提供一种影像传感器，包括：第一芯片，包括：多个影像感测组件；转移晶体管及扩散阱，对应于所述多个影像感测组件；接地节点，由所述多个影像感测组件共享；以及深沟渠隔离(dti)结构，自被共享的所述接地节点延伸且位于所述多个影像感测组件中相邻的影像感测组件之间；第二芯片，结合至所述第一芯片且包括源极随耦器、重设晶体管、列选择晶体管及像素内电路，其中所述源极随耦器电性耦合至所述扩散阱；以及第三芯片，结合至所述第二芯片且包括专用电路，其中所述专用电路电性耦合至所述像素内电路。

2、本实用新型实施例提供一种影像传感器，包括：第一芯片，包括：第一影像感测组件及第二影像感测组件；第一转移晶体管及第二转移晶体管；扩散阱，由所述第一影像感测组件与所述第二影像感测组件共享；以及深沟渠隔离(dti)结构，自所述扩散阱延伸且位于所述第一影像感测组件与所述第二影像感测组件之间；第二芯片，结合至所述第一芯片且包括源极随耦器、重设晶体管、列选择晶体管及像素内电路，其中所述源极随耦器电性耦合至所述扩散阱；以及第三芯片，结合至所述第二芯片且包括专用电路，其中所述专用电路电性耦合至所述像素内电路。

技术特征：

1.一种影像传感器，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述多个影像感测组件中的每一影像感测组件包括光二极管，其中所述光二极管包括第一掺杂区及与所述第一掺杂区相邻的第二掺杂区，且其中所述第一掺杂区与所述第二掺杂区包含相反的掺杂剂。

3.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述源极随耦器、所述重设晶体管、所述列选择晶体管及所述像素内电路自所述转移晶体管在垂直方向上移位。

4.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述专用电路自所述源极随耦器、所述重设晶体管、所述列选择晶体管及所述像素内电路在垂直方向上移位。

5.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述深沟渠隔离结构在所述第一芯片上形成多个区段，且其中所述多个区段中的每一区段包括一个影像感测组件、一个转移晶体管及一个扩散阱。

6.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述第一芯片、所述第二芯片及所述第三芯片更包括内联线结构，所述内联线结构包括金属通孔、金属线、硅穿孔(tsv)及其组合。

7.根据权利要求1所述的影像传感器，其特征在于，所述重设晶体管电性耦合至所述扩散阱且所述列选择晶体管电性耦合至所述像素内电路。

8.一种影像传感器，其特征在于，包括：

9.根据权利要求8所述的影像传感器，其特征在于，所述第一芯片更包括与所述第一影像感测组件对应的第一接地节点及与所述第二影像感测组件对应的第二接地节点。

10.根据权利要求8所述的影像传感器，其特征在于，所述第一芯片更包括第三影像感测组件及第四影像感测组件，其中所述第一影像感测组件、所述第二影像感测组件、所述第三影像感测组件及所述第四影像感测组件共享所述扩散阱，且其中所述第一芯片更包括：

技术总结
本发明提供一种三芯片互补金属氧化物半导体影像传感器及用于形成影像传感器的方法。影像传感器包括第一芯片，第一芯片包括多个影像感测组件；转移晶体管及扩散阱对应于多个影像感测组件；接地节点由多个影像感测组件共享；以及深沟渠隔离结构自被共享的接地节点延伸且位于多个影像感测组件中相邻的影像感测组件之间。影像传感器更包括结合至第一芯片且包括源极随耦器、重设晶体管、列选择晶体管及像素内电路的第二芯片，源极随耦器电性耦合至扩散阱。影像传感器更包括结合至第二芯片且包括专用电路的第三芯片，专用电路电性耦合至像素内电路。

技术研发人员：庄君豪,周耕宇,黄正宇,吴纹浩,江伟杰,张志光,许慈轩
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：20230512
技术公布日：2024/1/15