一种电感器外壳及电感器的制作方法

本技术涉及电子元器件，具体涉及一种电感器外壳及电感器。

背景技术：

1、现有技术中的电感器一般包括外壳、磁芯和绕制在磁芯外周的线圈，线圈的线脚需要经过弯折才能从外壳中引出，为了加工方便，部分电感器只在外壳的表面开孔将线圈的线脚直接弯折后引出，这将会使线圈的线脚发生较为严重的弯折，从而导致电感器阻抗增大，影响电感器的性能，也容易导致线脚折断，导致电感器报废。

技术实现思路

1、为了克服现有技术的不足，本实用新型的目的在于提供一种电感器外壳，在制造电感器时，能够避免线圈的线脚发生较为严重的弯折导致的电感器阻抗增大，提高电感器的性能。

2、为解决上述问题，本实用新型所采用的技术方案如下：一种电感器外壳，包括相互连接的上盖和底座，底座开设有用于容纳磁芯的容纳槽，底座的底部还开设有与容纳槽连通的线脚出口，底座的底部还设有导向块和线脚固定部，导向块位于线脚出口内，且导向块具有导向弧面，线圈的线脚能够从线脚出口穿出，并依次贴合于导向弧面与底座的底面，最终绕设于线脚固定部。

3、相比现有技术，本实用新型的有益效果在于：将线圈的线脚从底座内引出并绕设于线脚固定部时，线圈的线脚从线脚出口内穿出之后，依次贴合于导向弧面与底座的底面，导向块的导向弧面加大了线脚的转折角度，可以避免线脚弯折严重造成的电感器阻抗的增大，从而提高电感器的性能，此外，加大线脚的转折角度也能避免电感器在生产或使用的过程中发生线脚折断的现象，能够降低生产时的废品率，并能提高电感器的使用寿命。

4、上述的电感器外壳，所述底座的底部具有平面区域，所述线脚能够贴合于所述平面区域。

5、上述的电感器外壳，所述平面区域开设有凹槽，所述线脚卡接于所述凹槽，并向下凸出于所述平面区域的下表面。

6、上述的电感器外壳，所述底座的侧部设有斜槽，所述斜槽与所述凹槽连通且所述斜槽由下至上向外倾斜；所述线脚从所述线脚出口穿出并贴合于所述导向弧面之后，再依次卡接于所述凹槽与所述斜槽，最终绕设于所述线脚固定部。

7、上述的电感器外壳，所述上盖与所述底座的两端面均设有散热结构。

8、上述的电感器外壳，所述上盖和底座的材质相同，均为热固性树脂。

9、上述的电感器外壳，所述上盖的顶端呈平面。

10、本实用新型还提供了一种电感器，包括磁芯、线圈和如上述的电感器外壳，所述线圈绕设于所述磁芯的外周，由于该电感器采用了上述的电感器外壳，其至少具有上述的电感器外壳所能够带来的全部的有益效果。

11、下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细说明。

技术特征：

1.一种电感器外壳，其特征在于，包括相互连接的上盖(100)和底座(200)，所述底座(200)开设有用于容纳磁芯的容纳槽，所述底座(200)的底部还开设有与所述容纳槽连通的线脚出口(220)，所述底座(200)的底部还设有导向块(210)和线脚固定部(230)，所述导向块(210)位于所述线脚出口(220)内，且所述导向块(210)具有导向弧面(211)；

2.根据权利要求1所述的电感器外壳，其特征在于，所述底座(200)的底部具有平面区域(240)，所述线脚(300)能够贴合于所述平面区域(240)。

3.根据权利要求2所述的电感器外壳，其特征在于，所述平面区域(240)开设有凹槽(250)，所述线脚(300)能够卡接于所述凹槽(250)并向下凸出于所述平面区域(240)的下表面。

4.根据权利要求3所述的电感器外壳，其特征在于，所述底座(200)的侧部设有斜槽(260)，所述斜槽(260)与所述凹槽(250)连通且所述斜槽(260)由下至上向外倾斜；

5.根据权利要求1所述的电感器外壳，其特征在于，所述上盖(100)与所述底座(200)的两端面均设有散热结构(400)。

6.根据权利要求1所述的电感器外壳，其特征在于，所述上盖(100)和底座(200)均由热固性树脂制成。

7.根据权利要求1所述的电感器外壳，其特征在于，所述上盖(100)的顶端呈平面。

8.一种电感器，其特征在于，包括磁芯、线圈和如权利要求1-7中任一项所述的电感器外壳，所述线圈绕设于所述磁芯的外周。

技术总结
本技术公开了一种电感器外壳及电感器，电感器外壳包括相互连接的上盖和底座，底座开设用于容纳磁芯的容纳槽，底座的底部还开设有与容纳槽连通的线脚出口，底座的底部还设有导向块和线脚固定部，导向块位于线脚出口内，且导向块具有导向弧面，线圈绕设于磁芯外周，线圈与磁芯一起放置到容纳槽内之后，线圈的线脚从线脚出口穿出，并依次贴合于导向弧面与底座的底面，最终绕设于线脚固定部，导向块的导向弧面加大了线脚的转折角度，可以避免线脚发生较为严重的弯折造成的电感器阻抗的增大，提高电感器的性能，并且加大线脚的转折角度也可以避免电感器在生产或使用的过程中发生线脚折断的现象，能够降低生产时的废品率，提高电感器的使用寿命。

技术研发人员：吴靖中,吴俊益
受保护的技术使用者：珠海市刚松电子工业有限公司
技术研发日：20230713
技术公布日：2024/1/15