1.一种集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件，其特征在于：包括半导体漏区、半导体漂移区和三沟槽结构；
2.根据权利要求1所述的集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件，其特征在于：源端金属电极呈倒l型，分别与半导体源区、p型屏蔽区和p型重掺杂块相接触。
3.根据权利要求1所述的集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件，其特征在于：高k栅介质的介电常数大于20c2/(n·m2)，选用材料为二氧化铪、氧化镧、二氧化钛或锆钛酸铅。
4.根据权利要求1所述的集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件，其特征在于：高k介质深槽区在半导体漂移区的开设深度大于半导体漂移区厚度的二分之一，但小于半导体漂移区厚度。
5.根据权利要求1所述的集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件，其特征在于：栅极沟槽区的开设深度和源极沟槽区中p型屏蔽区的l型槽深相同。
6.根据权利要求1所述的集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件，其特征在于：半导体源区、p型阱区和电流扩散层的总深度浅于栅极沟槽区和源极沟槽区。
7.根据权利要求1所述的集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件，其特征在于：半导体漏区、半导体漂移区、电流扩散层、p型阱区、半导体源区、p型屏蔽区和p型重掺杂块的材质均为碳化硅，碳化硅材料为3c-sic、4h-sic或6h-sic。
8.一种集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：
9.根据权利要求8所述的集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件的制备方法，其特征在于：步骤1中，半导体漂移区的掺杂浓度不低于5×1015cm-3；步骤2中，电流扩散层的掺杂浓度不低于5×1016cm-3；步骤6中，p型重掺杂块的掺杂浓度需高于p型屏蔽区。
10.根据权利要求8所述的集成高k介质三沟槽型碳化硅纵向功率器件的制备方法，其特征在于：步骤9中沉积的源端金属电极呈倒l型，分别与半导体源区、p型屏蔽区和p型重掺杂块相接触。