专利名称:湿法腐蚀装置的制作方法
本实用新型涉及一种湿法化学腐蚀装置。用于腐蚀介质薄膜，特别适用于半导体器件生产工艺中Si3N4介质膜的湿法腐蚀。
现有的半导体器件工艺中的湿法腐蚀装置，一般都是一个带盖的容器。腐蚀时容器中的腐蚀液被加热后很容易从盖的缝隙中挥发掉，使腐蚀液的组分发生变化，腐蚀速率减慢，影响产品质量。为了解决这一问题，也在在盖子上做一个夹层，通冷却水，使蒸发出来的腐蚀液凝聚滴回原溶液中，但这种做法冷凝效果差，伋有很多腐蚀液蒸汽跑掉。
本实用新型的目的是要解决以最佳的冷凝效果来解决腐蚀液因受热而引起的组分变化。
本实用新型是这样实现的，它由带有温度测量的腐蚀容器和内侧布满迥形冷却管的容器盖构成。冷却管的两端与外面的冷却水相通。
冷却管进、出口和盖子的交接处应没有缝隙，盖子和容器的接合面〔a〕应严密吻合。为了便于冷却管与盖子烧结或粘结在一起，冷却管应采用和盖子相同的材料。当进行腐蚀时，接通冷却水，并使其保持一定的流速，使腐蚀时因受热产生的腐蚀液蒸汽遇冷即凝结下来，滴回原腐蚀液中，这样就能很好地保持腐蚀液组分，使腐蚀速率不发生改变，保证了腐蚀质量。另一方面，也不再因腐蚀液组分改变而频繁更换腐蚀液，节约了成本。
这种腐蚀装置，结构简单，制造容易，可耐200℃的高温。用石英材料作的这种装置，腐蚀Si3N4薄膜，效果很好。使用这种装置，腐蚀3吋硅片的Si3N4膜125片后换腐蚀液，而原来同样大小容器、同样量的腐蚀液只能腐蚀25片。
本腐蚀装置的具体结构由以下非限定实施例及其附图给出。
图1是本实用新型的结构示意图和A-A剖面图。
图中〔1〕是容器盖，内侧烧结着冷却管〔3〕，烧结部位见〔b〕，冷却管布满于盖子，管子的进水、出水口烧结在盖子的两相对侧壁，也可以邻侧，冷却管内径为0.8cm或1cm，壁厚0.1cm或0.15cm。〔2〕是腐蚀容器，在容器的一侧开一孔装插温度计的套管，套管位置稍微倾斜，距容器底约2cm，容器上口平面四周边缘及与盖子台阶接触的四周边缘〔a〕处应磨平。以上装置全部由石英材料构成。
权利要求
1.一种由腐蚀容器〔2〕、容器盖〔1〕构成的湿法腐蚀装置。本实用新型的特征在于容器盖子内侧有冷却管〔3〕，粘结或烧结在容器盖子上，冷却管的两头通过盖子的两个相对或相邻的侧壁和外面的冷却水相通。容器内装有可供测温的装置〔4〕，冷却管进、出口和盖子的交接处应没有缝隙，盖子和容器的接合面〔a〕应严密吻合。
2.按照权利要求
1所述的腐蚀装置。其特征在于冷却管〔3〕做成迥形弯曲的形式，并布满于盖子的内侧。
3.按照权利要求
1或2所述的腐蚀装置。其特征在于腐蚀容器〔2〕的上口四周边缘与盖子接合面处彩用磨口密封的形式。
4.按照权利要求
1、2或3所述的腐蚀装置。其特征在于该装置用石英玻璃制成。
专利摘要
一种湿法化学腐蚀装置，用以腐蚀介质薄膜，特别适用于半导体器件生产工艺中Si在腐蚀容器[2]上的盖子[1]内侧布满回形冷却管[3]，当腐蚀液加热时，管子接通冷却水，这样因受热产生的腐蚀液蒸汽在管子上遇冷而凝聚下来，滴回腐蚀液中，从而能很好地保持腐蚀液的组分，不改变腐蚀速率，保证腐蚀质量。
文档编号H01L21/465GK85203849SQ85203849
公开日1986年5月21日 申请日期1985年9月17日
发明者刘振芳, 蔡福兴 申请人:航天工业部七七一研究所导出引文BiBTeX, EndNote, RefMan