专利名称：电力晶体三极管的制作方法
技术领域：
本发明涉及电学中的半导体器件。
当前，电力晶体三极管管壳，大都选择铜、铁(铁箝铜)金属制作，封装采用大电流点焊，不但耗铜耗电多，脉冲焊弧也容易将管内引线、芯片烧毁，对封装模具及管座管帽的平整度也有很大的影响，产品成品率受到极大的限制。
本发明的目的，是采用合金的管座管帽，制造一种采用铆压封装结构的电力晶体三极管。
图1是本发明的整体结构图;
图2是剖面图;
图3是管座图;
图4是管帽图。
园菱形管座1中间园体与园形管帽2的铆合部分，有一个带双重沟道的园槽，双重沟道的外园槽3，是内侧带斜边的空槽，双重沟道的内园槽4，是底部带尖形的凹型空槽。园菱形管座1中间园体，可以根据需要，烧结1个或多个芯片5。芯片的增加，可以提高电力晶体三极管的功率、放大倍数、耐压、频率等特性。芯片5与管座1之间，可以烧结或箝焊上一个或多个上下附有导电层的绝缘体6，绝缘体6可以是微晶玻璃、陶瓷、石英、氧化铍一种或多种园形或多边形的结合体，这种结构能使芯片的结温耗散能力增加，从而使电力晶体三极管的抗热疲劳程度得到提高，同时，由于芯片不直接与管座烧结在一起，电力晶体三极管可以根据电路的共发、共集、共基三种工作状态需要，任意选择一电极做管壳接地，使电力晶体三极管的功率增益、频率特性及安全可靠性提高。
管脚7的直径与芯片引线8的截面积，由电力晶体三极管各极的电流大小来决定，如基极的电流比发射极的电流小，则基极的管脚直径及芯片引线的截面积就比发射极的小，管座1上的绝缘体6、芯片5、连线8、管脚7的管壳内部分，整体涂敷上硅油或AB胶，形成一个绝缘保护筑台9，增加了三极管的抗震防潮能力。园菱形管座1的左右两侧各有一个用于固定的螺孔10。
园形管帽2的底部，有一圈尖状锥体11，采用铆压封装，把尖状锥体11压入管座内园槽4里面，这时，管座外园槽3的内侧斜边随着向里倾斜，并被铆压在管帽2的外沿上面。在铆压封装之前，双重沟道园槽3和4与管帽2的底部相接触部分，涂敷一层银浆导电胶或金属粘合胶12，以提高晶体管的气密度;在铆压封装之后，管座以上的部分，再喷镀一层铝、镍、锑、金、铜等金属的附着物13，也增加了晶体管的气密度，经过多种方法处理，气密度可达10-7。
由于采用铆压封装的结构，免去购置昂贵的封装设备，100KVA以上的大电流焊弧引起烧毁电极、引线、芯片及对管座、管帽、模具平整度的影响等弊病得以克服，不但省电，而且气密度好，成品率高。这种后工序成品率的提高，使三极管生产的成品率大大提高。铆压封装也使传统三极管的管座管帽用有利于焊接的铜、铁、铁箝铜，改用为铝、铁、镍、银合金，既节省昂贵的铜、铁金属，也减轻了重量。
本发明的管座烧结1个或多个芯片、绝缘体，芯片引线、管脚可根据需要加粗，整个管芯涂敷绝缘保护筑台，使得晶体管可以达到300瓦特、耐压1500伏特、电流400安培以上，管帽也可从传统的6.5mm降低为4.5mm。
采用管座可变极结构，配合电极标志，可以很方便地适应不同用户的需要。
晶体管除涂敷胶合剂铆压之外，也可采用油压和摩擦焊压。
权利要求
1.一种电力晶体三极管，由管座、管帽、管脚组成，其特征在于a.园菱形管座的中间园体与园形管帽铆合部分，有一个带双重沟道的园槽，外园槽内侧是带斜边的空槽，内园槽是底部带尖形的凹型空槽；b.园形管帽的底部，有一圈尖状锥体，锥体压入管座内园槽时，外园槽的内斜边向里倾斜并被铆压在管帽外沿上面；c.园菱形管座的中间园体，烧结1个或多个芯片，芯片与管座之间，有上下附有导电层的绝缘体，管座的芯片、连线、绝缘体、管脚壳内部分、涂敷绝缘的硅油或AB胶，形成一个绝缘保护筑台。
2.根据权利要求1所述的电力晶体三极管，其特征在于管座、管帽是采用铝、铁、镍、银、铜纯一金属或其合金。
3.根据权利要求1所述的电力晶体三极管，其特征在于管座是可变极结构，附以标志的电极及连线根据电流大小决定截面。
4.根据权利要求1所述的电力晶体三极管，其特征在于封装前双重沟道与管帽底部相接触部分，涂敷一层银浆导电胶或金属粘合胶，封装后在管座以上喷镀一层铝、镍、锑、金铜附着物。
5.根据权利要求1所述的电力晶体三极管，其特征在于上下附有导电层的绝缘体，可以是微晶玻璃、陶瓷、石英、氧化铍一种或多种园形或多边形结合体。
6.根据权利要求1所述的电力晶体三极管，其特征在于管座与管帽封装也可以是油压和摩擦焊压。
全文摘要
本发明涉及电子器件中的电力晶体三极管，其管座有一个带双重沟道的圆槽，管帽底部有一圈尖状锥体，锥体压入管座圆槽时，外圆槽内斜边向里倾斜并被铆压在管帽外沿上面，管座的中间圆体，烧结1个或多个芯片，芯片与管座之间，有上下附有导电层的绝缘体，管座的芯片、连线、绝缘体、管脚壳内部分涂敷绝缘的硅油或AB胶，形成绝缘筑台。由于采用铆压封装结物，管座管帽可以采用铝合金，降低了铜耗，比传统弧焊封装提高了成品率。
文档编号H01L23/02GK1058487SQ9010499
公开日1992年2月5日 申请日期1990年7月26日 优先权日1990年7月26日
发明者金海臣, 金磊, 张晓凌, 关文涛, 刘意安, 金鑫, 王建林 申请人:金海臣, 金磊