专利名称：干燥装置以及干燥方法
技术领域：
本发明涉及适合干燥半导体晶片的干燥技术，特别是涉及为了控制干燥不良而进行的改进。
图27是作为本发明背景的传统干燥装置结构的正剖面图。该干燥装置151是以半导体晶片的干燥为目的而构成的装置。在装置151上设有上方开口的处理槽171。在处理槽171侧壁上方部分的内侧，沿处理槽171的侧壁安装冷却盘旋管162。冷却盘旋管162采用石英管，冷却水在其内部流动。
在处理槽171底部的正下方设置加热器170。并且，在处理槽171的内部，在底部与上方开口端之间的位置固定接受器皿166。在该接受器皿166的底部连接排水用的配管180。
在使用装置151的时候，首先在处理槽171的内部注入IPA液167(异丙醇)。调整处理槽171的深度使液面达不到接受器皿166的底部。而且，使冷却水在冷却盘旋管162的内部流动。
打开加热器170，加热IPA液167。结果，IPA液167被气化，产生IPA蒸汽165。该IPA蒸汽165充满处理槽171的内部。IPA蒸汽165在冷却盘旋管162附近由于被冷却而凝结。即，冷却盘旋管162起到防止IPA蒸汽165漏到处理槽171外面的作用。
因此，在处理槽171的内部，在底部附近的液体储存部169内储存IPA液167；而在蒸汽填充部168内充满IPA蒸汽165。蒸汽填充部168是从液体储存部169的上方直到设置冷却盘旋管162附近的空间。在蒸汽填充部168内充满IPA蒸汽165之后，开始对作为处理对象的半导体晶片163进行处理。即，将多块半导体晶片163和装载它们的容器164在水洗处理完后用保持吊臂161吊下，并从处理槽171的上方插入蒸汽填充部168内。如图27所示，装有半导体晶片163的容器164由保持吊臂161保持在接受器皿166正上方的位置。
这样，充满蒸汽填充部168的IPA蒸汽165凝结溶入到附着在半导体晶片163及容器164表面的水滴中。其结果是水滴实质上变成了IPA的液滴，并从半导体晶片163和容器164的表面滑落下来。由此而实现了被水滴润湿的半导体晶片163和容器164的干燥。滑落下来的IPA液滴由接受器皿166回收并通过配管180排到外部。
当干燥处理结束后，容器164被保持吊臂161拉上，从处理槽171中取出。之后，将取出的容器164送到下一个处理工序。而在处理槽171内放入新的半导体晶片163和容器164。这样，可反复进行半导体晶片163和容器164的干燥处理。
然而，由于传统装置151是将作为处理对象的半导体晶片163沐浴在IPA蒸汽165中，并通过使IPA蒸汽165在其表面凝结来实现对表面的干燥，所以，存在这样的问题在不能充分得到IPA蒸汽165凝结量的条件下，就不能进行充分的干燥，从而产生干燥不良的现象。
特别是IPA蒸汽165不仅在投入的作为处理对象的半导体晶片163上凝结，也在处理槽171的内壁表面等不必要的部位凝结，因此，有时会使IPA蒸汽165的凝结量不充分。而半导体晶片163上的干燥不良是导致装有半导体晶片163的半导体装置合格率低下的主要原因之一。
本发明的目的是为解决传统技术中的上述问题而提出的一种可抑制干燥不良的干燥技术。
第1发明装置是用水溶性的溶媒液对处理对象表面进行干燥的干燥装置。在该干燥装置上设有处理槽。该处理槽在上部具有向上开口并可取出放入上述处理对象的开口部，并可在底部储存前述溶媒液，而且在该储存的溶媒液上方可放入上述处理对象。
而且，上述装置还设有加热装置、扩散防止装置、喷嘴、液体回收装置。其中，加热装置可以加热储存在上述处理槽底部的上述溶媒液；扩散防止装置用于防止上述溶媒液加热后产生的蒸汽通过上述开口部而从上述处理槽内部扩散到外部；喷嘴通过向其提供上述溶媒液，可沿上述处理槽的侧壁的内侧表面形成流动的上述溶媒液的流体以覆盖该内侧表面；液体回收装置回收流过上述内侧表面的上述溶媒液，并导向上述处理槽的外部。
第2发明装置是在第1发明的干燥装置上还设有循环装置。该循环装置将上述液体回收装置回收的上述溶媒液再导向前述喷嘴，由此而向该喷嘴循环提供上述溶媒液。
第3发明装置是用水溶性的溶媒液对处理对象表面进行干燥的干燥装置。在该干燥装置上设有处理槽。该处理槽在上部具有向上开口并可放入取出上述处理对象的开口部，并可在底部储存溶媒液；而且在储存的溶媒液中可浸泡上述处理对象，并且，在该储存的溶媒液上方可放入上述处理对象。
上述干燥装置还设有加热装置和扩散防止装置。其中，加热装置可以加热储存在上述处理槽底部的上述溶媒液；扩散防止装置用于防止上述溶媒液加热后产生的蒸汽通过上述开口部而从上述处理槽内部扩散到外部。
第4发明装置是在第3发明的干燥装置上还设有再处理装置。该再处理装置回收储存在上述处理槽底部的上述溶媒液，并从回收的上述溶媒液中除去水分，之后再返回上述处理槽，从而将储存的上述溶媒液进行循环再处理。
第5发明装置是在第3发明或第4发明的干燥装置上，上述扩散防止装置设有在上述开口部两侧相向设置的喷出装置和排气装置。而且，上述排气装置的排气口的开口朝向上述喷出装置；在有气体供给时，上述喷出装置可形成朝向上述排气口、并覆盖上述开口部的上述气体的喷流；上述排气装置可将通过上述排气口吸入的上述气体排向外部；上述处理槽的侧壁设有随着从下方接近上述开口部而向内侧圆滑弯曲的弯曲部。
上述干燥装置还设有配管、惰性气体供给装置和冷却装置。其中，配管与上述喷出装置连接；惰性气体供给装置通过该配管连接到上述喷出装置上并向该喷出装置提供惰性气体；冷却装置设在上述配管的至少一部分上，用于冷却流过该配管的上述惰性气体。
第6发明装置是在第3发明或第4发明的干燥装置上，上述扩散防止装置设有在上述开口部两侧相向设置的喷出装置和排气装置。而且，上述排气装置的排气口的开口朝向上述喷出装置；在有气体供给时，上述喷出装置可形成朝向上述排气口、并覆盖上述开口部的上述气体的喷流；上述排气装置可将通过上述排气口吸入的上述气体排向外部；上述处理槽的侧壁设有随着从下方接近上述开口部而向内侧圆滑弯曲的弯曲部。
上述干燥装置还设有切换阀、供给常温惰性气体的常温气体供给装置、供给冷却惰性气体的冷却气体供给装置、以及控制该切换阀切换动作的控制器。该切换阀其输出方连接上述喷出装置，并可自由切换地选择多个输入方中的一方并连通输出方。
而且，上述多个输入方中的一方连接上述常温惰性气体供给装置、上述多个输入方中的另一方连接上述冷却惰性气体供给装置；上述控制器是只在上述处理对象横切上述喷出装置形成的上述喷流而放入上述处理槽内部时，控制上述切换阀以使上述喷流变成冷却的上述惰性气体的喷流。
第7发明装置是在第3发明或第4发明的干燥装置上，上述扩散防止装置设有冷却装置。该冷却装置设在上述处理槽接近上述开口部的部分，以冷却上述处理槽开口部附近的内侧，使其可以冷却通过上述开口部而放入上述处理槽中的上述处理对象。
第8发明装置是在第3发明或第4发明的干燥装置上，还设有与上述处理槽相邻连接的冷却水洗装置。该冷却水洗装置在上部具有向上开口并可放入取出上述处理对象的开口部，可储存清洗用水；并且，该冷却水洗装置设有水洗槽和冷却装置，该水洗槽可将上述处理对象浸泡在该储存的清洗用水中，而冷却装置安装在上述水洗槽中，用于冷却上述清洗用水。
第9发明装置，是用水溶性的溶媒液对处理对象表面进行干燥的干燥装置。在该干燥装置上设有处理槽。该处理槽在上部具有向上开口并可放入取出上述处理对象的开口部，并可在底部储存溶媒液；并且在该储存的溶媒液上方可放入上述处理对象。
上述干燥装置还设有加热装置、扩散防止装置和喷嘴。其中，加热装置可以加热储存在上述处理槽底部的上述溶媒液；该扩散防止装置用于防止上述溶媒液加热后产生的蒸汽通过上述开口部而从上述处理槽内部扩散到外部；该喷嘴通过向其提供上述溶媒液，向上述处理槽的内部喷射雾状的上述溶媒液。
第10发明装置是用水溶性的溶媒液对处理对象表面进行干燥的干燥装置。在该干燥装置上设有处理槽。该处理槽在上部具有向上开口并可取出放入上述处理对象的开口部，并可在底部储存溶媒液，而且在该储存的溶媒液上方可放入上述处理对象。
上述干燥装置还设有加热装置、扩散防止装置、冷却水洗装置和控制装置。其中，加热装置可以加热储存在上述处理槽底部的上述溶媒液；扩散防止装置用于防止上述溶媒液加热后产生的蒸汽通过上述开口部而从上述处理槽内部扩散到外部；冷却水洗装置与上述处理槽相邻设置；该控制装置控制上述加热装置。
而且，该冷却水洗装置设有水洗槽和传感器；该水洗槽在上部具有向上开口、并可取出放入上述处理对象的开口部，并可储存清洗用水，而且可将上述处理对象浸泡在该储存的清洗用水中；而传感器安装在上述水洗槽上，可检测在该水洗槽中是否有上述处理对象，并且向上述控制装置发送检测信号。
并且，上述控制装置根据上述检测信号来控制上述加热器的输出，以补偿充满上述处理槽的蒸汽的热量损失，这部分热量是上述处理对象从上述水洗槽移放到上述处理槽中的时候吸去的。
第11发明装置是在第1发明至第4发明、或第9发明及第10发明的任何一种干燥装置上，上述扩散防止装置设有在上述开口部两侧相向设置的喷出装置和排气装置。
而且，上述排气装置的排气口的开口朝向上述喷出装置；在有气体供给时，上述喷出装置可形成朝向上述排气口并覆盖上述开口部的上述气体的喷流；上述排气装置可将通过上述排气口吸入的上述气体排向外部；上述处理槽的侧壁设有随着从下方接近上述开口部而向内侧圆滑弯曲的弯曲部。
第12发明的方法是在用水溶性的溶媒液对处理对象表面进行干燥的干燥方法中，设有在该干燥装置上准备处理槽的工序。该处理槽在上部具有向上开口并可取出放入上述处理对象的开口部，并可在底部储存溶媒液；而且，在储存的溶媒液中可浸泡上述处理对象，并且，在该储存的溶媒液上方可放入上述处理对象。
上述干燥方法还设有以下工序在上述处理槽的底部储存足可浸泡上述处理对象的上述溶媒液的工序；加热储存的上述溶媒液，使该溶媒液的蒸汽充满上述处理槽的工序；通过上述开口部将上述处理对象从外部放入上述处理槽内的工序；将放入的上述处理对象在充满的上述蒸汽中向上述处理溶媒液下降的下降工序。
并且，上述干燥方法还设有以下工序通过将上述处理对象浸泡到储存的上述溶媒液中，而将附着在上述处理对象表面的水分除去的工序；通过将上述处理对象从上述溶媒液中取出并沐浴在充满的上述蒸汽中而将残留在上述处理对象表面的上述溶媒液去除的工序；通过上述开口部从上述处理槽中取出上述处理对象的工序。
第13发明的干燥方法是在第17发明的干燥方法中还设有在上述下降工序之前对上述处理对象进行冷却的工序。
第14发明的干燥方法是在第17发明的干燥方法中还设有在上述下降工序之前将上述处理对象浸泡在冷却的清洗用水中进行水洗的工序。
第15发明的干燥方法是在利用第1发明至第4发明、或第9发明及第10发明的任何一种干燥装置对处理对象表面进行干燥的干燥方法中设有以下工序准备上述干燥装置的工序；通过向上述处理槽中提供上述溶媒液而在上述处理槽的一部分储存上述溶媒液的工序；起动上述加热装置加热上述溶媒液的工序；穿过上述开口部将上述处理对象放入上述处理槽中的工序。
上述干燥方法还设有以下工序将放入的上述处理对象保持在上述溶媒液的液面上方并利用加热后的上述溶媒液所产生的蒸汽对上述处理对象表面进行干燥的干燥处理工序；在该干燥处理工序后，穿过上述开口部将上述处理对象从上述处理槽内取出的工序。
图1实施形式1的装置的斜视剖面图。
图2作为各实施形式基础装置的正剖面图。
图3实施形式1的装置的正剖面图。
图4实施形式1的另一装置例的正剖面图。
图5实施形式2的装置的正剖面图。
图6实施形式3的装置的正剖面图。
图7实施形式3的另一装置例的正剖面图。
图8实施形式4的装置的正剖面图。
图9采用实施形式4的装置的处理流程图。
图10采用实施形式4的装置的处理流程图。
图11实施形式5的装置的正剖面图。
图12实施形式6的装置的正剖面图。
图13实施形式7的装置的正剖面图。
图14实施形式8的装置的正剖面图。
图15采用实施形式8的装置的处理流程图。
图16采用实施形式8的装置的处理流程图。
图17实施形式8的另一装置例的正剖面图。
图18实施形式8的又一装置例的结构示意图。
图19实施形式9的装置的正剖面图。
图20采用实施形式9的装置的处理流程图。
图21实施形式10的装置的正剖面图。
图22实施形式11的装置的正剖面图。
图23采用实施形式11的装置的处理流程图。
图24实施形式11的另一装置例的正剖面图。
图25实施形式12的装置的结构示意图。
图26变形例的装置的正剖面图。
图27传统装置的正剖面图。
首先，对作为以下各实施形式基础技术之一的干燥装置100与传统装置151一起进行说明。另外，在以下的各实施形式中，主要是以干燥装置100为基础例示，但同样也可以传统装置151为基础进行实施。
图2是干燥装置100的结构的正剖面图。干燥装置100与传统装置151一样是以半导体晶片3的干燥为目的而构成的装置。如图2所示，在干燥装置100上设有处理槽11。处理槽11是只在上部开口的容器。即，在处理槽11的上部具有向上方开口的开口部22。而且，处理槽11的侧壁在其上端附近随着从下方逐渐接近开口部22而向内侧圆滑弯曲。
在处理槽11的上部，在上述开口部22两侧相对设置一列喷嘴13(喷出装置)以及槽状的排气构件14(排气装置)。这些喷嘴13分别与配管19的一端连接。而该配管19的另一端与氮气供给装置18连接。氮气供给装置18例如是可作为工厂设施之一的装置。设在排气装置14上的排气口开口向着喷嘴13。
在处理槽11的上部还设有可自由开闭开口部22的盖15。为了使盖15开闭自由，例如图2所示，设计与盖15连接的操纵器24。操纵器24根据图中未示出的控制器发出的信号，通过使盖15向水平方向移动来开闭盖15。
另外，在处理槽11底部的正下方设置加热器10(第1加热器)。并且在处理槽11的内部，在底部与上方开口部22之间的位置固定接受器皿6。在该接受器皿6的底部连接排水用配管20的一端，该配管20贯通处理槽11的侧壁并引向外部。
该装置100按以下的顺序使用。首先，在处理槽11的内部供给适合干燥水洗后半导体晶片3的溶剂，例如IPA液7(溶媒液)。调节所供给的IPA液7的量以使液面低于接受器皿6底部的位置。并且，在盖15关闭的状态下给加热器10通电。
这样，加热器10产生的热通过处理槽11的底部传递给IPA液7。加热IPA液7的目的是使IPA液7气化，由此产生IPA蒸汽5。该IPA蒸汽5充满处理槽11的内部。即，处理槽11的内部被分为储存IPA液7的液体储存部9和位于上部的充满IPA蒸汽5的蒸汽填充部8。
在把水洗处理后的半导体晶片3放入处理槽11之前，来自氮气供给装置18的氮气通过配管19提供给喷嘴13。这样，氮气从喷嘴13喷出。由于喷嘴13是列状设置的，所以，喷出的氮气——即氮气的喷流21形成膜状并将开口部22完全覆盖。而喷流21回收到面向喷嘴13开口的排气装置14的排气口。排气装置14可将通过排气口吸入的喷流21排向外部。
喷流21喷射期间，盖15打开，将作为处理对象的半导体晶片3放入处理槽11。即，将多块半导体晶片3和装载它们的容器4，在水洗处理完后用与保持吊臂161(参见图27)相同的保持吊臂吊下，从开口部22的上方横切喷流21，通过开口部22而插入蒸汽填充部8内。如图2所示，把装有半导体晶片3的容器4放在接受器皿6上。然后，将保持吊臂提升到外部。在保持吊臂移到外部后，关闭盖15，可以停止喷射喷流21。
由于半导体晶片3及容器4放在蒸汽填充部8内，所以，充满蒸汽填充部8的IPA蒸汽5凝结溶入附着在半导体晶片3及容器4表面的水滴中。因为1PA在水中的溶解度高，所以大量溶入水滴中。其结果是将水滴实质上变成了IPA的液滴，重量增加。然后由于其重量的作用，IPA的液滴从半导体晶片3和容器4的表面滑落下来。
这样，就实现了被水滴润温的半导体晶片3和容器4的干燥。滑落下来的IPA的液滴由接受器皿6回收，并通过配管20排到外部。即，混有水滴和微量杂质的IPA液体不会混入IPA液7中，而是排到处理槽11的外面。从而保持了储存在液体储存部9的IPA液7的高纯度。
当半导体晶片3和容器4干燥处理完后，再次形成喷流21，打开盖15。然后，再次将保持吊臂插入处理槽11中，由保持吊臂将装载半导体晶片3的容器4向上提起，横切喷流21并通过开口部22从处理槽11中取出。之后，将取出的半导体晶片3以及容器4送到下一个处理工序。而后在处理槽11的蒸汽填充部8内放入新的半导体晶片3和容器4。这样，可反复进行半导体晶片3和容器4的干燥处理。
在对半导体晶片3和容器4进行干燥处理时，也可用保持吊臂将半导体晶片3和容器4置于蒸气填充部8中的接受器皿6的上方，以取代将它们放置在接受器皿6上。这时，既使在进行干燥处理期间，也可以打开盖15，且不停止喷射喷流21。
当作为处理对象的半导体晶片3和容器4放入处理槽11以及从处理槽11中取出时、还可以根据情况在进行干燥处理的时候，将盖15打开，并形成喷流21。尽管盖15是打开的，但IPA蒸汽5由于受到覆盖开口部22的喷流21的阻挡，难以通过开口部22从处理槽11中扩散出来。即，IPA蒸汽5基本都滞留在蒸汽填充部8内。即，喷流21起到阻止气体通过的一种屏障作用。
在装置100上，不但喷流21有效地发挥了屏障的功能，而且处理槽11的形状也起到很大的作用。如图2所示，由IPA液7产生的IPA蒸汽5沿处理槽11的侧壁面上升。而如前所述，处理槽11的侧壁是在开口部22附近随着接近开口部22而向内侧圆滑弯曲的。
所以，IPA蒸汽5的气流在处理槽11的上部附近沿侧壁的弯曲部向内侧圆滑弯曲。IPA蒸汽5在蒸汽填充部8的上部冷却的结果，是IPA蒸汽5的气流逐渐向下流动。即，如图2所示，在蒸汽填充部8中，沿流线23产生了IPA蒸汽5的对流。结果，由喷流21有效地阻止了充满蒸汽填充部8的IPA蒸汽5通过开口部22向外面流出。
由于在装置100上形成了喷流21，所以，不必设置传统装置151上必需的冷却盘旋管162。因此，消除了由于提供给冷却盘旋管162的制冷剂状态的变化而引起的IPA蒸汽165状态的不稳定。即，充满蒸汽填充部8的IPA蒸汽5的浓度及体积等稳定。其结果是半导体晶片3和容器4等处理对象的干燥可以均匀且稳定地进行。即，减轻了传统装置151上干燥不良的问题，提高了装有半导体晶片3的半导体装置的合格率。
并且，由于设有开闭自由的盖15，在装置100不运转时、在进行运转的准备工作时、或者即使在运转中但不将半导体晶片3和容器4放入处理槽11中等时，都可用盖15将开口部22封闭。在盖15关闭期间，由于不必向喷嘴13提供氮气，所以，可降低氮气的使用量。即，除了喷嘴13和排气件14以外，盖15也可作为扩散防止装置而起到防止IPA蒸汽5通过开口部22向外扩散的作用。
在生产批量大的工厂，不能忽视氮气的使用成本。因此，也不能忽视通过设计盖15而可获得降低成本的效果，并且，由于缩短了喷嘴13的工作时间，使喷嘴13的损耗降低，还具有延长装置寿命的优点。
另外，虽然所示例子中是采用IPA作为储存在处理槽11中的溶剂，但只要是适合用作对水洗后的处理对象进行干燥的溶剂，也可采用其它物质。即，一般可使用沸点比水低、气化潜热比水小、而且相对水的溶解度高的有机溶剂。例如，TFEA(三氟乙基乙醇)、HFIPA(六氟丙醇)、PFPA(五氟丙醇)等较适合。
并且，虽然所示例子中是采用氮气作为通过配管19提供给喷嘴13的气体，但一般只要是化学稳定性好的气体，即也可采用其它惰性气体。例如，也可采用氩气等非活性气体。不过，氮气是惰性气体中最廉价的，并具有容易得到的优点。
另外，虽然所示例子中是设置一列喷嘴13并利用其产生膜状覆盖开口部22的喷流21，但也可设置能产生膜状喷流21的单一喷嘴取代一列喷嘴13。
图1及图3分别是实施形式1的干燥装置结构的斜视剖面图和正剖面图。该装置101形成IPA液体的流动，以覆盖处理槽11侧壁的内侧表面——即蒸汽填充部的内侧壁面，在这点上与装置100特征不同。装置101，由于该特征而改善了IPA蒸汽5浓度降低的问题，从而具有可进一步控制处理对象干燥不良现象的优点。
在装置101上，处理槽11设有蒸汽填充部31和液体储存部32。其中，蒸汽填充部31由处理槽11的侧壁围成，用于填充IPA蒸汽5；而液体储存部32设在处理槽11的底部，用于储存IPA液7。而且，使IPA液向下方流出的喷嘴34设置在蒸汽填充部31的上部位置，并且与内壁面相邻。喷嘴34是例如一端被堵塞的圆管状且水平设置；而且，在其下部形成多个流出孔35的列；喷嘴34的另一端通过配管39连接到IPA液供给装置38上。
在蒸汽填充部31的下部安装有液体接收部36。液体接收部36自内侧壁向内侧突出、且截面为L字形，可回收从流出孔35流出的IPA液。该液体接收部36与喷嘴34对应而大致沿水平延伸。而且，在蒸汽填充部31设置液体接收部36的部位形成孔，在该孔上连接配管37。
与装置100一样，在液体储存部32的正下方设置用于加热IPA液7的加热器10。并在蒸汽填充部31的内部设置接收器皿6，在处理槽11的上部设置喷嘴13、排气件14、以及盖15，这一点与装置100相同。
在装置101上，通过起动加热器10而加热IPA液7时，从IPA液供给装置38向喷嘴34供给IPA液7。供给的IPA液从成列的多个流出孔35向下方流出。因此，IPA液的流体29形成膜状并沿蒸汽填充部31的内壁面从喷嘴34向液体接收部36流下。
即，IPA液的流体29从蒸汽填充部31内壁面的上部流向下部并覆盖内壁面。之后，IPA液的流体29由液体接收部36回收，而且，被回收的IPA液通过配管37排向处理槽11的外部。
这样，由于IPA液的流体29覆盖住蒸汽填充部31的内壁面，所以，抑制了IPA蒸汽5在蒸汽填充部31内壁面上无用的凝结。因此，可有效利用IPA蒸汽5在半导体晶片3等处理对象表面的凝结。由于可进一步抑制处理对象的干燥不良，从而可进一步提高安装有半导体晶片3的半导体装置的合格率。
图1及图3中所示例子是将由液体接收部36回收的IPA液通过配管37排向外部，但也可以如图4的正剖面图所示例子那样，构成使液体接收部36回收的IPA液循环供给喷嘴34的装置。在图4所示的装置102上，在配管37与配管39之间设置泵41，用于使IPA液循环。回收到液体接收部36的IPA液在泵41的作用下从配管37吸入，再通过配管39送到喷嘴34。
这样，在装置102上，从喷嘴34到液体接收部36，再从液体接收部36到喷嘴34，形成IPA液的循环。从而使其具有这样的优点，即，可减少为形成流体29而提供IPA液所需要的成本。
另外，IPA液随着循环会慢慢损耗，从而造成IPA液循环量不足，这时，为了补足循环量，也可以在泵41或配管39等循环路径中的任何部位连接IPA液供给装置38。
图5是实施形式2的干燥装置结构的正剖面图。该装置103在蒸汽填充部31的外壁上设置加热器40，这点与装置102特征不同。加热器40设置位置所覆盖的外壁面部分与蒸汽填充部31内壁面上被流体29覆盖的部分对应，从而可以加热IPA液的流体29。
在装置103上，当加热器10加热IPA液7、并且从喷嘴34向液体接收部36形成IPA液的流体29时，起动加热器40。加热器40所产生的热量传递给IPA液的流体29。加热流体29的目的是减少IPA蒸汽5在流体29中的凝结。
例如，当形成流体29的IPA液的温度为30℃时，其蒸汽压力为60mmHg，由于低于处理槽11中760mmHg的蒸汽压力，所以，IPA蒸汽会凝结到IPA液中。但如果将IPA液的温度加热到例如70℃，则其蒸汽压力与处理槽11中的蒸汽压力相同，这时，IPA蒸汽5基本不会凝结到IPA液中。
如上所述，在装置103上，由于覆盖蒸汽填充部31内壁面的IPA液流体29被加热，所以抑制了IPA蒸汽5在流体29中无用的凝结。因此，可有效利用IPA蒸汽5在半导体晶片3等处理对象表面的凝结。由于可进一步抑制处理对象的干燥不良，从而可进一步提高安装有半导体晶片3的半导体装置的合格率。
另外，与装置101同样也可采用从IPA液供给装置38向喷嘴34提供IPA液的方法来取代将回收到液体接收部36的IPA液循环提供给喷嘴34使用的方法。但是，如装置103这样将IPA液循环提供给喷嘴34使用的形式，具有可减轻加热器40的负荷的优点。
图6是实施形式3的干燥装置结构的正剖面图。该装置104采用预先将通过配管39的IPA液加热后再提供给喷嘴34的结构，以取代加热从喷嘴34流出的IPA流体29的方法，这点与装置103特征不同。
即，装置104在配管39的一部分设置加热器42，由该加热器42加热流过该配管39的IPA液。这样，当IPA液从喷嘴34流出而形成流体29时，已经升温到了合适的温度。因此，可进一步抑制IPA蒸汽5在流体29中的凝结。其结果，IPA蒸汽5用于可更有效地在半导体晶片3等处理对象表面凝结，从而可进一步抑制处理对象的干燥不良。
加热器42也可以不装在配管39上，而装在配管37或泵41上。即，一般只要在从液体接收部36到喷嘴34的IPA液循环路径上的至少一部分安装加热器，以加热流过该循环路径的IPA液，即可获得同样的效果。
通过将供给喷嘴34的IPA液预先加热而获得的上述效果，在IPA液不从液体接收部36循环供给喷嘴34，而由IPA液供给装置38供给喷嘴34的时候特别显著。并且，由IPA液供给装置38向喷嘴34提供IPA液时，不加热配管39，而是加热IPA液供给装置38自身，也可获得同样的效果。
图7的正剖面图所示即是这样结构的装置。图7所示的装置105，是在IPA液供给装置38上安装加热器42，IPA液供给装置38所提供的IPA液由加热器42预先加热。并且，除加热器42以外，还可设置装置103上的加热器40，由此可以更容易地将流体29的温度保持在设定的目标温度。即，在减少各加热器总的热负荷的同时，还可加强由于流体29升温而带来的上述效果。
图8是实施形式4的干燥装置结构的正剖面图。该装置106其结构使作为处理对象的半导体晶片3和容器4可浸泡在IPA液7中，在这点上与装置101～105特征不同。即，在装置106上，构成处理槽11下部的液体储存部46可储存IPA液7，并且，储存的IPA液7的容量和深度可浸泡半导体晶片3和容器4。另外，构成处理槽11上部的蒸汽填充部45其容量和深度也可放入半导体晶片3和容器4。
与装置100一样，在液体储存部46的正下方设有加热器10，用于加热IPA液7。另外，在处理槽11的上部设置喷嘴13、排气件14、以及盖15，这些点上也与装置100相同。在液体储存部46的底部设有可放置容器4的载放台47。
该装置106按以下的顺序使用。首先，在处理槽11的内部供给IPA液7。调节所供给的IPA液7的深度，使液面没过半导体晶片3的顶部。而半导体晶片3放在容器4内，容器4则放置在载放台47上。在处理槽11的内部储存该深度的IPA液7的部分相当于上述的液体储存部46。
之后，在盖15关闭的状态下，给加热器10通电。利用加热器10产生的热加热IPA液7，结果使IPA液7气化，由此而产生IPA蒸汽5。该IPA蒸汽5充满IPA液7上方的空间，即蒸汽填充部45的内部。在水洗处理后的半导体晶片3(以及容器4)放入处理槽11之前，氮气通过配管19提供给喷嘴13而形成喷流21。
喷流21喷出期间，如图9所示，打开盖15，将作为处理对象的半导体晶片3放入处理槽11。即，将多块半导体晶片3和装载它们的容器4，在水洗处理完后由保持吊臂48吊下，从开口部22的上方横切喷流21并通过开口部22插入处理槽11内。
插入的半导体晶片3和容器4快速通过蒸汽填充部45而放在液体储存部46中的载放台47上。即，经过水洗而附着有水滴的处理对象被直接放入IPA液7中。当处理对象放到载放台47上后，保持吊臂48随即提上。当保持吊臂48移到外部后，关闭盖15，此时可停止喷射喷流21。
由于IPA在水中的溶解度实际上是无限大的，所以，附着在处理对象表面的水滴通过直接接触IPA液7而混合到IPA液7中。因此，附着在处理对象表面的水可全部被IPA液7夺去。结果是处理对象的表面只接触到被夺去水分稀释的IPA液7。
例如，一次处理25片直径为200mm的半导体晶片3时，要在液体储存部46内准备30升IPA液7。如果每一片半导体晶片3附着2cm3的水滴，则一次浸泡过程有50cm3的水进入IPA液7中，结果是IPA液7只稀释了0.17％。如果IPA液7的浓度下降到IPA液7与水的共沸点的91％而使用IPA液时，则供给一次IPA液7可进行50次以上的干燥处理。该次数完全满足实用要求。
当处理对象表面的水滴被IPA液7除去后，如图10所示，再次形成喷流21、打开盖15。之后插入保持吊臂48，处理对象被保持吊臂48吊到IPA液7的上方，沐浴在充满蒸汽填充部45内的IPA蒸汽5中。由于IPA液7的表面张力是22dyne/cm，比水的表面张力73dyne/cm小，所以，可以使处理对象的表面不会附着IPA的液滴而从IPA液7中取出。因此，这时在处理对象的表面已经基本不残留水分。
并且，通过将处理对象沐浴在IPA蒸汽5中，还可除去残存在处理对象表面微量的IPA液的薄膜，从而完成对处理对象的干燥。由于从IPA液7取出的时候，处理对象的表面基本无残留的水分，所以，在表面不会形成气·液·固的3相界面。因此，干燥后，表面不会产生水印，可实现清洁的干燥。
然后，作为处理对象的半导体晶片3和容器4被保持吊臂48夹住并向上吊起，横切喷流21而通过开口部22从处理槽11中取出。之后，将取出的半导体晶片3和容器4送到下一个处理工序。而在处理槽11中放入新的半导体晶片3和容器4。这样，可反复进行半导体晶片3和容器4的干燥处理。
在对半导体晶片3和容器4进行干燥处理的时候，也可用保持吊臂夹住半导体晶片3和容器4而置于IPA液7中，以取代将它们放置在载放台47上的形式。在半导体晶片3和容器4浸泡在IPA液7中期间，也可以保持盖15打开的状态，且不停止喷射喷流21。
如上所述，装置106，是通过将处理对象浸泡到IPA液7中来进行干燥处理的。所以，与只将处理对象沐浴在IPA蒸汽5中来进行干燥处理的装置100～105相比，不会因放入的半导体晶片3的数量变动、或IPA蒸汽5的流动变化等造成IPA蒸汽5凝结量不足，因此不会引起干燥不良而实现稳定的干燥处理。
图11是实施形式5的干燥装置结构的正剖面图。该装置107设有对IPA液7进行再处理并循环供给液体储存部46的装置部分，在这点上与装置106特征不同。即，在装置107上，于液体储存部46的底部，通过配管52、55连接水/IPA分离器53。而且，在配管52上设有泵51。
泵51通过配管52将储存在液体储存部46的IPA液7吸入，再通过管52送到水/IPA分离器53。水/IPA分离器53设有水/IPA分离膜。该水/IPA分离膜是用烯等材料形成的中空丝状构件。通过配管52回收的IPA液7中所含的水和IPA液被水/IPA分离器53分离。作为废液的水分通过配管54排到装置的外部。另一方面，从回收的IPA液7分离出的IPA液，即，再处理后的IPA液，通过配管55返回液体储存部46。
这样，装置107，由于对随着处理对象的干燥处理而混入水分的IPA液7进行循环再处理，因而抑制了IPA液7中水的浓度上升。所以，不用提供新的IPA液7即可在长时间内反复利用IPA液对处理对象进行处理。其结果是缩短了装置用于更换IPA液7所需的停机时间，从而提高了干燥处理的效率。
图12是实施形式6的干燥装置结构的正剖面图。该装置108也与装置107一样，设有对IPA液7进行再处理并循环供给液体储存部46的装置部分。但是，用IPA蒸馏器57代替水/IPA分离器53。即，在液体储存部46的底部，通过配管52连接IPA蒸馏器57。IPA蒸馏器57再通过配管55连接到蒸汽填充部45(也可以是液体储存部46)。在配管55上设有泵51。
储存在液体储存部46内含有水分的IPA液7，例如由于重力作用通过配管52而供给设在IPA蒸馏器57上的蒸馏槽58内。而储存在蒸馏槽58内的IPA液61由设在蒸馏槽58正下方的加热器60加热。其结果，通过选择蒸发含有水分的IPA液61中的IPA，使蒸馏槽58中IPA液61上方的空间充满IPA蒸汽62。
IPA蒸汽62凝结在蒸馏槽58内部设置的集液部59的表面上。凝结的IPA液63是不含水分的IPA液。该IPA液63由集液部59收集后送往泵51。泵51通过配管55将收集的IPA液63，即，经过再处理后的IPA液返回到液体储存部46。另一方面，随着IPA的蒸发，IPA液61中水分的浓度越来越高。水分浓度高到一定程度后的IPA液61则通过配管64被排向装置外部。
这样，装置108也由于对随着处理对象的干燥处理而混入水分的IPA液7进行循环再处理，因而抑制了IPA液7中水的浓度上升。所以，不用提供新的IPA液7，即可在长时间内反复利用IPA液对处理对象进行处理，因此缩短了装置用于更换IPA液7所需的停机时间，从而提高了干燥处理的效率。
图13是实施形式7的干燥装置结构的正剖面图。该装置109也与装置107、108一样，设有对IPA液7进行再处理并循环供给液体储存部46的装置部分。但是，具有同时使用水/IPA分离器53和IPA蒸馏器57的特征。即，在对IPA液7进行循环再处理的路径上，串联设置水/IPA分离器53和IPA蒸馏器57。
泵51通过配管52将储存在液体储存部46的IPA液7吸入，再通过配管52送到水/IPA分离器53。水/IPA分离器53将通过配管52回收的IPA液7中所含的水和IPA液进行分离。作为废液的水分通过配管54排到装置的外部。
另一方面，从回收的IPA液7分离出的IPA液通过配管65送往IPA蒸馏器57。通过IPA蒸馏器57蒸馏后不含水分的IPA液，即经过再处理后的IPA液送到泵51。泵51通过配管55将再处理后的IPA液返回到液体储存部46中。
这样，由于对随着处理对象的干燥处理而混入水分的IPA液7，通过水/IPA分离器53和IPA蒸馏器57两者进行循环再处理，因而更有效地抑制了IPA液7中水分的浓度上升。所以，可连续使用水分浓度低、而纯度高的IPA液7进行干燥处理。因此，干燥处理的质量好而且效率高。
另外，水/IPA分离器53和IPA蒸馏器57在循环路径上的设置顺序，也可与图13所示相反。
图14是实施形式8的干燥装置结构的正剖面图。该装置110在配管19的一部分上设有用于冷却流过配管19的氮气的冷却器71，在这点上与装置106(图8)特征不同。在冷却器71上，使用例如电子冷热元件、水冷机构、或空冷机构等。并且，在冷却器71上通过信号线连接控制器72。
如图15所示，装有半导体晶片3的容器4在水洗完后用保持吊臂48吊下，从处理槽11上方横切喷流21并插入开口部22，此时，起动冷却器71，将作为喷流21喷出的氮气冷却至比常温低的温度。即，半导体晶片3和容器4插入开口部22时，受到冷却氮气的喷流21喷吹。
结果，使被水滴润湿的半导体晶片3和容器4均匀冷却到比通常水洗时的温度25℃低的温度，例如4℃～23℃。之后，如图16所示，半导体晶片3和容器4通过开口部22，再缓缓地穿过蒸汽填充部45而放入IPA液7中。
在半导体晶片3和容器4穿过蒸汽填充部45时，沐浴在充满蒸汽填充部45内的IPA蒸汽5中。这时，IPA蒸汽5大量且均匀地凝结在冷却的半导体晶片3和容器4的表面。然后，附着在其表面的水滴很快地变成大的IPA的液滴并从表面落下。
即，在放入IPA液7之前，附着在其表面的水滴大部分已经除去。并且，半导体晶片3和容器4在放入IPA液7时，其表面温度已接近IPA蒸汽5的温度。所以，不会产生干燥不均匀，从而实现良好的干燥处理。
由于为了能浸泡到IPA液7中，所以液体储存部46内需储存有大量的IPA液7，因此，为保证安全，由加热器加热的IPA液7的升温有一定的限度。在装置110上，由于处理对象在放入IPA液7中之前经过了冷却，所以，即使IPA液7的温度并不那样高，但也可充分保证处理对象与IPA蒸汽5之间的温差。所以，既可确保安全性，又可不产生干燥不均匀，从而实现良好的干燥处理。
在由IPA液7除去处理对象表面的水滴时，如图16所示，用保持吊臂48将处理对象提升到IPA液7的上方，沐浴在充满蒸汽填充部45内的IPA蒸汽5中，由此除去处理对象表面仅存的微量IPA的液体簿膜，从而完成对处理对象的干燥。
在放入半导体晶片3和容器4，时控制器72调节冷却器71的开关时间，使喷流21的氮气能够在充分冷却后喷出。例如，在放入新的半导体晶片3和容器4之前几分钟，打开冷却器71，则可预先将形成喷流21的氮气进行充分的冷却。控制器72可通过接收来自保持吊臂48的控制装置(图中未画出，该控制装置控制保持吊臂48的动作)的信号，对应容器4的动作来进行对冷却器71的控制。
当半导体晶片3和容器4通过开口部22插入处理槽11之后，例如，可使冷却器71回到关闭状态。这样，在抑制干燥不良的同时，又可省去不必要的冷却。另外，如果不必要的冷却不成为特别问题时，也可以这样构成装置110不设控制器72，在装置110运行期间使冷却器71处于常开状态。
虽然装置110其结构是冷却流过配管19的氮气，但如果采用将预先冷却后的氮气提供给配管19的结构形式，也可获得同样的效果。图17是这样结构的干燥装置的正剖面图。
在装置111上，配管19连接切换阀73的输出端。而且，在切换阀73的两个输入端的一方，通过配管74连接提供常温氮气的氮气供给装置18；而两个输入端的另一方，通过配管76连接提供冷却氮气的冷却氮气供给装置75。另外，切换阀73通过信号线连接控制器72。
当应该喷出常温氮气的喷流21时，切换阀73选择输送常温氮气的配管74与配管19连通而向喷嘴13提供常温氮气；而当应该喷出冷却氮气的喷流21时，即处理对象横切喷流21进入处理槽11中的时候，切换阀73选择输送冷却氮气的配管76与配管19连通，而向喷嘴13提供冷却氮气。切换阀73这样的切换动作，可利用控制器72进行控制。
如上所述，因为装置111其结构也是可以根据需要来选择常温氮气和冷却氮气中的任何一方形成喷流21，所以，可获得与装置110同样的效果可以抑制干燥不良，而且节省了冷却氮气的使用量。
干燥装置还可构成这样的形式将作为处理对象的半导体晶片3和容器4在横切喷流之前预先冷却，以代替用喷嘴13形成冷却氮气喷流21的形式。图18所示即是这样结构的装置。该装置是在装置106(图8)的上方设置用于冷却环境空气的冷却器80。冷却器80在控制器81的指示下向下方形成冷却空气的气流82。
半导体晶片3和容器4由保持吊臂48夹住并浸泡在处理槽83内储存的药液84中，由药液84清洗处理完后，放入处理槽85内储存的清洗用水86中进行水洗处理。之后，放入另一个处理槽87内储存的清洗用水88中，再次进行水洗处理。
当由清洗用水88水洗处理完时，冷却器80在控制器81的指示下开始工作，从冷却器80向位于正下方的处理槽11形成冷却空气的气流82。在气流82形成期间，半导体晶片3和容器4从清洗用水88中取出，并被移送到处理槽11的上方，再放入处理槽11中。
在该过程中，使水洗完的半导体晶片3和容器4从冷却后的空气气流82中穿过。结果，作为处理对象的半导体晶片3和容器4在放入处理槽11之前受到冷却。因此，与装置110、111一样，可以在确保安全的情况下实现无干燥斑点的良好的干燥处理。
图19是实施形式9的干燥装置结构的正剖面图。构成该装置112的处理槽90底部的液体储存部9可储存IPA液7，并且，储存的IPA液7其容量和深度可以浸泡半导体晶片3和容器4。在液体储存部9的底部安装可放置容器4的载放台47。并在液体储存部9的正下方设置加热器10，用于加热IPA液7。
另外，在蒸汽填充部8的上方设置冷却器91。冷却器91的上方打开，使处理对象可以出入；最好是用盖15可自由开闭地盖住开口部22。在冷却器91的内侧，沿内壁面安装冷却盘旋管92。并且，在冷却器91的外侧，沿外侧壁面安装设有例如电子冷热元件的冷却器93。
在装置112上，与传统装置151一样，通过向冷却盘旋管92提供冷却水等制冷剂，可防止IPA蒸汽5向外部扩散。并且，与冷却盘旋管92一起还设有冷却器93，因而提高了冷却能力。即，在装置112上，冷却盘旋管92、冷却器93及盖15构成了扩散防止装置。
在装置112上，由于冷却盘旋管92及冷却器93共同发挥着高制冷作用，因此，不但防止了IPA蒸汽5的扩散，还可对清洗处理完的半导体晶片3等处理对象进行预冷。即，如图20所示，清洗处理完的半导体晶片3和容器4通过开口部22从上方插入处理槽90时，要穿过冷却盘旋管92和冷却器93围成的区域，即穿过冷却器91的内部。
该区域的空气等气体被冷却盘旋管92和冷却器93冷却。因此，作为处理对象的半导体晶片3和容器4穿过该区域时被冷却。处理对象缓慢通过该区域后，再缓慢穿过蒸汽填充部8，放入IPA液7中。
这样，在装置112上，由于处理对象在进入蒸汽填充部8沐浴IPA蒸汽5之前进行了冷却，因此，与装置110、111一样，可以在确保安全的情况下实现无干燥斑点的良好的干燥处理。
另外，图19及图20所示为同时设置冷却盘旋管92和冷却器93以冷却冷却器91内部气体的例子，但如果能获得充分的冷却效果，也可以只设置其中的一个。
图21是实施形式10的干燥装置结构的正剖面图。在该装置114上设有装置106(图8)和与其相邻连接的冷却水洗装置113。冷却水洗装置113是半导体晶片3等处理对象在用干燥装置106进行干燥处理之前，用清洗用水对其进行水洗处理并且将其冷却的装置。
即，在装置113上设有基座94、处理槽87、冷却器93、载放台47和盖95。其中，基座94设在地面等上；处理槽87装在基座94上；冷却器93安装在处理槽87侧壁外侧表面上；载放台47设在该处理槽87底部；盖95可开闭自由地覆盖设在处理槽87上方的开口部。
在处理槽87中储存清洗用水88。冷却器93将该清洗用水88冷却到例如4℃至23℃范围的温度。装在容器4内的半导体晶片3在由装置106进行干燥处理之前，即在清洗处理的最后工序中，浸泡到处理槽87内储存的清洗用水88中。这样，作为处理对象的半导体晶片3和容器4在受到水洗处理的同时，也被冷却至清洗用水88的温度。
之后，装有半导体晶片3的容器4由保持吊臂48吊住，沿路径96从清洗用水88中取出，水平移至设在装置106上的处理槽11的上方，然后再通过开口部22放入处理槽11的内部。作为处理对象的半导体晶片3和容器4缓慢穿过充满IPA蒸汽5的蒸汽填充部45后，放入储存在液体储存部46内的IPA液7中。
这样，在装置114上，由于处理对象在进入蒸汽填充部8沐浴IPA蒸汽5之前进行了冷却，因此，与装置110～112一样，可以在确保安全的情况下实现无干燥斑点的良好的干燥处理。
图22是实施形式11的干燥装置结构的正剖面图。该装置115在蒸汽填充部45的上部设有喷雾喷嘴97，用于将IPA液7呈雾状喷出。在这点上与装置106(图8)特征不同。喷雾喷嘴97例如可设置与蒸汽填充部45的内壁面相邻。
喷雾喷嘴97例如可与喷嘴34(图1)一样是一端堵塞的圆管状且水平设置。而且，在其侧壁上形成多个细小的孔(省略图示)。该孔向通过开口部22到蒸汽填充部45的处理对象、放入蒸汽填充部45的处理对象、或者向双方都喷洒雾状IPA液7。喷雾喷嘴97的另一端通过未图示的配管连接到例如IPA液供给装置38上(图3)，接受IPA液供给装置38提供的IPA液，喷出IPA液的喷雾98。
如图23所示，当装在容器4中的半导体晶片3等处理对象通过开口部22从上方插入处理槽11中时，从开口部22到蒸汽填充部45之际、穿过蒸汽填充部45进入储存在液体储存部46内的IPA液7之际、或者在两个区域，都受到来自喷雾喷嘴97的喷雾98的喷洒。即，处理对象在进入蒸汽填充部45内沐浴IPA蒸汽5之前，或者沐浴IPA蒸汽5的同时(或在两个区域)，受到喷雾98的喷洒。
通过使处理对象接受喷雾98的喷洒，使其表面快速地被IPA液润湿。因此，附着在表面上的水滴很快地变成IPA的液滴，从表面滑落下来。即，在放入IPA液7之前，附着在表面上的水滴大部分都预先被除去。所以，可实现无干燥斑点的良好的干燥处理。
即使不将处理对象放入IPA液7中，而只通过沐浴IPA蒸汽5来进行干燥处理时，将喷雾98洒在处理对象上同样可显示出其优点。图24所示为这样结构装置的正剖面图。构成该装置116处理槽99下部的液体储存部9可储存IPA液7。在液体储存部9的底部安装可放置容器4的接受器皿6。并且，在液体储存部9的正下方设置加热器10，用于加热IPA液7。
另外，在蒸汽填充部8的上方设置冷却器91。冷却器91的上方打开以使处理对象可以出入；开口部22最好用盖15可自由开闭地盖住。在冷却器91的内侧，沿内壁面安装冷却盘旋管92。在装置116上，同传统装置151一样是通过向冷却盘旋管92提供冷却水等制冷剂来防止IPA蒸汽5向外部扩散。即，在装置116上，冷却盘旋管92及盖15构成了扩散防止装置。
在蒸汽填充部8的上部，水平设置与其内壁面相邻的喷雾喷嘴97。喷雾喷嘴97例如接受IPA液供给装置38提供的IPA液，向通过开口部22到蒸汽填充部45的处理对象、放入蒸汽填充部45的处理对象、或者向双方喷洒雾状IPA液7。
因此，当装在容器4中的半导体晶片3等处理对象从上方插入处理槽99中时，在通过开口部到蒸汽填充部8之际、停留在蒸汽填充部8内之际、或者在两个区域都受到来自喷雾喷嘴97的喷雾98的喷洒。即，处理对象在进入蒸汽填充部8内沐浴IPA蒸汽5之前，或者沐浴IPA蒸汽5的同时(或在两个区域)，受到喷雾98的喷洒。
其结果，处理对象表面很快被IPA液润湿。即，比IPA蒸汽5在处理对象表面的凝结更快，利用喷雾98将大量的IPA液提供给表面。所以，可实现无干燥斑点的良好的干燥处理。并且，干燥处理所需的时间缩短，可提高工作效率。进而，由于加热器10对IPA液的升温可控制在较低的程度，所以，也可提高安全性。
图25是实施形式12的干燥装置结构的正剖面图。在该装置117上，除装置101(图1)以外还设有与装置101相邻连接的水洗用处理槽87(图18)以及控制器120。并且，在处理槽87上装有传感器130，用于检测有无半导体晶片3等处理对象。控制器120接收传感器130发出的信号，并根据该信号控制加热器10的输出功率。
传感器130设有例如发射红外线等射线123的发射器121以及接收该射线123的接收器122。当半导体晶片3等处理对象放入处理槽87内储存的清洗用水88中时，由于挡住射线123，所以，接收器122可测出有无处理对象。
例如在传感器130测出有处理对象时，控制器120控制加热器10，使其输出功率增大，之后，例如在一定时间内维持较高的输出功率。因此，当处理对象从清洗用水88中取出并放到处理槽11中时，可控制IPA蒸汽的温度和浓度暂时降低的现象，而这种现象是由于充满处理槽11中的IPA蒸汽5的热量传给处理对象而引起的。即，可利用控制器120控制加热器10的输出功率，以补偿IPA蒸汽被处理对象夺去的热量。
当IPA蒸汽的温度和浓度暂时降低时，IPA蒸汽在刚放入就开始处理的对象上的凝结会暂时停止或减弱，而造成处理对象干燥不充分。之后，随着IPA蒸汽的温度和浓度回升，再次开始凝结。这样，干燥处理被暂时中断是造成干燥不良的原因之一。
装置117由于可以抑制IPA蒸汽的温度和浓度降低，所以，可控制由于干燥处理的暂时中断而导致的干燥不良。即，可实现无干燥斑点的良好的干燥处理。并且缩短了干燥处理所需的时间，从而还可提高工作效率。
控制器120控制加热器10使其输出功率增大的时间，不一定要与传感器130测出有处理对象放入清洗用水88中的时间同步。例如，也可设计为由传感器130测出处理对象从清洗用水88中取出的时间，或者是处理对象放入处理槽11的时间，并设定经过一定时间之后，控制加热器10使其输出功率增大。一般来说，只要是设计为能补偿被放入处理槽11中的处理对象所夺去的热量即可。加热器10的高输出功率所维持的时间可根据目的进行适当设定。
在实际应用中，可以将上述的各实施例1～12进行适当组合，图26即为其中的一例。即，图26所式的装置118与实施形式1的装置101(图1)一样是用IPA液的喷流29将蒸汽填充部45的内壁面覆盖住。装置118在构成上述形式的同时，还与实施形式4的装置106(图8)一样，可以把作为处理对象的半导体晶片3和容器4浸泡到储存在液体储存部45内的IPA液7中。
在该装置118上，由于蒸汽填充部45的内壁面被IPA液的喷流29覆盖，所以，同装置101一样，抑制了IPA蒸汽5在蒸汽填充部45的内壁面上无用的凝结，因此，缓解了IPA蒸汽5浓度降低的问题，与装置106相比，其优点在于更有效地抑制了处理对象上的干燥不良现象。
在第1发明的装置上，通过向喷嘴提供溶媒液，可形成溶媒液的流体，以覆盖处理槽侧壁的内侧表面。这样，可抑制溶媒液的蒸汽在侧壁内侧表面上无用的凝结。因此，可提高蒸汽在处理对象表面的凝结效率，从而抑制处理对象的干燥不良。
在第2发明的装置上，由于向喷嘴循环提供溶媒液，因而降低了溶媒液供应的成本。
在第3发明的装置上，是通过将处理对象浸泡到处理槽底部的溶媒液中而除去附着在其表面的水滴，之后，再在充满处理槽内的蒸汽中沐浴，以除去残留的溶媒液。所以，不会因放入的处理对象数量的变动、或充满的蒸汽的流动变化等造成蒸汽凝结量不足而引起干燥不良，从而实现稳定的干燥处理。
在第4发明的装置上，由于对随着处理对象的干燥处理而混入水分的溶媒液进行循环再处理，因而可抑制溶媒液中水的浓度上升。所以，不用提供新的溶媒液即可在长时间内反复利用IPA液对处理对象进行处理。其结果是缩短了装置用于更换溶媒液所需的停机时间，从而提高了干燥处理的效率。
在第5发明的装置上，当处理对象通过开口部从外面放入处理槽时，可用喷出装置形成由冷却装置冷却后的惰性气体的喷流。即，处理对象被惰性气体预先冷却后再穿过充满处理槽内的蒸汽而浸泡到溶媒液中。在冷却后的处理对象穿过溶媒液蒸汽时，溶媒液的蒸汽大量且均匀地凝结在处理对象的表面上。其结果是处理对象在放入溶媒液之前，附着在其表面的水滴大部分已经除去。因此，更加不会有干燥斑点产生，从而实现良好的干燥处理。
在第6发明的装置上，只有当处理对象横切由喷出装置形成的喷流从外面放入处理槽时，才形成冷却惰性气体的喷流。因此，实现了良好的干燥处理，而且节省了冷却惰性气体的使用量从而可降低处理成本。
在第7发明的装置上，由于利用冷却装置冷却开口部附近的内侧，所以，可防止充满处理槽内的溶媒液的蒸汽扩散到外部。而且，由于冷却装置具有充分的冷却能力，因此，当处理对象通过开口部放入处理槽时也被冷却。即，处理对象是在预先冷却之后再穿过充满处理槽内的溶媒液的蒸汽而浸泡到溶媒液中。由于当冷却处理对象穿过溶媒液的蒸汽时，溶媒液的蒸汽在处理对象表面大量且均匀地凝结，所以，处理对象在放入溶媒液之前，附着在其表面的水滴大部分已经除去。因此，更加不会有干燥斑点产生，从而实现良好的干燥处理。
在第8发明的装置上，处理对象在经过清洗处理的最后工序——浸泡到储存在清洗槽内并用冷却装置冷却后的清洗用水中之后，可通过开口部放入处理槽内部。这样，处理对象是在预先冷却之后再穿过充满处理槽内的溶媒液的蒸汽而浸泡到溶媒液中。由于当冷却处理对象穿过溶媒液的蒸汽时，溶媒液的蒸汽在处理对象表面大量且均匀地凝结，所以，处理对象在放入溶媒液之前，附着在其表面的水滴大部分已经除去。因此，更加不会有干燥斑点产生，从而实现良好的干燥处理。
在第9发明的装置上，处理对象在放入处理槽时，受到来自喷嘴喷出的溶媒液喷雾的喷洒。其结果，利用比溶媒液的蒸汽在处理对象表面凝结还快的溶媒液的喷雾而将大量的溶媒液提供给表面。所以，可实现无干燥斑点的良好的干燥处理。并且，干燥处理所需的时间缩短，可提高工作效率。进而，由于加热装置对溶媒液的升温可控制在较低的程度，所以也可提高安全性。
在第10发明的装置上，由于可控制加热器的输出功率以补偿充满处理槽的蒸汽的热量，而该热量是被从水洗槽中移放到处理槽的处理对象夺去的。所以，可抑制随着处理对象的投入而引起的溶媒液蒸汽的温度和浓度降低。因此，可控制由于干燥处理的一时中断而导致的干燥不良，实现无干燥斑点的良好的干燥处理。并且，缩短了干燥处理所需的时间，从而可提高工作效率。
在第11发明的装置上，通过向喷出装置提供作为气体的惰性气体而形成惰性气体的喷流，其结果是形成一种将开口部覆盖的屏障。并且，由于处理槽的侧壁设有弯曲部分，所以，惰性气体的屏障可有效地阻止溶媒液产生的蒸汽向外部扩散。所以，不需设计传统装置上必需的冷却盘旋管，因此，充满处理槽内蒸汽的状态稳定。其结果是可更有效地抑制干燥不良。另外，由于处理槽不需设置用于安装冷却盘旋管的上层部分，所以，可实现装置的小型化。并且，由于不使用结构复杂且成本高的冷却盘旋管，所以，可降低装置的制造成本和维修的费用，并可实现修复的快速化。
在第12发明的方法中，是通过将处理对象浸泡到储存在处理槽底部的溶媒液中而除去附着在表面的水滴，之后，再通过在充满处理槽内的蒸汽中进行沐浴以除去残留的溶媒液。所以，不会因放入的处理对象数量的变动、或充满的蒸汽的流动变化等造成蒸汽凝结量不足而引起干燥不良，从而实现稳定的干燥处理。
在第13发明的方法中，处理对象是预先冷却后再穿过充满处理槽内的蒸汽而浸泡到溶媒液中。在冷却后的处理对象穿过溶媒液蒸汽时，溶媒液的蒸汽大量且均匀地凝结在处理对象的表面上。所以，处理对象在放入溶媒液之前，附着在其表面的水滴大部分已经除去。因此，更加不会有干燥斑点产生，从而实现良好的干燥处理。
在第14发明的方法中，处理对象在利用冷却后的清洗用水进行水洗被冷却之后，穿过充满处理槽内的溶媒液的蒸汽而浸泡到溶媒液中。由于当冷却处理对象穿过溶媒液的蒸汽时，溶媒液的蒸汽在处理对象表面大量且均匀地凝结，所以，处理对象在放入溶媒液之前，附着在其表面的水滴大部分已经除去。因此，更加不会有干燥斑点产生，从而实现良好的干燥处理。
在第15发明的方法中，是采用第1～第4、第14～第16发明中的任何一种装置，对处理对象进行干燥处理。所以，在干燥处理的工序中，有充足的溶媒液提供给处理对象的表面。其结果是可抑制处理对象的干燥不良现象，获得良好的处理效果。
权利要求
1.一种干燥装置，该干燥装置用水溶性的溶媒液(7)对处理对象(3、4)表面进行干燥，其特征在于在该干燥装置上，设有处理槽(11)、加热装置(10)、扩散防止装置(13、14、15)、喷嘴(34)、及液体回收装置(36)；其中，处理槽(11)在上部具有向上开口并可取出放入上述处理对象的开口部(22)，并可在底部储存溶媒液，且在该储存的溶媒液上方可放入上述处理对象；加热装置(10)可以加热储存在上述处理槽底部的上述溶媒液；扩散防止装置(13、14、15)用于防止储存的上述溶媒液加热后产生的蒸汽(5)通过上述开口部从上述处理槽内部扩散到外部；喷嘴(34)通过向其提供上述溶媒液，可沿上述处理槽的侧壁的内侧表面形成流动的上述溶媒液的流体(29)，以覆盖该内侧表面；液体回收装置(36)回收流过上述内侧表面的上述溶媒液，并导向上述处理槽的外部。
2.如权利要求1所述的装置干燥，其特征在于该装置还设有循环装置(37、39、41、42)，该循环装置利用将通过上述液体回收装置回收的上述溶媒液再导回上述喷嘴的方法而向该喷嘴循环提供上述溶媒液。
3.一种干燥装置，该干燥装置用水溶性的溶媒液(7)对处理对象(3、4)表面进行干燥，其特征在于在该干燥装置上，设有处理槽(11、90、99)、加热装置(10)、以及扩散防止装置(13、14、15、92、93)；其中，处理槽(11、90、99)在上部具有向上开口并可取出放入上述处理对象的开口部(22)，并且可在底部储存溶媒液，在储存的溶媒液中可浸入上述处理对象，而且在该储存的上述溶媒液上方可放入上述处理对象；加热装置(10)可以加热储存在上述处理槽底部的上述溶媒液；扩散防止装置(13、14、15、92、93)用于防止储存的上述溶媒液加热后产生的蒸汽通过上述开口部而从上述处理槽内部扩散到外部。
4.如权利要求3所述的干燥装置，其特征在于该装置还设有再处理装置(53、57)，该再处理装置回收储存在上述处理槽底部的上述溶媒液，并从回收的上述溶媒液中除去水分，之后再送回上述处理槽，从而将储存的上述溶媒液进行循环再处理。
5.如权利要求3或权利要求4所述的干燥装置，其特征在于上述扩散防止装置在上述开口部两侧相向设置喷出装置(13)和排气装置(14)；上述排气装置(14)的排气口的开口朝向上述喷出装置；上述喷出装置(13)在有气体供给时，可形成朝向上述排气口并覆盖上述开口部的上述气体的喷流(21)；上述排气装置(14)可将通过上述排气口吸入的上述气体排向外部；上述处理槽的侧壁，设有随着从下方接近上述开口部而向内侧圆滑弯曲的弯曲部；上述干燥装置还设有配管(19)、惰性气体供给装置(18)和冷却装置(71)；其中，配管(19)与上述喷出装置连接；惰性气体供给装置(18)通过该配管连接到上述喷出装置上并用于向该喷出装置提供惰性气体；冷却装置(71)设在上述配管的至少一部分上，用于冷却流过该配管的惰性气体。
6.如权利要求3或权利要求4所述的干燥装置，其特征在于上述扩散防止装置在上述开口部两侧相向设置喷出装置(13)和排气装置(14)；排气装置的排气口的开口朝向上述喷出装置；上述喷出装置在有气体供给时，可形成朝向上述排气口并覆盖上述开口部的上述气体的喷流(21)；上述排气装置可将通过上述排气口吸入的上述气体排向外部；上述处理槽的侧壁设有随着从下方接近上述开口部而向内侧圆滑弯曲的弯曲部；上述干燥装置还设有切换阀(73)、供给常温惰性气体的常温气体供给装置(18)、供给冷却惰性气体的冷却气体供给装置(75)以及控制该切换阀切换动作的控制器(72)；其中，切换阀(73)的输出连接上述喷出装置，并可自由切换地选择多个输入中的一个连通输出；而且，上述多个输入中的一个连接上述常温气体供给装置，上述多个输入中的另一个连接上述冷却气体供给装置；上述控制器是只在上述处理对象横切由上述喷出装置形成的上述喷流而放入上述处理槽内部时，控制上述切换阀以使上述喷流变成冷却后的上述惰性气体的喷流。
7.如权利要求3或权利要求4所述的干燥装置，其特征在于上述扩散防止装置设有冷却装置(92、93)，该冷却装置设在上述处理槽接近上述开口部的部分，以冷却上述处理槽开口部附近的内侧，冷却的程度使其可以冷却通过上述开口部而放入上述处理槽中的上述处理对象。
8.如权利要求3或权利要求4所述的干燥装置，其特征在于该装置还设有与上述处理槽相邻连接的冷却水洗装置(113)，该冷却水洗装置在上部具有向上开口并可取出放入上述处理对象的开口部，并可储存清洗用水；而且，该冷却水洗装置设有水洗槽(87)和冷却装置(93)，该水洗槽(87)可将上述处理对象浸泡在该储存的清洗用水中，而冷却装置(93)装在上述水洗槽中，用于冷却上述清洗用水。
9.一种干燥装置，该干燥装置用水溶性的溶媒液(7)对处理对象(3、4)表面进行干燥，其特征在于在该干燥装置上设有处理槽(11、99)、加热装置(10)、扩散防止装置(13、14、15)以及喷嘴(97)；其中，处理槽(11、99)在上部具有向上开口并可放入取出上述处理对象的开口部(22)，并可在底部储存溶媒液，而且在该储存的上述溶媒液上方可放入上述处理对象；加热装置(10)可以加热储存在上述处理槽底部的上述溶媒液；该扩散防止装置(13、14、15)用于防止储存的上述溶媒液加热后产生的蒸汽(5)通过上述开口部而从上述处理槽内部扩散到外部；喷嘴(97)通过向其提供上述溶媒液而向上述处理槽的内部喷射雾状的上述溶媒液。
10.一种干燥装置，该干燥装置用水溶性的溶媒液(7)对处理对象(3、4)表面进行干燥，其特征在于该干燥装置，设有处理槽(11)、加热装置(10)、扩散防止装置(13、14、15)、冷却水洗装置(113)以及控制装置(120)；其中，处理槽(11)在上部具有向上开口并可放入取出上述处理对象的开口部(22)，并可在底部储存溶媒液，而且在该储存的上述溶媒液上方可放入上述处理对象；加热装置(10)可以加热储存在上述处理槽底部的上述溶媒液；扩散防止装置(13、14、15)用于防止储存的上述溶媒液加热后产生的蒸汽(5)通过上述开口部而从上述处理槽内部扩散到外部；冷却水洗装置(113)与上述处理槽相邻设置；控制装置(120)控制上述加热装置；并且，该冷却水洗装置，设有水洗槽(87)和传感器(130)，其中，水洗槽(87)在上部具有向上开口并可放入取出上述处理对象的开口部，并可储存清洗用水，而且可将上述处理对象浸泡在储存的清洗用水中，而传感器(130)装在上述水洗槽上，可检测出在该水洗槽中是否有上述处理对象，并向上述控制装置发送检测信号；另外，上述控制装置根据上述检测信号控制上述加热器的输出，以补偿充满上述处理槽的蒸汽的热量损失，这部分热量是由从上述水洗槽移放到上述处理槽中的上述处理对象夺去。
11.如权利要求1至权利要求4、权利要求9、以及权利要求10中任一所述的一种干燥装置，其特征在于上述扩散防止装置，在上述开口部两侧相向设置喷出装置(13)和排气装置(14)；上述排气装置的排气口的开口朝向上述喷出装置；上述喷出装置在有气体供给时，可形成朝向上述排气口并覆盖上述开口部的上述气体的喷流(21)；上述排气装置可将通过上述排气口吸入的上述气体排向外部；上述处理槽的侧壁设有随着从下方接近上述开口部而向内侧圆滑弯曲的弯曲部。
12.一种干燥方法，该干燥方法是用水溶性的溶媒液(7)对处理对象(3、4)表面进行干燥的方法，其特征在于该方法设有以下工序在该干燥装置上准备处理槽(11、90)的工序，该处理槽在上部具有向上开口并可放入取出上述处理对象的开口部(22)，可在底部储存溶媒液，并且，在储存的溶媒液中可浸入上述处理对象，而且，在该储存的上述溶媒液上方可放入上述处理对象；在上述处理槽底部储存其量足以浸渍上述处理对象的上述溶媒液的工序；加热上述储存的溶媒液，使该溶媒液的上述蒸汽充满上述处理槽的工序；将上述处理对象通过上述开口部从外部放入上述处理槽内的放入工序；将放入的上述处理对象在充满的上述蒸汽中向上述溶煤液下降的下降工序；通过将上述处理对象浸泡到储存的上述溶媒液中而将附着在上述处理对象表面的水分除去的工序；通过将上述处理对象从上述溶媒液中取出并沐浴在充满的上述蒸汽中而将残留在上述处理对象表面的上述溶媒液去除的工序；通过上述开口部从上述处理槽中取出上述处理对象的工序。
13.如权利要求12所述的干燥方法，其特征在于该方法还设有在上述下降工序之前，将上述处理对象浸入冷却水中进行冷却的工序。
14.如权利要求12所述的干燥方法，其特征在于该方法还设有在上述投放工序之前，将上述处理对象浸泡在冷却后的清洗用水中进行水洗的工序。
15.一种采用权利要求1至权利要求4、权利要求9以及权利要求10中任一所述的一种干燥装置对处理对象表面进行干燥的干燥方法，其特征在于该方法设有以下工序准备上述干燥装置的工序；通过向上述处理槽中提供上述溶媒液而在上述处理槽的一部分储存上述溶媒液的工序；起动上述加热装置加热上述溶媒液的工序；穿过上述开口部将上述处理对象放入上述处理槽中的工序；将放入的上述处理对象保持在上述溶媒液的液面上方，利用加热后的上述溶媒液所产生的蒸汽对上述处理对象表面进行干燥的干燥处理工序；在该干燥处理工序后，穿过上述开口部将上述处理对象从上述处理槽取出的工序。
全文摘要
本发明的目的是抑制处理对象的干燥不良现象。向喷嘴34提供IPA液,IPA液通过流出孔35流出而形成IPA液的流体29。流体29以膜状的形式沿处理槽11侧壁的内侧表面流下,之后,通过在处理槽11下部形成的液体接收部36排向外部。由于处理槽11侧壁的内侧表面被IPA液的流体29覆盖,所以,抑制了IPA蒸汽在该内侧表面上无用的凝结。因此,可有效利用IPA蒸汽在置于接受器皿6上的处理对象表面凝结,从而抑制处理对象的干燥不良。
文档编号H01L21/306GK1200562SQ9712555
公开日1998年12月2日 申请日期1997年12月15日 优先权日1997年5月22日
发明者松本晓典, 黑田健, 伴功二, 小西瞳子, 横井直树 申请人:三菱电机株式会社, 菱电半导体系统工程株式会社