硅片凹痕缺陷增强方法以及半导体制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种硅片凹痕缺陷增强方法以及相应的半导体制造方法。
【背景技术】
[0002]在现有的缺陷扫描机台的限制下(缺陷尺寸限制为大约0.08um)，很难抓到存在缺陷的闪存产品的娃片凹痕缺陷(Si pitting defect)。图1示意性地示出了娃片凹痕缺陷。如图1所不，娃衬底100的表面存在娃片凹痕缺陷200。对于闪存产品，娃片凹痕缺陷200是与产品可靠性性能有关的缺陷类型，它会导致耐用性测试失效。
[0003]对于硅片凹痕缺陷的监控，在现有技术中，一般通过炉管生长二氧化硅300(如图2所示)并利用氢氟酸HF浸泡的方法使得硅片凹痕缺陷增强(即，硅片凹痕缺陷变大并变得明显，由此可以在后续缺陷扫描中可被更容易地扫描出来)，并随后进行缺陷扫描。但是，炉管生长二氧化硅300的过程大概花费五个小时。由此，现有技术的该硅片凹痕缺陷增强方法周期长，严重受炉管排货等影响，一般一个周期为半个月。
[0004]由此，希望提供一种能够在更短的时间内使得硅片凹痕缺陷增强的方法。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷，提供一种能够在更短的时间内使得硅片凹痕缺陷增强的方法。
[0006]为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种硅片凹痕缺陷增强方法，包括:
[0007]第一步骤:针对闪存制造工艺对硅片进行加工，并且在将对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀之前，利用氢氟酸去除硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层；
[0008]第二步骤:在去除原生氧化层之后，执行对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺，以便通过刻蚀过程使得硅片凹痕缺陷增强。
[0009]优选地，在第一步骤中，将硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸，以去除硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层。
[0010]优选地，在第一步骤中，硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸的时间介于8至15秒。
[0011]优选地，在第一步骤中，硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸的时间为10秒。
[0012]优选地，在第一步骤中，硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸的时间为12秒。
[0013]优选地，第二步骤的刻蚀时间为5-10分钟。
[0014]优选地，第二步骤的刻蚀时间为6分钟。
[0015]根据本发明的硅片凹痕缺陷增强方法相对于【背景技术】中描述的根据现有技术的硅片凹痕缺陷增强方法，工艺时间被大大缩短，而且处理过程不用受炉管排货影响。
【附图说明】
[0016]结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中:
[0017]图1示意性地示出了硅片凹痕缺陷。
[0018]图2示意性地示出了根据现有技术的硅片凹痕缺陷增强方法。
[0019]图3示意性地示出了增强的硅片凹痕缺陷。
[0020]图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的硅片凹痕缺陷增强方法的流程图。
[0021]图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的硅片凹痕缺陷增强方法的第一步骤。
[0022]图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的硅片凹痕缺陷增强方法的第一步骤。
[0023]需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
【具体实施方式】
[0024]为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
[0025]图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的硅片凹痕缺陷增强方法的流程图。图5和图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的硅片凹痕缺陷增强方法的各个步骤。
[0026]如图4所示，根据本发明优选实施例的硅片凹痕缺陷增强方法包括:
[0027]第一步骤S1:针对闪存制造工艺对硅片进行加工，并且在将对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀之前，利用氢氟酸HF去除硅衬底100表面形成有硅片凹痕缺陷200的硅片上的原生氧化层，得到如图5所示的结构；
[0028]优选地，在第一步骤SI中，将硅衬底100表面形成有硅片凹痕缺陷200的硅片浸入氢氟酸HF，以去除硅衬底100表面形成有硅片凹痕缺陷200的硅片上的原生氧化层。
[0029]进一步优选地，在第一步骤SI中，硅衬底100表面形成有硅片凹痕缺陷200的硅片浸入氢氟酸HF的时间介于8至15秒，例如优选地为10秒。
[0030]第二步骤S2:在去除原生氧化层之后，执行对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺，以便通过刻蚀过程使得硅片凹痕缺陷增强(形成增强的硅片凹痕缺陷400)，得到如图6所示的结构。优选地，刻蚀的时间为5-10分钟，例如6分钟，例如使得硅衬底厚度降低1KA。在对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀之后，硅片凹痕缺陷得到增强。例如，对于原本尺寸为0.004um的硅片凹痕缺陷300，硅片凹痕缺陷400的尺寸变为0.2um。
[0031]如图4至图6所示，根据本发明优选实施例的硅片凹痕缺陷增强方法中省略了图2所示的现有技术的通过炉管生长二氧化硅的步骤。
[0032]根据本发明优选实施例的硅片凹痕缺陷增强方法相对于【背景技术】中描述的根据现有技术的硅片凹痕缺陷增强方法，工艺时间被大大缩短，而且处理过程不用受炉管排货影响。
[0033]可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
【主权项】
1.一种硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于包括: 第一步骤:针对闪存制造工艺对硅片进行加工，其中在将对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀之前，利用氢氟酸去除硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层； 第二步骤:在去除原生氧化层之后，执行对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺，以便通过刻蚀过程使得硅片凹痕缺陷增强。
2.根据权利要求1所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，在第一步骤中，将硅衬底表面形成有娃片凹痕缺陷的娃片浸入氢氟酸，以去除娃衬底表面形成有娃片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层。
3.根据权利要求2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，在第一步骤中，硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片浸入氢氟酸的时间介于8至15秒之间。
4.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，在第一步骤中，硅衬底表面形成有娃片凹痕缺陷的娃片浸入氢氟酸的时间为10秒。
5.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，在第一步骤中，硅衬底表面形成有娃片凹痕缺陷的娃片浸入氢氟酸的时间为12秒。
6.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，第二步骤的刻蚀时间为5-10分钟。
7.根据权利要求6所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，第二步骤的刻蚀时间为6分钟。
8.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺使得硅衬底厚度降低。
9.根据权利要求1或2所述的硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于，对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺使得硅衬底厚度降低1KA。
10.一种半导体制造方法，其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的硅片凹痕缺陷增强方法。
【专利摘要】本发明提供了一种硅片凹痕缺陷增强方法以及半导体制造方法。该硅片凹痕缺陷增强方法包括：第一步骤：针对闪存制造工艺对硅片进行加工，并且在将对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀之前，利用氢氟酸去除硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层；第二步骤：在去除原生氧化层之后，执行对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺，以便通过刻蚀过程使得硅片凹痕缺陷增强。根据本发明的硅片凹痕缺陷增强方法相对于现有技术的硅片凹痕缺陷增强方法，工艺时间被大大缩短，而且处理过程不用受炉管排货影响。
【IPC分类】H01L21-8247, H01L21-02
【公开号】CN104616973
【申请号】CN201410838532
【发明人】熊鹏, 杨兴, 邓咏桢, 康军
【申请人】上海华虹宏力半导体制造有限公司
【公开日】2015年5月13日
【申请日】2014年12月26日